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중앙대학교 아날로그및디지털회로설계실습 7차 예비보고서2025.01.041. 논리함수와 게이트 이 보고서에서는 다양한 논리 게이트의 기능을 실험적으로 이해하고자 합니다. XNOR, NAND, NOR, XOR 게이트의 회로도를 설계하고 진리표를 작성하여 그 특성을 분석합니다. 또한 AND 게이트와 OR 게이트의 입출력 시간 지연을 측정하는 방법을 조사하고 실험 계획을 수립합니다. 마지막으로 NAND 게이트의 최소 정격 전압을 구하는 방법과 2x4 디코더 회로를 설계하는 내용이 포함되어 있습니다. 1. 논리함수와 게이트 논리함수와 게이트는 디지털 회로 설계의 기본이 되는 중요한 개념입니다. 논리함수는 입력...2025.01.04
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Memory 세미나 내용, RAM ROM Flash NOR NAND2025.04.261. Memory의 종류 메모리에는 RAM, ROM, 자기 표면 기억장치, 반도체 기억장치 등 다양한 종류가 있다. RAM은 전원이 유지되는 동안만 사용 가능한 휘발성 메모리로 CPU의 연산이나 응용프로그램 로딩, 데이터 일시 저장 등에 이용된다. ROM은 전원 차단 이후에도 데이터가 유지되는 비휘발성 메모리로 BIOS, OS, 펌웨어 저장에 사용된다. 2. 반도체 기억장치의 구조와 동작 반도체 기억장치는 실제 정보가 저장되는 메모리 셀과 주소, 데이터, 제어 신호를 처리하는 주변 회로로 구성된다. 데이터 쓰기 시 주소 레지스터에서...2025.04.26
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서강대학교 디지털논리회로실험 2주차 - Digital Logic Gate2025.01.201. TTL 논리 게이트 TTL(Transistor-Transistor Logic)은 트랜지스터를 조합해 만든 논리 회로를 말한다. TTL 소자에서는 입력과 출력 신호의 전압 차이로 논리 레벨을 표현하며, 일반적으로 입력 신호가 2.0V 이상이면 논리 레벨 1, 0.8V 이하이면 논리 레벨 0으로 간주한다. 출력 신호의 경우 2.7V 이상이면 논리 레벨 1, 0.5V 이하이면 논리 레벨 0으로 간주한다. 이렇게 입력과 출력의 논리 레벨 전압 조건을 다르게 설정하는 이유는 회로에서 발생하는 노이즈로 인해 전압이 변화할 수 있기 때문이...2025.01.20