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반도체공정2024.09.281. 반도체 공정 개요 1.1. 웨이퍼 제조 웨이퍼는 실리콘(Si), 갈륨 아세나이드(GaAs) 등을 성장시켜 만든 단결정 기둥을 적당한 두께로 얇게 자른 원판이다. 이 중에서도 실리콘(Si)을 주로 사용하는데, 그 이유는 실리콘이 자연계에서 흔하고 경제적이며 인체에 무해하기 때문이다. 실리콘 웨이퍼를 제조하는 과정은 다음과 같다. 먼저 폴리실리콘(Poly Silicon)이라는 실리콘 원료를 뜨거운 열로 녹여 고순도의 실리콘 용액을 만든다. 이를 초크랄스키(Czochralski, CZ) 방식으로 단결정 기둥인 잉곳(Ingot)...2024.09.28
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기초회로실험 결과보고서2024.09.251. 기초회로 실험 1.1. 실험 목적 이 실험의 목적은 저항의 양단에 걸리는 전압에 따른 전류를 측정하여 일반적인 저항에 대한 옴의 법칙을 확인하고, 반도체 다이오드의 전기(정류)특성을 측정하여 정류특성을 확인하는 것이다. 또한, 여러 개의 저항과 기전력원이 연결된 회로의 측정을 통해 키르히호프의 법칙을 실험적으로 확인하는 것이다. 즉, 이 실험을 통해 옴의 법칙, 다이오드의 전기적 특성, 키르히호프의 법칙 등 기초 전기회로에 대한 이해를 높이고자 하는 것이 실험의 주된 목적이라 할 수 있다. 1.2. 관련 이론 1.2.1....2024.09.25
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반도체공정설계2024.10.081. MOSFET 설계 1.1. 개요 본 설계의 중점은 공정변수에 따라 소자의 특성변화를 확인하는 것이 아닌 공정변수를 바꿈으로써 소자의 특성을 최적화 하는 것을 중점으로 하였다. 이때 기준으로 잡은 소자의 특성은 수업시간에 했던 LDD 구조를 갖는 n-채널 MOSFET이다. MOSFET의 특성을 비교할 수 있는 대표적인 것은 드레인 전류와 문턱전압으로 드레인 전류가 높아질수록, 문턱전압이 낮아질수록 소자특성이 좋아짐을 의미한다. 그에 따라 드레인 전류를 높이기 위해 채널길이와 high doping 양을 공정변수로 잡았고 문턱전압...2024.10.08
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고체저항과 액체저항2024.11.041. 개요 1.1. 실험 목적 실험의 목적은 전기 회로에서 사용되는 고체저항의 색깔 띠별 표시 저항값과 실험을 통해 측정한 저항값이 일치하는지 확인하고, 소금물을 이용한 액체저항과 소금 농도의 관계를 알아보며, 액체저항과 고체저항, 다이오드 간의 유사점과 차이점을 규명하는 것이다." 1.2. 실험 내용 및 배경 실험 내용 및 배경은 다음과 같다. 이번 실험의 목적은 고체저항과 액체저항의 특성을 이해하고, 소금물의 농도와 액체저항 사이의 관계를 알아보며, 고체저항, 액체저항, 다이오드 간의 유사점과 차이점을 규명하는 것이다. ...2024.11.04
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전자회로실험 13장2024.11.041. JFET 바이어스 회로 조 1.1. 고정 바이어스 회로 고정 바이어스 회로는 게이트-소스 전압(Vgs)이 독립적인 직류 전원에 의해 결정되는 경우를 말한다. 즉, Vgs가 상수임을 나타내는 수직선이 Shockley 방정식으로 표현되는 전달 특성곡선과 만나게 된다. 고정 바이어스 회로에서는 Vgs가 독립된 직류 전원에 의해 결정된다. 따라서 Vgs가 상수임을 나타내는 수직선이 전달 특성곡선과 만나게 된다. 이렇게 만나는 지점이 JFET의 직류 동작점이 된다. 고정 바이어스 회로의 경우, Vgs가 일정하게 유지되기 때문에 ...2024.11.04
