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서강대학교 22년도 전자회로실험 10주차 결과레포트2025.01.131. MOSFET 소스 팔로워 소스 팔로어의 이론적인 전압이득은 1/gm이 작은 값이기에, 거의 1에 가까운 이득을 보인다. 바이어스가 포함된 소스 팔로어의 경우도, 소신호 등가회로를 이용해 전압이득을 계산할 수 있다. 실험 결과, 소스 팔로어의 전압이득을 측정해본 결과, 0.93이 나왔고, 이론값과 3.9%의 오차만 있어 소스 팔로어로서 잘 동작하고 있다고 할 수 있다. 2. 1단 증폭기 1단 증폭기는 등가회로로 생각할 수 있고, 이때 전압이득은 쉽게 구할 수 있다. 실험 결과, 1단 증폭기의 전압이득은 이론값 3.955와 측정값...2025.01.13
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서강대학교 22년도 전자회로실험 12주차 결과레포트2025.01.131. 주파수 응답 실험을 통해 주파수 응답 특성을 확인하였다. PSPICE 시뮬레이션을 통해 입력 신호의 주파수 변화에 따른 출력 신호의 변화를 관찰하였고, 실제 회로 구성을 통해 측정한 결과와 비교하였다. 저주파 대역 차단 주파수와 고주파 대역 차단 주파수를 측정하고 이론값과 비교하였으며, 오차 발생 원인을 분석하였다. 2. 능동 필터 샐런키 필터 회로를 PSPICE와 브레드보드로 구성하여 실험하였다. 입력 신호의 주파수 변화에 따른 출력 신호의 변화를 관찰하고, 통과 대역 이득과 고주파 대역 차단 주파수를 측정하여 이론값과 비교...2025.01.13
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교류및전자회로실험 실험 5-2 다이오드 정류회로 예비보고서2025.01.171. 반파정류회로 반파정류회로는 가장 간단한 형태의 정류회로로, 교류전원과 부하 사이에 다이오드를 직렬로 삽입한 형태입니다. 다이오드는 한 방향으로만 전류를 흘릴 수 있는 특성을 가지고 있어, 교류를 직류로 변환하는 데 사용됩니다. 이 회로에서 입력전압이 양인 구간에는 다이오드가 도통하여 부하에 전압이 인가되지만, 입력전압이 음인 구간에서는 다이오드에 의해 전류가 차단되어 부하에 전압이 인가되지 않습니다. 따라서 부하전압은 항상 0보다 크거나 같은 전압으로 되며, 평균적으로 직류가 됩니다. 2. 브릿지 정류회로 반파정류회로의 경우 ...2025.01.17
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MOSFET 바이어스 회로 실험 예비보고서2025.01.021. MOSFET 바이어스 회로 이 실험은 MOSFET 바이어스 회로를 구현하고 분석하는 것을 목적으로 합니다. 게이트 바이어스 회로와 베이스 바이어스 회로를 구성하고 각각의 회로에서 필요한 전압과 전류 값을 구하는 실험을 수행합니다. Pspice 시뮬레이션을 통해 회로를 분석하고 실험 결과를 예측합니다. 1. MOSFET 바이어스 회로 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)은 전자 기기에서 널리 사용되는 중요한 반도체 소자입니다. MOSFET 바이어스 회로는 MOSF...2025.01.02
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서42025.01.111. MOSFET 소자 특성 측정 이 보고서의 목적은 MOS Field-Effect Transistor(MOSFET) 소자의 특성(VT, kn, gm)을 Data Sheet를 이용하여 구하고, 설계, 구현하여 전압의 변화에 따른 전류를 측정하고, 이를 이용하여 소자의 특성을 구하는 것입니다. 준비물로는 DC Power Supply, Digital Multimeter, 연결선, Breadboard, MOSFET 소자, 저항 등이 필요합니다. 보고서에서는 MOSFET의 특성 parameter 계산, MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이...2025.01.11
