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MOSFET 기본 특성 및 MOSFET 바이어스 회로 실험 결과 보고서2025.01.291. MOSFET 기본 특성 실험 9에서 NMOS의 문턱 전압이 양수이고 PMOS의 문턱 전압이 음수인 이유를 설명하였습니다. NMOS는 소스와 드레인을 n-type을 사용하고 전류를 흐르게 하는 carrier가 전자이므로 채널에 전류가 흐르려면 문턱 전압이 양수여야 합니다. PMOS에서는 소스와 드레인을 p-type을 사용하고 전류를 흐르게 하는 carrier가 hole이므로 채널에 전류가 흐르려면 NMOS의 역전압이 걸려야 하므로 PMOS의 문턱 전압은 음수여야 합니다. 따라서 NMOS를 낮은 전압 쪽에, PMOS를 높은 전압 ...2025.01.29
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기본간호학, 기사를 통해 자신의 견해를 작성 (투약사고)2025.01.291. 투약 투약이란, 질병 회복, 건강증진, 질병 예방을 목적으로 약물을 이용하는 방법을 말한다. 투약의 종류는 국소적으로 작용시키는 방법으로서 도포ㆍ흡입ㆍ삼킴 등이 있으며 전신을 순환해서 작용시키는 방법으로서 내복ㆍ주사ㆍ도포 등이 있다. 투약과 관련하여 간호사의 역할은 조제된 약 투여, 약물의 효과를 관찰하고, 반응을 평가하는 것이다. 환자에게 약물을 투여하고 반응을 살피는 데에 있어 여러 가지로 나뉘게 된다. 예측된 효과로 나타나는 경우, 부작용(유해작용, 독작용, 특이체질 반응, 알레르기 반응, 약물내성, 축적작용, 의원성질환...2025.01.29
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기기분석실험 7주차 BET 예비레포트2025.01.291. BET 분석 장비의 기본 원리 BET 분석 장비는 Brunauer, Emmett, Teller라는 학자에 의해 개발된 수식을 이용하는 측정법으로, 고체 시료의 표면에 특정 가스를 흡/탈착 시켜 부분 압력별 흡착량을 측정함으로써 재료의 비표면적 및 기공 크기분포를 계산하는 분석기법입니다. 일반적으로 실험은 시료분말 표면에 N2를 흡착시켜 흡착된 질소가스 양을 측정하는 방법으로 진행되며, 액체질소 온도에서 이루어집니다. 활성탄과 같은 다공성 물질의 단위 무게당 표면적 측정, 기공 크기분포, 기공률 측정에 사용되며 분말의 입자 크기...2025.01.29
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거북목 예방을 위한 보건교육계획안2025.01.291. 거북목 증후군 거북목 증후군은 잘못된 자세로 인해 목과 어깨의 근육과 인대가 늘어나 통증이 생기는 증상입니다. 주요 원인은 스마트폰 사용, 컴퓨터 화면 높이, 높은 베개 사용, 책상에 엎드리거나 턱을 괴는 습관 등입니다. 거북목 증후군이 지속되면 거북등 증후군으로 악화될 수 있어 예방이 중요합니다. 바른 자세와 스트레칭 등을 통해 거북목 증후군을 예방할 수 있습니다. 1. 거북목 증후군 거북목 증후군은 현대 사회에서 점점 더 심각해지고 있는 문제입니다. 장시간 컴퓨터나 스마트폰을 사용하는 사람들에게 많이 발생하는데, 목 근육의...2025.01.29
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기기분석실험 5주차 Raman spectroscopy 결과레포트2025.01.291. Raman Spectroscopy Raman Spectroscopy는 빛이 물질에 입사될 때 일부 빛이 에너지를 잃거나 얻어 원래 입사광과 다른 파장으로 산란되는 비탄성 산란 현상을 이용하여 물질의 분자 구조와 화학 결합 상태를 분석하는 기술입니다. 이 기술은 기체, 액체, 고체 등 다양한 상태의 시료를 별도의 샘플 준비 없이 분석할 수 있으며, 분석 시간이 짧고 수분이나 기판 상태의 영향을 적게 받는 장점이 있습니다. 또한 입사 광원의 파장을 자유롭게 조정할 수 있어 실험 조건을 유연하게 설정할 수 있습니다. 2. Raman...2025.01.29
