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울산대학교 전기전자실험 12. JFET 특성 및 바이어스 회로2025.01.121. JFET 특성 및 바이어스 회로 이번 실험은 JFET의 바이어스에 따른 값들의 변화를 관찰하는 것이 목적입니다. 고정 바이어스 회로를 통해 I_DSS, V_P 값을 구하고, V_DS에 따른 I_D 값을 측정함으로써 특성곡선을 그리고, 전자회로 수업에서 배운 특성곡선과 비슷하게 그려진다는 것을 확인할 수 있었습니다. 다음 실험인 self-bias 회로에서는 V_G 값이 0이 되고 사용하는 부품의 개수가 적어 회로를 해석하는데 용이하다는 장점이 있습니다. voltage divider bias 회로에서는 R_1R_2에 전압이 분배되...2025.01.12
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교류및전자회로실험 실험6 제너다이오드와 응용회로 예비보고서2025.01.171. 제너 다이오드 제너 다이오드는 정방향에서는 일반 다이오드와 동일한 특성을 보이지만 역방향으로 전압을 걸면 일반 다이오드보다 낮은 특정 전압(항복 전압 혹은 제너 전압)에서 역방향 전류가 흐르는 소자이다. 제너 다이오드는 정전압을 얻을 목적으로 항복 전압이 크게 낮아지도록 설계되어 있으며, 전기 회로에 공급되는 전압을 안정화하기 위한 정전압원을 구성하는 데 많이 사용된다. 2. 제너 다이오드의 정전압회로 제너 다이오드를 사용한 가장 보편적인 응용은 정전압회로이다. 제너 다이오드를 부하에 병렬로 삽입하면 전원전압의 변화에 상관없이...2025.01.17
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트랜지스터의 직류 특성2025.05.151. 트랜지스터의 구조 트랜지스터는 이미터, 베이스, 콜렉터라고 불리는 3개의 서로 다른 단자로 구성되어 있으며 2개의 접합면을 형성하고 있다. 이들 두 접합면의 상호작용으로 트랜지스터 작용이 이루어진다. 트랜지스터는 npn 또는 pnp 구조로 구분된다. 2. 트랜지스터의 동작 모드 트랜지스터는 선형(활성) 모드, 차단 모드, 포화 모드, 불활성 모드 등 4개의 서로 다른 모드로 동작한다. 트랜지스터의 선형 모드는 베이스-이미터 접합은 순방향으로, 콜렉터-베이스 접합은 역방향으로 바이어스 된 상태에서 동작된다. 3. 트랜지스터의 전...2025.05.15
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JFET 특성2025.04.301. JFET JFET은 Junction Field Effect Transistor의 약자로써 접합형 전계효과 트랜지스터를 의미한다. JFET은 전류를 통해 제어하는 BJT와 달리 전압을 조절해 제어하는 소자이며, 또한 Majority carrier와 Minority carrier를 모두 이용하는 BJT와 달리 Majority carrier만 이용하는 Unipolar 소자이다. JFET은 N채널 형과 P채널 형으로 나뉘며, 각각의 단자는 Gate, Drain, Source라는 이름을 가진다. JFET의 작동원리는 Drain과 Sou...2025.04.30
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전자회로실험1 4번째 실험보고서2025.05.091. BJT 특성 실험 이 실험에서는 BJT 소자의 특성을 측정하고 분석하였습니다. 베타(β) 측정 실험을 통해 BJT의 베이스 전류 변화에 따른 컬렉터 전류 변화를 관찰하였고, 평균 베타 값을 약 230으로 측정하였습니다. 또한 VCE-IC 특성 곡선 실험을 통해 BJT의 컬렉터 특성 곡선을 실험적으로 결정하고 그래프로 나타내었습니다. 실험 결과 분석에서는 Early 효과로 인해 선형 근사 모델이 적합하지 않음을 확인하였고, 비선형 모델 적용이 필요함을 제안하였습니다. 1. BJT 특성 실험 BJT(Bipolar Junction ...2025.05.09