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전자회로실험_A+레포트_BJT Common Emitter, Common Collector2025.01.131. NPN, PNP형 BJT 공통 이미터 증폭기 NPN, PNP형 BJT를 사용한 공통 이미터 증폭기의 회로 구성과 동작을 확인하였다. NPN형 BJT 공통 이미터 증폭기에서 동작점 전류는 IBQ 0.05 μA, ICQ 18.60 mA이고, VBEQ 1.960 V, VCEQ 12.98 V로 측정되었다. 전압이득 α는 0.99로 1에 가까운 값이 나왔다. 공통 이미터 증폭기는 부하저항이 높기 때문에 전류 증폭보다는 전압 증폭으로 사용한다. 2. NPN, PNP형 BJT 공통 컬렉터 증폭기 NPN, PNP형 BJT를 사용한 공통 컬렉...2025.01.13
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중앙대 전자회로 설계 실습 결과보고서2_Op Amp의 특성측정 방법 및 Integrator 설계2025.01.111. Op Amp의 특성 측정 이 실험에서는 Op Amp의 특성을 측정하고 분석하였습니다. Offset Voltage, Offset Current와 같은 Op Amp의 한계를 이해하고, Integrator 회로에서 발생하는 Slew-rate 현상을 실험적으로 측정하였습니다. 실험 결과를 이론값과 비교 분석하여 Op Amp의 내부 구조와 작동 원리에 대해 이해할 수 있었습니다. 2. Integrator 회로 설계 Integrator 회로를 설계하고 실험하였습니다. RF 값에 따른 출력 파형의 변화를 관찰하고, PSPICE 시뮬레이션 ...2025.01.11
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아주대 전자회로실험 A+ 실험1 결과보고서2025.05.091. 반전 연산 증폭기 실험1에서는 반전 연산 증폭기의 전압 이득에 따라 출력 전압이 작아지고 전압 이득 역시 작아지는 것을 확인하였다. 실험 결과 gain의 오차는 대부분 1% 이하로 작은 편이었지만, 전압 이득이 20000일 때는 1.5%의 오차가 발생하였다. 이는 저항 값의 오차 때문인 것으로 분석되었다. 2. 위상차 이론적으로 반전 연산 증폭기에서 입력 전압과 출력 전압의 위상 차이는 180°가 된다. 실험 결과 위상의 이론, simulation값과 실제 값과의 상대오차는 1% 미만으로 매우 작아, 위상차가 180°인 것을 ...2025.05.09
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A+받은 B급 푸시풀 전력증폭기 결과레포트2025.05.101. B급 푸시풀 전력 증폭기 본 실험은 NPN 트랜지스터 및 PNP 트랜지스터를 이용하여 푸시풀 전력 증폭기를 구성하였으며, 그 동작을 살펴보았다. 이론적으로 푸시풀 전력 증폭기는 입력전압의 양의 반주기에서 NPN 트랜지스터가 Active 영역에서 동작하며, 입력전압의 음의 반주기에서 PNP 트랜지스터가 Active 영역에서 동작한다. 실험 결과를 통해 NPN 트랜지스터와 PNP 트랜지스터의 동작 전압 및 오차율을 확인하였고, 크로스오버 왜곡 현상을 관찰할 수 있었다. 1. B급 푸시풀 전력 증폭기 B급 푸시풀 전력 증폭기는 오디...2025.05.10
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핵심이 보이는 전자회로실험 BJT의 바이어스 회로2025.05.161. NPN형 BJT의 전압분배 바이어스 회로 NPN형 BJT의 전압분배 바이어스 회로를 시뮬레이션하고 측정하여 동작점 전류와 전압을 분석하였습니다. 컬렉터 저항 R_C 값이 증가함에 따라 동작점이 0에 가까워지는 것을 확인하였습니다. 2. PNP형 BJT의 전압분배 바이어스 회로 PNP형 BJT의 전압분배 바이어스 회로를 시뮬레이션하고 측정하여 동작점 전류와 전압을 분석하였습니다. 컬렉터 저항 R_C 값이 증가함에 따라 동작점이 0에 가까워지는 것을 확인하였습니다. 3. NPN형 BJT의 자기 바이어스 회로 NPN형 BJT의 자기...2025.05.16
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