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[전자공학응용실험]14주차_10차실험_실험28 아날로그-디지털 변환기_예비레포트_A+2025.01.291. 아날로그-디지털 변환기 이 실험에서는 아날로그 신호를 디지털 신호로 변환해주는 아날로그-디지털 변환기(analog-to-digital converter)의 기본 동작 원리 및 성능 파라미터를 이해하고, 실제 회로를 구성하여 이론적인 내용을 확인하고자 한다. 해상도, 동작 속도, 신호 대 잡음비, 비선형성 등의 개념을 이해하고, 회로를 구성하여 성능을 측정한다. 2. 아날로그-디지털 변환 과정에서 발생한 오차 아날로그 신호를 디지털로 변환 시 양자화 오차가 발생할 수밖에 없다. 이 양자화 오차 또는 양자화 잡음이 결국 출력 신호...2025.01.29
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[전자공학응용실험]13주차_9차실험_실험21 차동증폭기 심화 실험_예비레포트_A+2025.01.291. 차동 증폭기 이 실험에서는 능동 부하를 사용한 차동 증폭기를 구성하여 전압 이득과 CMRR(공통 모드 제거비)를 측정하는 것이 목적입니다. 차동 증폭기는 두 개의 입력 신호의 차이를 증폭하는 회로로, 공통 모드 신호를 제거하여 원하는 차동 신호만을 증폭할 수 있습니다. CMRR은 차동 증폭기의 성능을 나타내는 지표로, 공통 모드 신호에 대한 차동 신호의 상대적인 크기를 나타냅니다. 이 실험을 통해 차동 증폭기의 동작 원리와 성능 측정 방법을 이해할 수 있습니다. 1. 차동 증폭기 차동 증폭기는 전자 회로 설계에서 매우 중요한 ...2025.01.29
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[전자공학응용실험]12주차_8차실험_실험 20 차동 증폭기 기초 실험_예비레포트_A+2025.01.291. MOSFET 차동 증폭기 이 실험에서는 MOSFET을 사용한 차동 쌍의 동작을 위한 기본 조건을 살펴보고 기본적인 측정을 통해 검증하고자 합니다. 또한 부하 저항을 연결한 MOSFET 차동 증폭 회로를 구성하여 특성을 분석합니다. 차동 증폭기는 집적회로 설계에서 중요한 기본 회로 중 하나로, 능동 부하와 전류 거울 회로를 이용하여 설계할 수 있습니다. 1. MOSFET 차동 증폭기 MOSFET 차동 증폭기는 전자 회로 설계에서 매우 중요한 역할을 합니다. 이 회로는 두 개의 MOSFET 트랜지스터를 사용하여 입력 신호를 증폭하...2025.01.29
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[전자공학응용실험]11주차_7차실험_실험 18 증폭기의 주파수 응답 특성_예비레포트_A+2025.01.291. 공통 소스 증폭기의 주파수 응답 특성 이 실험에서는 [실험 17]에서 구현한 공통 소스 증폭기의 주파수 응답 특성을 실험하여 대역폭의 개념을 이해하고, 이득과 대역폭 사이의 관계를 파악하고자 한다. 공통 소스 증폭기의 소신호 등가회로를 분석하여 주파수 응답 특성을 나타내는 보드 선도를 그리고, 3dB 주파수와 이득 대역폭 곱을 계산한다. 또한 이득 대역폭 곱을 증가시키는 방안을 제시한다. 2. MOSFET의 고주파 모델 MOSFET의 고주파 동작을 설명하기 위해 게이트-소스 커패시턴스(Cgs)와 게이트-드레인 커패시턴스(Cgd...2025.01.29
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[전자공학응용실험]10주차_6차실험_실험 17 능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기_예비레포트_A+2025.01.291. 능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기 이 실험에서는 전류원 부하를 PMOS 트랜지스터 M2를 이용하여 구현한 공통 소오스 증폭기 회로를 구성하고, 이를 바탕으로 공통 소오소 증폭기의 전압 이득을 구하고자 합니다. 입력에 따라서 M1에 흐르는 전류와 부하에 흐르는 전류가 같아지는 출력을 구할 수 있고, 이를 통해 전달 특성 곡선을 구할 수 있습니다. 1. 능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기 능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기는 전자 회로 설계에서 널리 사용되는 중요한 회로 구조입니다. 이 증폭기는 입력 신호를 증폭하여 출력 ...2025.01.29
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