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실리콘 집적회로 공정기술2024.10.161. 반도체 기본 공정 기술 1.1. 웨이퍼 웨이퍼는 반도체 직접 회로를 만드는 주요재료로 실리콘(Si), 갈륨 아세나이드(GaAs) 등을 성장시켜 얻은 단결정 기둥(Ingot)를 적당한 지름으로 얇게 썬 원판모양의 판을 말한다. 대부분의 웨이퍼는 실리콘으로 만들어지며, 실리콘은 안정적으로 얻을 수 있는 재료이고 환경적으로 우수한 장점이 있다. 실리콘은 원가가 저렴하고 특성이 우수하며 열에도 강하다. 하지만 고출력이 필요한 전력 반도체의 경우 실리콘만으로는 출력이 부족하거나 반도체의 크기가 너무 커질 수 있기 때문에 탄화규소 또는...2024.10.16
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식각공정2025.05.241. 반도체 공정 개요 1.1. 반도체 기술의 발전 반도체 기술의 발전은 정보화 사회의 근간이 되는 핵심 기술로, 지속적인 혁신과 발전을 거듭해 왔다. 반도체 제품의 고집적화와 다기능화가 이루어지면서 기존 반도체 소자의 한계를 극복하고자 새로운 소자 구조와 제조 공정이 속속 등장하고 있다. 반도체 기술은 1960년대 이후 규모의 경제 실현과 생산성 향상을 위해 집적도를 지속적으로 높여왔다. 집적도 향상은 반도체 소자의 크기를 줄이는 미세화와 더불어 트랜지스터의 수를 늘리는 다기능화로 이루어져 왔다. 미세화를 통해 단위 면적당 ...2025.05.24