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반도체 최신동향2024.10.301. 반도체 기술 동향 1.1. 실리콘 IC 공정 1.1.1. MOS 오늘날 대부분의 반도체 제품은 디지털 특성을 가지고 있으며 CMOS(complementary metal oxide semiconductor)로 생산된다. CMOS는 비교적 낮은 전력소모와 대량생산에서 기인한 저가격 등의 장점을 지닌다. CMOS는 셀룰러폰이나 기타 무선 제품 내의 기저대역 처리 기능에 독점적으로 사용되고 있다. CMOS 기술의 핵심은 MOS(metal-oxide-semiconductor) 트랜지스터이다. MOS 트랜지스터는 금속-절연체-반도체...2024.10.30
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진공증착법으로 제작한 CdS 박막2024.11.071. 태양전지의 개요 1.1. 태양전지의 정의 태양전지는 태양 에너지를 전기에너지로 변환할 목적으로 제작된 광전지를 말한다. 반도체의 재료로서는 실리콘, 갈륨비소, 카드뮴텔루르, 황화카드뮴, 인듐인 또는 이것들을 복합한 것이 있으나, 보통 사용되고 있는 것은 실리콘이다. 실리콘 태양전지는 확산법에 의해 p-n접합을 형성하지만, 조사된 광양자의 대부분이 접합부 부근에 이르도록 확산 깊이는 3 μm 정도로 되어 있다. 실리콘태양전지의 스펙트럼 감도는 소자 1개 당의 개방단광전압은 약 0.55 V, 단락광전류는 35~40 mA/cm2,...2024.11.07
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hemt2024.11.131. HEMT(High Electron Mobility Transistor) 1.1. 용어 설명 HEMT(High Electron Mobility Transistor)는 전자의 이동도가 높은 트랜지스터를 뜻한다. 일반적인 전계효과 트랜지스터(FET)의 특징이라 볼 수 있는 입력과 출력의 양 전극간에 흐르는 전류를 제3의 게이트 전극의 전압으로 제어 방식을 따르므로 HEMT는 일종의 FET 소자라고 볼 수 있다. 연산속도는 피코초에 이르며, 초전도물질을 이용한 조셉슨소자와 함께 차기 슈퍼 컴퓨터 연산처리 장치 (CPU:Central...2024.11.13