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치과용 알지네이트인상2024.09.211. 서론 치과용 인상재는 구강조직을 정확하게 복제하기 위해 사용되는 재료이다. 구강 내에서 반액체 상태로 위치하여 중요한 부위까지 흘러들어가 스스로 얹혀야 하고, 일정한 시간 내에 영구변형 없이 구강 내에서 제거할 수 있을 정도로 충분히 견고한 탄성체 또는 고체가 되어야 한다. 따라서 인상재는 정밀한 치아 모형을 만들어내기 위한 필수적인 재료라고 할 수 있다. 이러한 특성을 충족시키기 위해 치과용 인상재는 다양한 분류와 형태로 개발되어 왔으며, 각각의 인상재는 고유한 장단점을 가지고 있다. 2. 치과용 인상재의 분류 2.1. 비...2024.09.21
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면저항 측정2024.09.211. 도체와 반도체의 면저항 측정 1.1. 실험 목적 이 실험의 목적은 비저항, 면저항 등의 개념을 확실히 알고, 서로 다른 시편의 면저항을 측정한 후 각각의 시편의 면저항이 왜 다른지 생각해보고 어떤 재료를 사용하여 설계하고자 할 때 가장 적합한 재료를 선택할 수 있는 능력을 키우는데 있다. 또한 박막형태의 재료들의 면저항을 측정해보고, 재료의 전기적 특성을 분석해 다양한 공학 분야에 적용시켜 이용하기 위함이다. 1.2. 이론적 배경 1.2.1. 면저항 및 비저항 면저항은 단위 ohm/sq로 표시되며, 여기서 sq는 ㅁ로도 표...2024.09.21
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광운대2024.09.211. 반도체 공정 1.1. Front End Process 1.1.1. 웨이퍼 및 재료 실리콘 웨이퍼 기판은 반도체 공정에서 가장 기본적이고 중요한 재료로, 트랜지스터와 메모리 소자 등을 제작하는 기반이 된다. 반도체 산업의 발전과 더불어 웨이퍼의 크기와 집적도가 지속적으로 증가해 왔다. 2000년대 초반까지는 200mm 웨이퍼가 주로 사용되었으나, 현재는 300mm 웨이퍼가 가장 보편적이며 450mm 웨이퍼 개발도 진행되고 있다. 웨이퍼의 기본 제조 방식은 Czochralski (CZ) 방법으로, 고순도 실리콘 잉곳을 성장...2024.09.21
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저진공 펌프2024.10.071. 진공 펌프의 이해 1.1. 진공의 개념 진공이란 원래 라틴어로 'vacua', 즉 기체(물질)가 없는 공간의 상태를 의미하지만 실제로는 작업상 지장이 없는 압력상태를 말하는 경우가 많다. 지구표면의 압력은 질소(N2), 산소(O2), 기타 아르곤, 탄소가스, 수증기 등의 혼합가스체가 해면상에서 1기압(760Torr)인 상태이다. 이때 공기의 밀도는 표준상태(0℃, 760Torr) 기준으로 1mole [22.4ℓ]중에 약 6 x 1023개의 공기분자로 구성되어 있다. 대기압보다 낮은 상태를 진공이라고 하며, 분자밀도가 2....2024.10.07
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다이오드 순방향 특성곡선 보고서2024.10.071. 실험 개요 1.1. 실험 목적 본 실험의 목적은 다음과 같다. 실험을 통해 실리콘과 게르마늄 다이오드의 전압-전류 특성곡선을 실측하고 비교한다. 다이오드의 순방향 및 역방향 바이어스 상태에 따른 동작 특성을 확인한다. 또한 다이오드의 DC 저항과 AC 저항, 문턱 전압 등을 측정하고 분석한다. 이를 통해 다이오드의 기본 동작 원리와 특성을 이해하고자 한다. 더불어 온도 변화에 따른 다이오드의 특성 변화도 관찰하여 온도가 다이오드 성능에 미치는 영향을 파악하고자 한다. 1.2. 실험을 통해 확인하고자 하는 내용 실험을 통해 ...2024.10.07
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화학공정용어2024.11.151. 실리콘 제조 및 활용 1.1. 실리콘의 구조와 특성 1.1.1. 실리콘과 실리콘 화합물의 구분 실리콘(Silicon)과 실리콘 화합물의 구분은 다음과 같다. 실리콘(Silicon, Si)은 주기율표 14족에 속하는 원소로, 화학기호 Si로 표현된다. 실리콘은 원자가 전자가 4개인 금속-비금속 성질을 가진 반도체 물질이다. 실리콘은 자연계에서 가장 많이 존재하는 원소 중 하나로, 산화규소(SiO2)의 형태로 지각을 구성하고 있다. 반면 실리콘 화합물(Silicon Compounds)은 실리콘 원소가 다른 원소와 결합한...2024.11.15
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hemt2024.11.131. HEMT(High Electron Mobility Transistor) 1.1. 용어 설명 HEMT(High Electron Mobility Transistor)는 전자의 이동도가 높은 트랜지스터를 뜻한다. 일반적인 전계효과 트랜지스터(FET)의 특징이라 볼 수 있는 입력과 출력의 양 전극간에 흐르는 전류를 제3의 게이트 전극의 전압으로 제어 방식을 따르므로 HEMT는 일종의 FET 소자라고 볼 수 있다. 연산속도는 피코초에 이르며, 초전도물질을 이용한 조셉슨소자와 함께 차기 슈퍼 컴퓨터 연산처리 장치 (CPU:Central...2024.11.13
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진공증착법으로 제작한 CdS 박막2024.11.071. 태양전지의 개요 1.1. 태양전지의 정의 태양전지는 태양 에너지를 전기에너지로 변환할 목적으로 제작된 광전지를 말한다. 반도체의 재료로서는 실리콘, 갈륨비소, 카드뮴텔루르, 황화카드뮴, 인듐인 또는 이것들을 복합한 것이 있으나, 보통 사용되고 있는 것은 실리콘이다. 실리콘 태양전지는 확산법에 의해 p-n접합을 형성하지만, 조사된 광양자의 대부분이 접합부 부근에 이르도록 확산 깊이는 3 μm 정도로 되어 있다. 실리콘태양전지의 스펙트럼 감도는 소자 1개 당의 개방단광전압은 약 0.55 V, 단락광전류는 35~40 mA/cm2,...2024.11.07
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실리콘 집적회로 공정기술2024.10.161. 반도체 기본 공정 기술 1.1. 웨이퍼 웨이퍼는 반도체 직접 회로를 만드는 주요재료로 실리콘(Si), 갈륨 아세나이드(GaAs) 등을 성장시켜 얻은 단결정 기둥(Ingot)를 적당한 지름으로 얇게 썬 원판모양의 판을 말한다. 대부분의 웨이퍼는 실리콘으로 만들어지며, 실리콘은 안정적으로 얻을 수 있는 재료이고 환경적으로 우수한 장점이 있다. 실리콘은 원가가 저렴하고 특성이 우수하며 열에도 강하다. 하지만 고출력이 필요한 전력 반도체의 경우 실리콘만으로는 출력이 부족하거나 반도체의 크기가 너무 커질 수 있기 때문에 탄화규소 또는...2024.10.16