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전기전자공학실험-A급 및 B급 전력 증폭기 (2)2025.04.301. pnp형 트랜지스터 pnp형 트랜지스터는 npn형 트랜지스터와 방향이 반대이므로 회로를 구성할 때 주의해야 한다. 2. B급 증폭기 설계 B급 증폭기를 설계할 때 피크전압이 앞의 것과 똑같이 나타나 회로의 효율이 완벽하게 실험이 가능했다. 3. 출력 전력 계산 책에 나온 출력 전력을 사용할 때는 rms값인지, peak값인지, p-p값인지 주의하여 값을 계산해야 한다. 4. A급 증폭기 효율 A급 증폭기의 최대 효율 25%는 초과할 수 없다는 것을 확인했다. 5. B급 증폭기 다이오드 B급 증폭기의 다이오드 2개는 파형이 0.7...2025.04.30
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아주대학교 A+전자회로실험 실험7 결과보고서2025.05.091. Class-A 증폭기 Class-A 증폭기는 적당한 바이어스가 걸릴 때 신호의 최대 진폭에서 항상 모든 트랜지스터가 작동한다. 신호 파형의 distortion이 가장 작지만, 입력신호에 상관없이 항상 전류가 흐르기에 전력 효율이 낮다. 실험 결과를 토대로 이를 확인할 수 있다. DC bias의 측정값들이 실험 2, 3과 비교하면 큰 것을 알 수 있다. 이는 class-A 증폭기는 항상 bias 전류가 걸려 있기 때문이다. 따라서 전력 효율이 좋지 않다. 출력파형은 입력과 마찬가지로 삼각파인데, (+), (-) 신호의 반전이 생...2025.05.09
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전류원 및 전류거울 실험2025.01.021. 전류원 및 전류거울 이 실험에서는 트랜지스터의 특성을 이용하여 전류원과 전류거울 회로를 구현하고 그 특성을 분석합니다. 전류원 회로에서는 트랜지스터의 베이스-이미터 전압을 조정하여 원하는 DC 전류를 생성하고, 전류거울 회로에서는 두 개의 트랜지스터를 이용하여 기준 전류를 복사하는 방식으로 동일한 전류를 생성합니다. 이를 통해 전류원과 전류거울의 동작 원리와 특성을 이해할 수 있습니다. 1. 전류원 및 전류거울 전류원과 전류거울은 전자회로 설계에서 매우 중요한 역할을 합니다. 전류원은 일정한 전류를 공급하는 회로 소자로, 전압...2025.01.02
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반도체공정 과제2025.05.101. Comparison of conventional MOSFET and Fin FET MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)은 4개의 단자(source, drain, gate, 기판의 접지)로 구성되어 있으며 금속-산화물-반도체 구조로 이루어져 있습니다. 평면(2D) 구조를 가지고 있습니다. FinFET(Fin Field Effect Transistor)은 트랜지스터 모양이 물고기 지느러미를 닮아 붙여진 이름입니다. MOSFET의 집적도를 높이기 위해 채널 길이를 줄...2025.05.10
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홍익대학교 전자회로2 Term project OPAMP 설계2025.05.151. 전자회로 설계 이 프로젝트에서는 주어진 샘플 값을 바탕으로 기본적인 특성을 도출하고, 이를 토대로 OPAMP 회로를 단계적으로 설계하고 최적화하는 과정을 다루고 있습니다. 주요 내용으로는 트랜지스터 사이즈 조정, 바이어스 전류 및 저항/커패시터 값 변경을 통한 이득, 대역폭, 전력 소비, 입력 오프셋 전압, 위상 여유 등의 조건 만족을 위한 회로 설계 과정이 포함되어 있습니다. 1. 전자회로 설계 전자회로 설계는 전자 기기와 시스템을 구현하는 데 있어 매우 중요한 역할을 합니다. 회로 설계 과정에서는 회로의 기능, 성능, 효율...2025.05.15
