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회로이론및실험1 10장 커패시터 A+ 결과보고서2025.01.131. 커패시터의 특성 실험을 통해 커패시터가 직류 또는 교류 회로에서 전하를 저장하는 역할을 한다는 것을 알 수 있었다. 커패시턴스 또는 전압이 증가하면 커패시터를 이동하는 전하량도 증가한다는 것을 확인했다. 커패시터로 이동하는 전하의 양은 커패시터에 가해진 전압과 커패시턴스 값에 정비례한다. 2. 커패시터의 직렬 연결 커패시터를 직렬회로로 연결했을 때는 회로 내의 모든 소자에 같은 크기의 전류가 흐르므로 한 전압원에 연결한 세 개의 커패시터에 충전된 전하량은 서로 같다. 3. 커패시터의 병렬 연결 커패시터를 병렬회로로 연결했을 때...2025.01.13
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에너지변환실험 A+레포트_미적분기2025.01.131. 연산증폭기 미분기 연산증폭기를 이용한 미분기 회로의 동작 특성을 이해하고, 라플라스 변환을 통해 출력 전압을 분석하였습니다. 절점주파수를 기준으로 주파수가 낮아질수록 미분기 특성이 나타나고, 주파수가 높아질수록 반전증폭기 특성이 나타나는 것을 확인하였습니다. 실험 결과, 미분기 회로의 출력 전압은 입력 전압의 미분에 비례하는 특성을 가지며, 비례 상수는 회로에 사용된 저항과 커패시터에 의해 결정됩니다. 2. 연산증폭기 적분기 연산증폭기를 이용한 적분기 회로의 동작 특성을 이해하고, 라플라스 변환을 통해 출력 전압을 분석하였습니...2025.01.13
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전자회로실험_A+레포트_Diode Rectifier2025.01.131. 반파정류회로 반파정류회로는 다이오드와 저항을 직렬 연결한 회로에 교류전원을 연결한 회로이다. 다이오드가 있을 경우에는 양의 주기에서는 순방향 바이어스가 되고 음의 주기에서는 역방향 바이어스가 된다. 이러한 이유로 입력전원의 양의 값을 정류해서 직류로 변환시킨다. 2. 전파정류회로 전파정류회로는 중간탭이 있는 변압기를 이용하여 180° 위상차가 나는 두 교류신호를 생성한다. 다이오드의 정류 작용으로 (+), (-) 파형 모두 통과하여 한쪽 방향으로 흐르도록 구성한 회로이다. 변압기를 사용한 이유는 실험실 220V의 전원을 적절한...2025.01.13
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광센서(물리세특 보고서)2025.01.131. 지문인식 원리 지문인식이란 지문의 특성을 이용해 손가락 지문으로 본인을 인증하는 기술입니다. 지문을 등록하고 등록한 데이터와 입력된 지문을 비교해 일치하는지 판별하고, 사용자의 신분을 확인할 수 있습니다. 지문인식은 크게 센서에 손가락을 대어 지문을 촬영하는 입력 단계와 촬영된 지문을 저장된 지문과 대조해 일치 여부를 판단하는 인증단계로 나뉩니다. 이 기술은 주로 손에 빛을 쏘면 지문 굴곡으로 인해 달라지는 음영을 센서로 수집해 이미지를 추출하는 지문인식 장치는 크게 광센서와 산화물 박막트랜지스터 어레이 등으로 구성됩니다. 2...2025.01.13
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전자공학실험 1장 PN 접합 다이오드 및 제너 다이오드 A+ 예비보고서2025.01.131. PN 접합 다이오드의 기본 구조와 동작 원리 PN 접합 다이오드는 p형 반도체와 n형 반도체의 접합으로 만들어지는 비선형 소자이다. 다이오드는 극성 소자로서 양단에 걸리는 전압에 따라 전류 특성이 변한다. 다이오드의 양극이 음극보다 전압이 높으면 순방향 바이어스 전압이 인가되었다고 하고, 양극에서 음극으로 전류를 흘리게 된다. 반대로 음극이 양극보다 전압이 높게 된다면 역방향 바이어스 전압이 인가되었다고 하고 양단 사이에 전류가 흐르지 않게 된다. 2. PN 접합 다이오드의 동작 영역과 전류-전압 특성 PN접합 다이오드는 양단...2025.01.13
