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전자회로설계실습 4번 예비보고서2025.01.201. MOSFET 소자 특성 측정 이 보고서는 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 소자의 특성을 측정하고 분석하는 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용은 MOSFET의 문턱전압(VT), 전류계수(kn), 전압이득(gm) 등의 파라미터를 데이터시트와 시뮬레이션을 통해 구하고 비교하는 것입니다. 또한 MOSFET 회로를 구성하고 시뮬레이션을 수행하여 입출력 특성을 분석하는 내용도 포함되어 있습니다. 1. MOSFET 소자 특성 측정 MOSFET(Metal-Oxide-Se...2025.01.20
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디지털집적회로 NAND, NOR, XOR gate 설계도 및 DC, Transient 시뮬레이션 결과2025.04.281. NAND gate NAND gate의 pull-down 네트워크는 VA와 VB가 모두 높을 때 도통하는 직렬 NMOS 트랜지스터로 구성되며, pull-up 네트워크는 병렬 PMOS 트랜지스터로 구성됩니다. NAND gate의 효과적인 pull-up/pull-down 저항은 단위 인버터의 저항과 같아야 합니다. NMOS 트랜지스터가 직렬로 연결되어 있어 효과적인 저항이 두 배가 되므로 크기가 단위 인버터의 두 배가 되어야 합니다. PMOS의 경우 최악의 경우인 하나의 PMOS만 켜지는 것을 고려하여 단위 인버터와 같은 크기로 설...2025.04.28
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OP-amp 아날로그회로 설계 프로젝트2025.01.051. Folded-Cascode OP-Amp 설계 Folded-Cascode OP-Amp 설계에 대한 내용이 포함되어 있습니다. 회로 구조, 설계 과정, 사양 및 시뮬레이션 결과 등이 자세히 설명되어 있습니다. 이를 통해 Folded-Cascode OP-Amp의 특성과 설계 방법을 이해할 수 있습니다. 2. Charge Scaling DAC 설계 Charge Scaling DAC 설계에 대한 내용이 포함되어 있습니다. 회로 구조, 레이아웃, 시뮬레이션 결과 등이 자세히 설명되어 있습니다. 이를 통해 Charge Scaling DAC...2025.01.05
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전자전기컴퓨터설계1 결과보고서 4주차2025.05.041. PSpice 프로그램 사용법 PSpice는 ORCAD라고도 불리며 노트북으로 이용할 수 있는 전자설계 자동화 소프트웨어 도구입니다. 전자회로도나 인쇄회로기판 등을 설계하기 위해 전자회로 설계 공학자나 전자공학 기술자들에 의해 사용됩니다. 캡처, 피스파이스, 피시비 에디터 등 세 가지 주요 어플리케이션으로 구성됩니다. 2. 단순 전압/전류 분석 실제 회로 구성 결과 측정된 v1의 전압은 2.71V, v2의 전압은 2.02V, I의 전류는 0.0576mA였습니다. PSpice에서는 v1의 값이 2.667V, v2의 값이 2.000...2025.05.04
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아날로그및디지털회로설계실습 (예비)설계실습 11. 카운터설계 A+2025.01.291. 4진 비동기 카운터 4진 비동기 카운터의 동작을 설명하고, 1MHz의 구형파를 입력했을 때 Q1 신호의 주파수는 500kHz, Q2 신호의 주파수는 250kHz임을 확인하였다. 입력 신호, Q1 신호, Q2 신호의 파형을 그림으로 나타내었다. 2. 8진 비동기 카운터 버튼 스위치를 입력으로 사용하여 8진 비동기 카운터를 설계하였다. Q1, Q2, Q3 출력 신호에 LED를 연결하여 카운터의 상태를 확인할 수 있도록 하였다. 3. 10진 비동기 카운터 16진 비동기 카운터와 리셋 회로를 이용하여 10진 비동기 카운터를 설계하였다...2025.01.29
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RC & Circuit Simulator 실험 보고서2025.01.221. 축전기(Capacitor) 축전기는 특정한 정전 용량(커패시턴스, Capacitance)을 갖는 회로 소자로, 주로 두 개의 도체판으로 구성되어 있고 사이 공간은 얇은 절연체로 채워져 있다. 커패시턴스는 도체판의 면적을 넓히거나 두 판 사이의 간격을 작게 함으로써 증가한다. 도체판 표면에 전하가 저장되는데, 두 표면에 모이는 전하의 양은 같지만 부호는 반대이다. 2. 용량성 리액턴스(Capacitive reactance) 축전기에서의 전류 흐름을 방해하는 정도를 나타내는 수치로, X_C = -1/wC 로 나타낼 수 있으며 주파...2025.01.22
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[예비보고서]중앙대학교 아날로그및디지털회로설계실습 위상 제어 루프(PLL)2025.05.101. 위상 제어 루프(PLL) 위상 제어루프(PLL)는 전압제어 발진기의 출력 위상을 입력 신호의 위상과 비교하여 입출력의 위상 차이를 이용하여 전압제어 발진기를 제어하는 피드백 시스템이라고 할 수 있습니다. PLL의 경우 위상 검출기, 루프 필터, 가변 발진기 이 3가지로 구성되어 있으며, 통신 분야에서 폭 넓게 사용됩니다. 2. 위상 검출기 XOR를 이용한 위상 검출기의 경우 V1과 V2의 위상 차이가 변화에 따른 Vout전압의 평균값 특성은 이론부와 같이 주기적인 파형의 주기를 갖습니다. XOR를 이용한 위상 검출기는 대부분 ...2025.05.10
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서82025.01.111. MOSFET Current Mirror 설계 이 실습에서는 N-type MOSFET을 이용하여 특정 reference 전류가 흐를 수 있는 단일 current mirror와 cascode mirror를 설계 및 측정하여, current mirror를 이용한 전류원의 전기적 특성을 이해하는 것이 목적입니다. 단일 current mirror 설계에서는 MOSFET의 특성을 이용하여 10mA의 전류원을 설계하고, 이를 시뮬레이션으로 확인합니다. 또한 cascode current mirror 설계에서는 단일 current mirror...2025.01.11
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[A+] 중앙대학교 전자회로 설계실습 예비보고서 4. MOSFET 소자 특성 측정2025.04.291. MOSFET 소자 특성 측정 이 보고서는 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 소자의 특성을 측정하고 분석하는 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용은 다음과 같습니다: 1. MOSFET 소자의 특성 파라미터(문턱전압, 드레인 전류 등)를 데이터시트를 이용하여 계산하고 분석합니다. 2. MOSFET 회로를 구성하고 PSPICE 시뮬레이션을 통해 특성 곡선을 도출합니다. 3. 시뮬레이션 결과와 데이터시트 값을 비교하여 오차율을 분석합니다. 4. 실험 환경의 차이로 인...2025.04.29
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(22년) 중앙대학교 전자전기공학부 전자회로설계실습 예비보고서 4. MOSFET 소자 특성 측정2025.04.301. MOSFET 소자 특성 측정 이 보고서는 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 소자의 특성을 측정하고 분석하는 내용을 다루고 있습니다. 주요 목적은 MOSFET 소자의 문턱 전압(Vth), 전달 전도도(gm), 드레인 전류(Id) 등의 특성 파라미터를 데이터시트를 이용하여 계산하고, 시뮬레이션을 통해 검증하는 것입니다. 또한 특성 곡선을 도출하여 MOSFET 소자의 동작 특성을 분석하고자 합니다. 1. MOSFET 소자 특성 측정 MOSFET(Metal-Oxid...2025.04.30
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