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인천대 축전기2024.10.241. 개요 1.1. 실험 목적 축전기의 양단에 인가되는 전압에 따라 그 충전량이 변하는 것을 실험으로 확인하고 축전기의 용량 시상수(Capacitive time constant)가 어떠한 조건에 따라 달라지는지 확인하는 것이 이번 실험의 목적이다. 1.2. 실험 개요 축전기의 양단에 인가되는 전압에 따라 그 충전량이 변하는 것을 실험으로 확인하고, 축전기의 용량 시상수(Capacitive time constant)가 어떠한 조건에 따라 달라지는지 확인하는 것이 실험의 개요이다. 구체적으로는 축전기의 양단에 인가되는 전압과 충전량의...2024.10.24
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기초회로실험 보고서2024.10.131. 기초회로 실험 1.1. 실험 목적 저항의 양단에 걸리는 전압에 따른 전류를 측정하여 일반적인 저항에 대한 옴의 법칙을 확인하고, 반도체 다이오드의 전기(정류)특성을 측정하여 정류특성을 확인하는 것이 실험의 목적이다. 또한, 여러 개의 저항과 기전력원이 연결된 회로의 측정을 통해 키르히호프의 법칙을 실험적으로 확인하는 것이 이번 실험의 목적이다. 1.2. 실험 방법 1.2.1. 옴의 법칙 실험 옴의 법칙 실험은 저항의 양단에 걸리는 전압에 따른 전류를 측정하여 일반적인 저항에 대한 옴의 법칙을 확인하는 실험이다. 실험 방...2024.10.13
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TCAD2024.11.301. 서론 1.1. 구성 요소 구성 요소는 목표 설정, 분석, 설계, 평가로 이루어져 있다. 목표 설정에서는 NMOS 구조를 설계하여 VD=0.1V일 때 Vth값을 5V로 도출해내고, VD=1V일 때 ID> 5X10^-5가 되도록 설계하는 것이다. 분석에서는 Substrate Doping Concentration, Source/Drain Doping Profile, Oxide 두께, Gate 선폭을 설계 변수로 두어 NMOS의 특성 및 목표에 부합하는 최적화된 변수를 선출하여 분석한다. 설계에서는 T-CAD 시뮬레이션인...2024.11.30
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반도체 다이오드의 특성2024.12.011. 반도체 다이오드의 특성 1.1. 다이오드의 순방향 및 역방향 특성 다이오드의 순방향 및 역방향 특성은 다음과 같다. 다이오드는 p형 반도체와 n형 반도체가 접합된 소자로, 전류가 한 방향으로만 흐르는 정류 작용을 하는 특성이 있다. 순방향 바이어스의 경우, p형 반도체 쪽의 정공과 n형 반도체 쪽의 전자가 접합면으로 이동하여 전류가 잘 흐르게 된다. 반면에 역방향 바이어스의 경우, p형과 n형 반도체 사이에 결핍층이 생겨 전류의 흐름이 차단된다. 순방향으로 전압을 가하면, 문턱전압을 넘어서면 전류가 급격히 증가한다. 실리...2024.12.01
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인천대 물리실험 정류실험2024.11.181. 정류회로 실험 1.1. 다이오드 특성 실험 1.1.1. 다이오드와 저항기 연결 다이오드와 저항기 연결 실험에서는 1k Ω 저항기와 다이오드를 이용한 직렬회로를 구성하여 동작 특성을 확인하였다. 이때 채널 A에는 다이오드에 걸리는 전압을, 채널 B에는 저항기에 걸리는 전압을 각각 연결하였다. Scope를 이용하여 Output Voltage, 저항기 전압, 다이오드 전압을 확인한 결과, 진폭이 가장 큰 순서대로 Output Voltage, 저항기 전압, 다이오드 전압이었다. 이는 다이오드에 걸리는 문턱전압(약 0.654 V)...2024.11.18
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