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전자공학실험 4장 BJT 기본 특성 A+ 예비보고서2025.01.131. npn형 BJT의 기본 동작 원리 npn형 BJT는 'n형 반도체(Emitter)-p형 반도체(Base)-n형 반도체(Collector)'의 결합으로 이루어진 트랜지스터로, V_E와 V_B, V_C의 크기 관계에 따라 EBJ(이미터와 베이스 간 결합), CBJ(컬렉터와 베이스 간 결합)영역에서 다이오드가 순방향, 역방향으로 나뉘게 되어 총 4가지의 동작 영역이 존재한다. 즉 V_BE, V_CB의 크기를 조절함으로써 전류의 방향과 크기를 제어한다. 2. npn형 BJT의 4가지 동작 영역 npn형 BJT는 V_E와 V_B, V_...2025.01.13
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전자공학실험 5장 BJT 바이어스 회로 A+ 예비보고서2025.01.131. BJT 바이어스 회로 BJT를 증폭기로 동작시키기 위해서는 적절한 DC 바이어스가 인가되어야 하며, 이때의 DC 바이어스를 동작점 또는 Q점이라고 부른다. DC 바이어스는 증폭기의 전압 이득과 스윙을 결정하는 중요한 역할을 한다. 이 실험에서는 BJT를 이용한 증폭기의 DC 동작점을 잡아주기 위한 바이어스 회로에 대해 알아보고, 실험을 통하여 동작을 확인하고자 한다. 2. 전압분배 바이어스 회로 일반적으로 증폭기의 동작점을 잡아주기 위해서는 바이어스 회로가 필요하다. 가장 기본적인 전압분배 바이어스 회로는 저항 RB1 또는 R...2025.01.13
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전자공학실험 6장 공통 이미터 증폭기 A+ 예비보고서2025.01.131. BJT 소신호 등가회로 BJT 소신호 등가회로는 트랜지스터의 선형적인 증폭을 얻기 위해 소신호 AC 전압을 입력 전압으로 하는 등가 회로 모델이다. 컬렉터 전류 i_c는 g_m에 비례하며, 소신호 출력 전압 v_o의 크기는 r_o에 비례한다. 따라서 r_o는 컬렉터 전류에 반비례한다. 2. 공통 이미터 증폭기의 동작 원리 공통 이미터 증폭기에서 입력 v_I는 베이스-이미터 전압 v_BE이고, 출력 v_0는 컬렉터-이미터 전압 v_CE이다. 베이스-이미터 사이의 소신호 입력 전압에 비례하는 전류가 컬렉터에 흐르고, 이 전류가 출...2025.01.13
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전자공학실험 8장 공통 베이스 증폭기 A+ 예비보고서2025.01.131. 공통 베이스 증폭기 공통 베이스 증폭기는 입력 임피던스가 적기 때문에 전류를 잘 받아들이는 특성을 지니고 있다. 이 실험에서는 공통 베이스 증폭기의 동작 원리를 살펴보고, 증폭기의 전압 이득 및 특성을 실험을 통하여 확인하고자 한다. 공통 베이스 증폭기의 전압 이득은 g_m R_C로 표현할 수 있으며, 입력 임피던스는 1/g_m으로 구할 수 있다. 공통 베이스 증폭기는 임피던스가 수십 ohm 정도로 매우 작으므로, 전압을 받아들이는 용도보다는 전류를 받아들이는 용도로 많이 사용된다. 2. 공통 베이스 증폭기 회로 분석 실험회로...2025.01.13
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전자공학실험 10장 MOSFET 바이어스 회로 A+ 예비보고서2025.01.131. MOSFET 바이어스 회로 MOSFET을 증폭기로 동작시키기 위해서는 적절한 DC 바이어스가 인가되어야 하며, 이 때의 DC 바이어스를 동작점 또는 Q점이라고 부른다. DC바이어스는 증폭기의 전압 이득과 스윙을 결정하는 중요한 역할을 한다. 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 증폭기의 DC 동작점을 잡아주기 위한 바이어스 회로에 대해서 공부하고, 실험을 통하여 확인하고자 한다. 2. 전압분배 MOSFET 바이어스 회로 일반적으로 증폭기의 동작점을 잡아주기 위해서는 바이어스 회로가 필요하다. [그림 10-1]은 가장 기본적인 전...2025.01.13
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