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중앙대학교 아날로그 및 디지털 회로 설계 실습 예비 보고서2025.01.041. Wien bridge RC 발진기 Wien bridge RC 발진기는 아날로그 및 디지털 회로 설계에서 널리 사용되는 신호 발생기입니다. 이 실습에서는 Wien bridge RC 발진기를 설계하고 제작하여 동작을 확인하였습니다. 발진 주파수 1.63 kHz에서 발진하도록 회로를 설계하였고, 시뮬레이션을 통해 출력 파형과 FFT 분석을 수행하였습니다. 또한 다이오드를 이용하여 출력 신호를 안정화하는 방법을 제시하였습니다. 1. Wien bridge RC 발진기 Wien bridge RC 발진기는 안정적이고 신뢰성 있는 발진기로,...2025.01.04
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중앙대학교 아날로그 및 디지털 회로 설계 실습 5차 예비보고서2025.01.041. 전압제어 발진기(VCO) 전압제어 발진기(VCO)를 설계하고 전압을 이용한 발진 주파수의 제어를 실험으로 확인하였습니다. 슈미트 회로와 적분기 회로를 결합하여 VCO를 구현하였으며, 입력 전압 VC에 따른 출력 주파수 f의 변화를 관찰하였습니다. 시뮬레이션 결과, VC가 증가함에 따라 f도 증가하는 경향을 보였으며, 고주파 영역에서는 비선형적으로 증가하는 것을 확인하였습니다. 또한 슈미트 회로의 저항비와 커패시터 값을 변화시키면서 출력 파형을 관찰하였습니다. 1. 전압제어 발진기(VCO) 전압제어 발진기(VCO)는 전자 회로 ...2025.01.04
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서82025.01.111. MOSFET Current Mirror 설계 이 실습에서는 N-type MOSFET을 이용하여 특정 reference 전류가 흐를 수 있는 단일 current mirror와 cascode mirror를 설계 및 측정하여, current mirror를 이용한 전류원의 전기적 특성을 이해하는 것이 목적입니다. 단일 current mirror 설계에서는 MOSFET의 특성을 이용하여 10mA의 전류원을 설계하고, 이를 시뮬레이션으로 확인합니다. 또한 cascode current mirror 설계에서는 단일 current mirror...2025.01.11
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[A+] 전자회로설계실습 10차 예비보고서2025.05.101. OP-Amp를 이용한 Oscillator (신호발생기) 설계 이 보고서는 OP-Amp를 이용한 Oscillator (신호발생기)를 설계하고 측정하여 positive feedback의 개념을 파악하고, 피드백 회로의 parameter 변화에 따른 신호 파형에 대해 학습하는 것을 목적으로 합니다. 설계 과정에서 OrCAD PSPICE를 사용하여 회로를 설계하고 시뮬레이션을 수행하였으며, 피드백 factor (β)와 피드백 저항 (R)의 변화에 따른 영향을 분석하였습니다. 1. OP-Amp를 이용한 Oscillator (신호발생기)...2025.05.10
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7주차 예비 보고서 17장 회로 모의 실험2025.05.011. PSIM과 OrCAD PSpice의 특징 비교 PSIM과 OrCAD PSpice는 회로 시뮬레이션 도구로 각각의 장단점이 있다. PSIM은 전력전자 회로 검증에 적합하며 고조파 및 파형 정보를 제공하지만 제한된 라이브러리와 사용자 친화적 인터페이스가 부족하고 간략화된 소자 모델로 인한 데이터 부정확성이 문제점으로 지적된다. 반면 OrCAD PSpice는 실제 모델을 사용하여 정확성이 높지만 연산 시간이 오래 걸리고 수렴 문제가 발생할 수 있다. 이러한 차이점을 고려하여 시뮬레이션 도구를 선택해야 한다. 2. DC Sweep 해...2025.05.01
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(22년) 중앙대학교 전자전기공학부 전자회로설계실습 예비보고서 4. MOSFET 소자 특성 측정2025.04.301. MOSFET 소자 특성 측정 이 보고서는 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 소자의 특성을 측정하고 분석하는 내용을 다루고 있습니다. 주요 목적은 MOSFET 소자의 문턱 전압(Vth), 전달 전도도(gm), 드레인 전류(Id) 등의 특성 파라미터를 데이터시트를 이용하여 계산하고, 시뮬레이션을 통해 검증하는 것입니다. 또한 특성 곡선을 도출하여 MOSFET 소자의 동작 특성을 분석하고자 합니다. 1. MOSFET 소자 특성 측정 MOSFET(Metal-Oxid...2025.04.30
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중앙대학교 아날로그 및 디지털 회로 설계 실습 예비 보고서2025.01.041. 초전형 적외선 센서 초전형 적외선 센서는 인체의 움직임을 감지하여 전압 변화를 발생시킵니다. 이 센서는 침입자 경보기와 자동 도어 센서 등에 사용되며, 접촉식 초전형 적외선 센서를 이용한 스크린 등의 다양한 터치 제품에도 활용되고 있습니다. 2. High-Pass Filter 설계 초전형 적외선 센서와 증폭기 사이에 신호를 전달하는 High-Pass Filter를 저항과 커패시터를 이용하여 설계하였습니다. High-Pass Filter는 저주파 영역의 신호를 차단하고 고주파 영역의 신호만 전달하는 필터입니다. 전달함수를 통해 ...2025.01.04
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전자회로설계실습 4번 예비보고서2025.01.201. MOSFET 소자 특성 측정 이 보고서는 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 소자의 특성을 측정하고 분석하는 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용은 MOSFET의 문턱전압(VT), 전류계수(kn), 전압이득(gm) 등의 파라미터를 데이터시트와 시뮬레이션을 통해 구하고 비교하는 것입니다. 또한 MOSFET 회로를 구성하고 시뮬레이션을 수행하여 입출력 특성을 분석하는 내용도 포함되어 있습니다. 1. MOSFET 소자 특성 측정 MOSFET(Metal-Oxide-Se...2025.01.20
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디지털집적회로 NAND, NOR, XOR gate 설계도 및 DC, Transient 시뮬레이션 결과2025.04.281. NAND gate NAND gate의 pull-down 네트워크는 VA와 VB가 모두 높을 때 도통하는 직렬 NMOS 트랜지스터로 구성되며, pull-up 네트워크는 병렬 PMOS 트랜지스터로 구성됩니다. NAND gate의 효과적인 pull-up/pull-down 저항은 단위 인버터의 저항과 같아야 합니다. NMOS 트랜지스터가 직렬로 연결되어 있어 효과적인 저항이 두 배가 되므로 크기가 단위 인버터의 두 배가 되어야 합니다. PMOS의 경우 최악의 경우인 하나의 PMOS만 켜지는 것을 고려하여 단위 인버터와 같은 크기로 설...2025.04.28
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중앙대 전자회로 설계 실습 예비보고서 4_MOSFET 소자 특성 측정2025.01.111. MOSFET 특성 parameter 계산 Data Sheet를 이용하여 MOSFET의 문턱전압 Vth와 포화전류 Id,sat을 구하였습니다. 문턱전압 Vth를 구할 때 필요한 수식과 수치를 자세히 설명하였고, Vgs=0.6V일 때의 Id 값도 계산하였습니다. 2. MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션 OrCAD를 이용하여 MOSFET 회로도를 설계하고, PSPICE로 Id-Vds 특성곡선을 시뮬레이션하였습니다. 시뮬레이션 결과를 이용하여 문턱전압 Vth와 포화전류 Id,sat을 구하고, 이를 Data Sheet 값과 비교하였...2025.01.11
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