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컴퓨터개론 ) 컴퓨터 발전의 역사를 간략하게 기술하고 각 세대별 컴퓨터의 특성을 기술2025.01.291. 컴퓨터 발전의 역사 컴퓨터의 발전은 기계식 계산기의 발전에서부터 시작했다. 1623년 독일의 빌헬름 시카드가 처음으로 기계식 계산기를 발명했으며, 이후 복잡한 아날로그식 계산기의 단점을 극복하기 위한 전자식 계산기 개발이 고안되었다. 영국의 찰스 배비지가 처음 기계식 디지털 계산기 '차분기관'을 발명했으며, 근대적 의미의 컴퓨터가 처음 고안되기 시작했다. 20세기 초에는 진공관과 튜링 기계 등의 기술적 발전을 바탕으로 1942년 아타나소프-베리(ABC) 컴퓨터가 처음 발표되었다. 이후 1946년 에니악(ENIAC) 컴퓨터가 발...2025.01.29
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전자회로실험 A+ 5주차 결과보고서(Bipolar Junction Transistor Characterization)2025.05.101. Bipolar Junction Transistor (BJT) BJT는 1948년 윌리엄 쇼클리에 의해 발명되었으며, 최초로 대량 생산된 트랜지스터입니다. BJT의 물리적 특성을 이해하는 것은 그 동작과 응용을 이해하는 데 핵심적입니다. 이 실험에서는 BJT의 4가지 동작 영역을 탐구하고 DC 전류 이득, Early 전압과 같은 특성값을 결정합니다. 실험에 사용된 트랜지스터는 NPN 소자인 2N3904입니다. 2. BJT 동작 영역 분석 실험에서는 VB와 VC를 변화시키면서 IC, β 등을 측정하여 BJT의 동작 영역을 확인했습...2025.05.10
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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 4 BJT 기본 특성)2025.01.291. NPN형 BJT의 동작 원리 NPN형 BJT는 이미터(emitter), 베이스(base), 컬렉터(collector)로 구성된 3단자 반도체 소자다. 이미터는 N형 반도체로 주로 전자를 공급하는 역할을 하고, 베이스는 얇은 P형 반도체로 전류 제어의 핵심 역할을 한다. 컬렉터는 N형 반도체로 이미터에서 방출된 전자를 모은다. 동작 원리는 베이스-이미터 전압(V_BE)과 컬렉터-이미터 전압(V_CE)에 따라 달라진다. 베이스에 약 0.7V(실리콘 기준)의 전압이 가해지면 베이스와 이미터 사이의 PN 접합이 순방향 바이어스가 되어...2025.01.29
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전자회로실험 A+ 7주차 결과보고서(BJT Amp Biasing)2025.05.101. BJT Amp Biasing 이 실험에서는 BJT 증폭기의 바이어싱 방법에 대해 학습하고 각 방법의 장단점을 비교했습니다. 실험에서 다룬 바이어싱 방법은 Simple Biasing, Resistive Divider Biasing, Resistive Divider Biasing with Emitter Degeneration, Self-biasing 등입니다. 각 방법의 특성을 실험 결과를 통해 확인했으며, 저항 값 변화에 따른 민감도, 안정성, 효율성 등을 분석했습니다. 실험 결과를 통해 BJT 증폭기 설계 시 적절한 바이어싱 ...2025.05.10
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침입자 경보기 회로 실험2025.04.281. 트랜지스터 트랜지스터를 이용하여 부저까지 전류가 흘러가면 부저가 작동되어 침입자가 들어오는 것을 알 수 있는 회로입니다. 트랜지스터의 베이스와 이미터 간의 전압이 0.6V 정도 되면 컬렉터와 이미터 간의 도통이 되어 전압강하가 0.1V로 낮아지고, 나머지 8.9V의 전압이 부저에 걸려 부저가 울리게 됩니다. 2. 회로 작동 원리 창문의 전선이 끊어졌을 때 트랜지스터의 베이스와 이미터 간의 전압이 0.6V 정도 되면 컬렉터와 이미터 간의 도통이 되어 전압강하가 0.1V로 낮아지고, 나머지 8.9V의 전압이 부저에 걸려 부저가 울...2025.04.28
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