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홍익대학교 전자회로2 Term project OPAMP 설계2025.05.151. 전자회로 설계 이 프로젝트에서는 주어진 샘플 값을 바탕으로 기본적인 특성을 도출하고, 이를 토대로 OPAMP 회로를 단계적으로 설계하고 최적화하는 과정을 다루고 있습니다. 주요 내용으로는 트랜지스터 사이즈 조정, 바이어스 전류 및 저항/커패시터 값 변경을 통한 이득, 대역폭, 전력 소비, 입력 오프셋 전압, 위상 여유 등의 조건 만족을 위한 회로 설계 과정이 포함되어 있습니다. 1. 전자회로 설계 전자회로 설계는 전자 기기와 시스템을 구현하는 데 있어 매우 중요한 역할을 합니다. 회로 설계 과정에서는 회로의 기능, 성능, 효율...2025.05.15
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기초실험2 결과보고서2025.01.291. 저항소자 및 써미스터 소자의 특성 실험을 통해 저항소자와 써미스터 소자의 저항값을 측정하였다. 저항소자는 10 kΩ의 저항값을 갖도록 제작되어 있으며, 실제 측정값도 이와 유사하였다. 그러나 써미스터 소자의 경우 10 kΩ에서 많이 벗어난 저항값이 측정되었는데, 이는 써미스터의 온도 의존성 때문이다. 온도계로 측정한 주변 온도를 참고하면 써미스터의 저항값 변화를 이해할 수 있다. 2. 저항소자와 써미스터 소자의 전압-전류 특성 저항소자와 써미스터 소자는 동일한 10 kΩ의 저항값을 갖지만, 열을 가했을 때 전압-전류 특성이 다...2025.01.29
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전자공학실험 4장 BJT 기본 특성 A+ 예비보고서2025.01.131. npn형 BJT의 기본 동작 원리 npn형 BJT는 'n형 반도체(Emitter)-p형 반도체(Base)-n형 반도체(Collector)'의 결합으로 이루어진 트랜지스터로, V_E와 V_B, V_C의 크기 관계에 따라 EBJ(이미터와 베이스 간 결합), CBJ(컬렉터와 베이스 간 결합)영역에서 다이오드가 순방향, 역방향으로 나뉘게 되어 총 4가지의 동작 영역이 존재한다. 즉 V_BE, V_CB의 크기를 조절함으로써 전류의 방향과 크기를 제어한다. 2. npn형 BJT의 4가지 동작 영역 npn형 BJT는 V_E와 V_B, V_...2025.01.13
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전자회로실험 A+ 7주차 결과보고서(BJT Amp Biasing)2025.05.101. BJT Amp Biasing 이 실험에서는 BJT 증폭기의 바이어싱 방법에 대해 학습하고 각 방법의 장단점을 비교했습니다. 실험에서 다룬 바이어싱 방법은 Simple Biasing, Resistive Divider Biasing, Resistive Divider Biasing with Emitter Degeneration, Self-biasing 등입니다. 각 방법의 특성을 실험 결과를 통해 확인했으며, 저항 값 변화에 따른 민감도, 안정성, 효율성 등을 분석했습니다. 실험 결과를 통해 BJT 증폭기 설계 시 적절한 바이어싱 ...2025.05.10
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트랜지스터 분해2025.05.121. 트랜지스터 트랜지스터는 전자 회로에서 신호 증폭, 스위칭 등의 기능을 수행하는 핵심 부품입니다. 이 자료에서는 npn 트랜지스터의 구조와 원리를 설명하고 있습니다. 트랜지스터는 emitter, collector, base의 3개 단자로 구성되어 있으며, 수지 케이스로 내부 부품을 보호하고 있습니다. 분해 결과 트랜지스터 내부에는 copper frame과 passivated die가 있음을 확인할 수 있었습니다. 1. 트랜지스터 트랜지스터는 현대 전자 기술의 핵심 구성 요소로, 전자 회로의 기본 단위입니다. 트랜지스터는 전기 신...2025.05.12