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교류및전자회로실험 실험9-1 트랜지스터 기초실험 예비보고서2025.01.171. 트랜지스터 트랜지스터는 N형 반도체와 P형 반도체를 NPN 혹은 PNP의 격층구조로 조합한 소자이고, Collector, Emitter, Base라고 하는 세개의 단자가 있다. 트랜지스터의 주단자는 Collector와 Emitter이며, 트랜지스터의 전류는 Collector에서 Emitter로 소자를 관통하여 흐르는 전류 IC를 말한다. 트랜지스터의 특성은 이들 두 변수 사이의 전압-전류 간 관계를 의미하며, base 단의 전류를 변화시킴으로써 특성곡선을 변화시켜 줄 수 있다. 따라서 base는 트랜지스터의 동작을 사용자가 제...2025.01.17
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트랜지스터 기초실험 결과보고서2025.01.201. 트랜지스터 동작 원리 실험을 통해 쌍극성 트랜지스터의 기본적인 동작 원리를 익히고, 트랜지스터 회로에서 부하선과 동작점의 개념을 이해하였다. 또한 트랜지스터의 특성곡선을 실험적으로 확인하였다. 2. 트랜지스터 특성곡선 실험 결과를 통해 트랜지스터의 특성곡선을 분석하여 동작 영역을 이해하고, 입력 전압과 출력 전압의 변화에 따른 트랜지스터의 동작 변화를 확인하였다. 3. 트랜지스터 동작점 실험에서 측정된 데이터를 통해 동작점에서의 전압과 전류의 상호 관계를 확인하고, 이를 토대로 트랜지스터가 올바르게 작동하는지를 파악하였다. 1...2025.01.20
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중앙대 전자회로 설계 실습 결과보고서4_MOSFET 소자 특성 측정2025.01.111. MOSFET 회로 제작 및 측정 설계실습 4 결과보고서. MOSFET 소자 특성 측정4. 설계실습 내용 및 분석 (결과 report 작성 내용)$ 4.1 MOSFET 회로의 제작 및 측정(A) 그림 1의 회로를 제작하여라. 이때, =1MΩ으로 설정한다. 또한, DC Power Supply를 회로에 연결 전에 =0V, =5V로 조정 후 Outp 후에 ut OFF 연결한다. 실제 실험사진구현회로(B) 를 1.0V부터 0.1V씩 높여가며 Power Supply의 를 인가하는 Port의 전류를 측정한다. 측정한 전류가 130mA이상이...2025.01.11
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트랜지스터를 이용한 회로 실험 결과 보고서2025.01.031. 트랜지스터의 동작 원리 이 실험에서는 트랜지스터의 기본적인 동작 원리와 3가지 동작 모드(선형 동작 영역, 포화 동작 영역, 차단 동작 영역)를 이해하고자 하였다. 트랜지스터의 증폭 특성을 확인하기 위해 이미터 공통 회로를 구성하고 전압, 전류 등을 측정하여 트랜지스터의 동작을 분석하였다. 또한 실제적인 이미터 공통 증폭기 회로를 구성하여 교류 신호에 대한 증폭 특성과 내부 저항을 계산하였다. 2. 트랜지스터 회로의 특성 곡선 및 부하선 실험 결과를 통해 트랜지스터 회로의 V_CE-I_C 특성 곡선과 부하선을 확인할 수 있었다...2025.01.03
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[A+인증] 회로실험 레포트 모음2025.01.231. 트랜지스터 특성 곡선 측정 이번 실험에서는 NPN형 트랜지스터에서 베이스의 전류에 따라 컬렉터의 전류가 달라짐을 관찰했습니다. 또한, 베이스에 걸리는 전류에 따른 컬렉터와 에미터 사이에 걸린 전류를 나타내는 특성 곡선을 도출했습니다. 실험 결과를 통해 트랜지스터의 증폭 작용은 베이스 전류에 의해 결정된다는 것을 알 수 있었습니다. 다만 일부 오차가 발생한 원인으로는 가변 저항 조정의 어려움, 도선 저항, 발열 현상 등을 들 수 있습니다. 1. 트랜지스터 특성 곡선 측정 트랜지스터 특성 곡선 측정은 전자공학 분야에서 매우 중요한...2025.01.23
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