총 7개
-
교류및전자회로실험 실험1 결과보고서2024.09.201. 트랜지스터 특성실험 1.1. 트랜지스터의 동작 원리 트랜지스터의 동작 원리는 다음과 같다. 트랜지스터는 반도체 소자의 일종으로, 전기적 신호를 증폭하거나 스위칭하는 기능을 수행한다. 트랜지스터는 크게 바이폴라 접합 트랜지스터(Bipolar Junction Transistor, BJT)와 전계 효과 트랜지스터(Field Effect Transistor, FET)로 분류된다. 바이폴라 접합 트랜지스터는 에미터(emitter), 베이스(base), 콜렉터(collector) 세 개의 단자로 구성되어 있다. 에미터와 베이스,...2024.09.20
-
전자공학실험 4장2024.10.151. BJT 기본 특성 1.1. 실험 개요 바이폴라 접합 트랜지스터(BJT : Bipolar Junction Transistor)는 N형과 P형 반도체를 샌드위치 모양으로 접합한 구조로, 이미터, 베이스, 컬렉터라고 하는 3개의 단자로 구성된다. 베이스 단자의 전류가 컬렉터 단자의 전류나 이미터 단자의 전류에서 증폭되는 특성을 가지므로, 증폭기로 사용될 수 있다. 이 실험에서는 BJT의 기본적인 동작 원리를 살펴보고, 전류-전압 특성 및 동작 영역을 실험을 통하여 확인한다. 또한 BJT의 전류 증폭도 및 출력 저항을 측정을 통해 ...2024.10.15
-
전자공학실험 mosfet2024.10.151. 실험 목적 1.1. MOSFET의 기본 동작 특성 확인 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)은 전계효과를 이용하여 전류가 흐르는 반도체 소자이다. MOSFET은 전하를 공급하는 소스 단자(Source), 전하를 받아들이는 드레인 단자(Drain), 전류의 양을 조절하는 게이트 단자(Gate), 기판의 역할을 하는 바디 단자(Body)로 구성되어 있다. 게이트 전압을 변화시키면 드레인과 소스 사이의 전류가 변화하면서 증폭기로 동작할 수 있다. 이 실험에서는 ...2024.10.15
-
Project 결과보고서 인하대 기초실험22024.12.171. 2단 CS Stage 설계 1.1. 실험 과정 및 결과 1.1.1. 2단 CS Stage 회로 설계 2단 CS Stage 회로 설계는 다음과 같다. M1의 출력 전압은 커패시터를 거쳐 M2의 Gate에 연결된다. 이때 과 의 비율에 의해 voltage dividing을 수행한 전압이 M2의 Gate에 인가된다. 이 때 커패시터는 AC Coupling Capaciotor로 AC 신호만 통과시키는 역할을 하며 그 크기는 입출력 전압의 크기가 잘 관찰되는 10nF으로 설정하였다. 이렇게 M1의 출력 전압이 M2의 Gate에 인가...2024.12.17
-
전자 6장 bjt2025.03.111. 전자 6장 쌍극성 접합 트랜지스터(BJT) 특성 1.1. 실험 목적 BJT의 종류와 단자를 구분하는 방법을 알아보고 alpha와 beta값을 구하여 출력특성을 알아보는 것이 이번 실험의 목적이다. BJT는 바이폴라 접한 트랜지스터로 전자와 정공 두 가지 캐리어가 전류의 메커니즘에 관여하는 반도체 소자이다. NPN트랜지스터와 PNP트랜지스터의 두 가지 구조가 있으며, 중앙의 단자는 베이스이고 외부층은 각각 콜렉터와 에미터이다. 트랜지스터는 전류를 증폭시키는데 쓰이는데, 작은 전류가 베이스에 인가되면 컬렉터단에서 증폭이 된다...2025.03.11
-
BJT 기본특성 예비2025.04.081. 실험 개요 1.1. BJT의 기본 동작 원리 BJT는 N형과 P형 반도체를 샌드위치 모양으로 접합하여 만든 3단자 소자이다. 특히 베이스 단자에 흐르는 전류가 컬렉터와 이미터 단자의 전류를 증폭하는 특성이 있어 증폭기로 사용된다. BJT는 npn형과 pnp형 두 가지 구조로 나뉜다. npn형은 이미터가 N형, 베이스가 P형, 컬렉터가 N형이며, pnp형은 그 반대 구조이다. BJT에는 베이스-이미터 접합(EBJ)과 베이스-컬렉터 접합(CBJ)이 존재하며, 이 PN 접합의 바이어스 상태에 따라 4가지 동작 영역(차단, 능동...2025.04.08
-
전자회로실험 mosfet2025.05.081. MOSFET 기본 동작 원리 1.1. NMOS와 PMOS의 기본 동작 원리 NMOS는 전자의 흐름을 제어하는 스위치 역할을 한다. 게이트에 충분한 양의 전압을 가하면, p형 기판 표면에 있는 정공들이 밀려나고 전자들이 모여든다. 이로 인해 드레인과 소스 사이에 전자들의 통로인 '채널'이 형성된다. 이 채널을 통해 드레인에서 소스 방향으로 전자들이 이동하며, 이는 소스에서 드레인으로의 전류 흐름으로 나타난다. 반대로, PMOS는 정공의 흐름을 제어한다. 게이트에 충분한 음의 전압을 인가하면, n형 기판 표면의 전자들이 밀려...2025.05.08