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전자회로실험 A+ 5주차 결과보고서(Bipolar Junction Transistor Characterization)2025.05.101. Bipolar Junction Transistor (BJT) BJT는 1948년 윌리엄 쇼클리에 의해 발명되었으며, 최초로 대량 생산된 트랜지스터입니다. BJT의 물리적 특성을 이해하는 것은 그 동작과 응용을 이해하는 데 핵심적입니다. 이 실험에서는 BJT의 4가지 동작 영역을 탐구하고 DC 전류 이득, Early 전압과 같은 특성값을 결정합니다. 실험에 사용된 트랜지스터는 NPN 소자인 2N3904입니다. 2. BJT 동작 영역 분석 실험에서는 VB와 VC를 변화시키면서 IC, β 등을 측정하여 BJT의 동작 영역을 확인했습...2025.05.10
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트랜지스터의 직류 특성2025.05.151. 트랜지스터의 구조 트랜지스터는 이미터, 베이스, 콜렉터라고 불리는 3개의 서로 다른 단자로 구성되어 있으며 2개의 접합면을 형성하고 있다. 이들 두 접합면의 상호작용으로 트랜지스터 작용이 이루어진다. 트랜지스터는 npn 또는 pnp 구조로 구분된다. 2. 트랜지스터의 동작 모드 트랜지스터는 선형(활성) 모드, 차단 모드, 포화 모드, 불활성 모드 등 4개의 서로 다른 모드로 동작한다. 트랜지스터의 선형 모드는 베이스-이미터 접합은 순방향으로, 콜렉터-베이스 접합은 역방향으로 바이어스 된 상태에서 동작된다. 3. 트랜지스터의 전...2025.05.15
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아주대학교 A+전자회로실험 실험7 결과보고서2025.05.091. Class-A 증폭기 Class-A 증폭기는 적당한 바이어스가 걸릴 때 신호의 최대 진폭에서 항상 모든 트랜지스터가 작동한다. 신호 파형의 distortion이 가장 작지만, 입력신호에 상관없이 항상 전류가 흐르기에 전력 효율이 낮다. 실험 결과를 토대로 이를 확인할 수 있다. DC bias의 측정값들이 실험 2, 3과 비교하면 큰 것을 알 수 있다. 이는 class-A 증폭기는 항상 bias 전류가 걸려 있기 때문이다. 따라서 전력 효율이 좋지 않다. 출력파형은 입력과 마찬가지로 삼각파인데, (+), (-) 신호의 반전이 생...2025.05.09
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전기기초실험 레포트 과제2025.05.111. 다이오드 다이오드는 전류를 한쪽으로만 흐르게 하는 정류작용을 하는 전자 부품이다. 다이오드의 전기 저항은 순방향에서 매우 작지만 역방향에서는 매우 크다. 다이오드는 교류를 직류로 변환하는데 사용된다. 다이오드는 비선형 전류-전압 특성을 가지고 있다. p-n 접합 다이오드는 반도체 기반의 전자회로를 구성하는 기본 단위이다. 2. 트랜지스터 트랜지스터는 3개의 반도체 층으로 구성된 능동 반도체 소자이다. NPN 트랜지스터의 경우, 이미터와 베이스 사이에 순방향 전압을 걸면 이미터에서 베이스로 전자가 주입되고, 베이스와 컬렉터 사이...2025.05.11
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건국대학교 전기전자기초실험2 트랜지스터3 예비레포트 결과레포트2025.01.291. 달링턴 증폭기 회로 달링턴 증폭기 회로를 LTspice로 구현하고, VCC에 10V를 인가하고 입력 전압 vin에 크기 1V, 주파수 1kHz를 설정하여 입력전압 및 출력전압 파형을 도시하였다. 첫 번째 트랜지스터의 Ib1과 두 번째 트랜지스터의 Ie2의 파형을 도시하고 증폭비를 계산하였다. 2. 푸시풀 증폭기 회로 푸시풀 증폭기 회로를 LTspice로 구성하고, Vin의 크기와 주파수를 변경하면서 입력 전압과 출력 전압 파형을 도시하였다. 브레드보드로 회로를 구현하고 오실로스코프로 입력전압 및 출력전압 파형을 관찰하였다. 1...2025.01.29
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