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고분자 화학 AFM ITO glass 분석 결과2024.11.301. ITO(Indium-Tin Oxide) 1.1. ITO 구성성분 및 장·단점 ITO(인듐주석산화물)는 In2O3에 SnO2를 고용시켜 제조한 재료로서, 가시광선 영역에서는 투광 특성이, 적외선 영역에서는 반사 특성이 우수하며 비교적 낮은 전기저항을 갖는 상온에서 안정한 산화물이다. ITO는 In2O3의 결정구조에서 In 자리에 Sn이 치환된 형태를 가진다. ITO의 장점은 높은 투명성, 전기전도성, 생산성 등이 우수하다는 것이다. 이에 따라 ITO는 LCD, PDP 등의 얇고 평평한 디스플레이에서 필요한 투명전극 재료로 ...2024.11.30
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스핀코팅2024.11.061. 스핀 코팅(Spin Coating) 1.1. 스핀 코팅의 원리 스핀 코팅(Spin Coating)의 원리는 다음과 같다. 스핀 코팅은 평평한 기판에 균일한 박막을 증착하는 데 사용되는 방법이다. 스핀 코팅의 절차는 다음과 같다. 먼저 저속으로 회전하거나 전혀 회전하지 않는 기판의 중앙에 소량의 코팅 물질을 도포한다. 그 다음 기판을 최대 10000rpm의 속도로 회전시켜 원심력에 의해 코팅 물질을 퍼뜨린다. 이때 적용된 용매는 휘발성이며 동시에 증발한다. 회전 각속도가 높을수록 필름이 더 얇아지며, 필름의 두께는 용액의 ...2024.11.06
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산화공정2025.04.021. 서론 1.1. 실험 목적 실리콘은 반도체 소자 제조에 널리 사용되는 중요한 재료이다. 이는 실리콘이 고품질의 산화막(SiO2)을 형성할 수 있기 때문이다. 이 산화막은 반도체 소자에서 절연체로 사용되어 전류와 도핑물질의 이동을 막는 역할을 한다. 따라서 고품질의 SiO2 박막을 성장시키는 산화 기술은 반도체 공정에서 매우 중요하다. 이번 실험에서는 열 산화(Thermal oxidation) 방법을 통해 실리콘 웨이퍼 표면에 산화막을 형성시키고, 산화막의 두께 변화를 관찰함으로써 산화 공정의 기본 원리와 공정 변수들에 대해 이...2025.04.02