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소신호 전압 증폭 회로 실험 보고서2025.01.041. 소신호 신호 소신호(미약신호)는 센서신호, 수신된 통신신호, 생체신호, 물리/화학현상 신호와 같이 크기가 거의 잡음 수준인 신호를 말한다. 이러한 소신호를 증폭하기 위해서는 입력 및 출력 임피던스 개념을 고려해야 한다. 2. 공통 이미터(Common Emitter) 증폭기 공통 이미터 증폭기는 입력신호가 베이스 단자에 인가되고 컬렉터에서 출력신호가 나오도록 구성된 회로이다. 이 회로는 이미터 단자가 접지되어 입력과 출력에 공통단자 역할을 하므로 공통 이미터 증폭기라고 부른다. 이 증폭기는 저주파 전압 증폭, RF 트랜시버, 저...2025.01.04
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응용물리회로실험 - Transistor2025.05.071. pnp 트랜지스터 pnp 트랜지스터에서 에미터와 베이스의 접합은 순방향 다이오드와 유사하고, 컬렉터와 베이스의 접합은 역방향 바이어스 다이오드와 유사하다. 이 트랜지스터에는 두 개의 바이어스 전압이 인가되어 다수 캐리어와 소수 캐리어가 특정 방향으로 흐른다. 많은 양의 다수 캐리어가 p-n 접합을 통해 n형 물질로 확산되고, 가운데 있는 n형 물질은 매우 얇고 전도성이 낮아서 매우 적은 양의 캐리어만이 저항이 큰 경로를 통해 베이스 단으로 흐르게 된다. 1. pnp 트랜지스터 pnp 트랜지스터는 전자 회로에서 매우 중요한 역할...2025.05.07
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진공관을 이용한 AMP 제작 프로젝트2025.01.161. 진공관 AMP 제작 이 프로젝트는 진공관을 이용하여 AMP를 제작하는 것입니다. 팀명은 '지금 만들러 갑니다'로, 프로젝트를 즐겁게 진행하겠다는 의지를 표현합니다. 목표는 전자시스템 설계 및 구현 능력을 기르고 팀워크를 향상시키는 것입니다. 진공관을 선택한 이유는 성능이 좋고 제작이 수월하기 때문입니다. 회로 분석, 부품 배치, 시뮬레이션, 케이스 제작 등의 과정을 거쳐 최종적으로 완성된 AMP를 제작하였습니다. 1. 진공관 AMP 제작 진공관 AMP 제작은 매력적인 주제입니다. 진공관 기술은 현대 전자 기술의 기반이 되었으며...2025.01.16
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[A+]전자회로설계실습 예비보고서 42025.01.041. MOSFET 소자 특성 이 보고서의 목적은 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 소자의 특성인 문턱전압(VT), 전도도 계수(kn)를 데이터시트를 이용하여 구하고, 설계 및 구현을 통해 전압 변화에 따른 전류를 측정하여 소자의 특성을 분석하는 것입니다. 준비물로는 DC 전원 공급장치, 디지털 멀티미터, 연결선, 브레드보드, 점퍼 와이어 키트, MOSFET 소자(2N7000) 및 1kΩ 저항이 필요합니다. 실습 계획은 데이터시트를 활용하여 VT와 kn을 구하고, ...2025.01.04
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능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기의 실험 결과2025.01.021. 공통 소오스 증폭기 공통 소오스 증폭기는 NMOS와 PMOS 트랜지스터를 사용하여 구성된 증폭기 회로입니다. 이 실험에서는 능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기의 특성을 측정하고 분석하였습니다. 실험 결과에 따르면, 입력 전압이 0~3V 범위에서 출력 전압이 일정하게 유지되다가 4V 이상에서 급격히 감소하는 것을 확인할 수 있었습니다. 또한 전압 이득은 약 85V/V로 측정되었습니다. 이러한 결과는 회로 구성 요소의 특성, 바이어싱, 주파수 응답 등 다양한 요인에 의해 영향을 받는 것으로 분석됩니다. 1. 공통 소오스 증폭기 ...2025.01.02
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[A+]전자회로설계실습 예비보고서 62025.01.041. 게인(Gain) 게인은 출력이 입력과 닮은꼴일 때만 의미가 있다. 그러나 입력전압이 10 mVpp인 경우 출력파형이 왜곡되므로 게인의 의미가 없어진다. 입력신호의 크기를 줄이기 위해 입력단자와 접지 사이에 50 Ω보다 작은 저항 Ri를 연결한 회로에 대해 분석할 필요가 있다. 1. 게인(Gain) 게인은 전자 회로에서 매우 중요한 개념입니다. 게인은 입력 신호의 크기를 증폭시켜 출력 신호의 크기를 늘리는 것을 의미합니다. 이를 통해 약한 신호를 강화할 수 있어 다양한 전자 장치에서 활용됩니다. 예를 들어 오디오 증폭기에서는 게...2025.01.04
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공통 소오스 증폭기 실험 결과 보고서2025.01.021. 공통 소오스 증폭기 이번 실험에서는 공통 소오스 증폭기 회로를 구현하고 실험을 진행했습니다. 실험 과정에서 이상과 현실의 차이, 장비의 한계 등으로 인해 교재의 실험 절차와 다른 방식으로 실험을 진행했습니다. 입력 전압을 변화시키면서 출력 전압을 측정하여 전압 이득을 계산했고, 입출력 임피던스도 구했습니다. 실험 결과, 약 10.6배의 전압 이득이 발생했으며, 입출력 임피던스 계산 시 약 20%의 오차가 발생했습니다. 이는 AC 전압 인가 시 전류 측정의 어려움 때문인 것으로 보입니다. 또한 바이어스 회로를 포함한 공통 소오스...2025.01.02
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소오스 팔로워 실험 결과 보고서2025.01.021. 소오스 팔로워 증폭기 소오스 팔로워 증폭기는 전압 이득이 1에 가까운 버퍼 증폭기로 사용됩니다. 이는 입력 임피던스에 비해 매우 낮은 출력 임피던스를 가지고 있어, 신호 전달 시 손실이 거의 발생하지 않아 버퍼 이득이 크다는 장점이 있습니다. 또한 소자의 개수를 줄일 수 있어 비용 절감 효과도 있습니다. 이러한 장점들로 인해 소오스 팔로워가 전압 증폭기로 사용됩니다. 1. 소오스 팔로워 증폭기 소오스 팔로워 증폭기는 전자 회로에서 매우 중요한 역할을 합니다. 이 회로는 입력 신호를 증폭하고 부하에 대한 영향을 최소화하여 출력 ...2025.01.02
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디지털 회로 실험 및 설계 - 74LS192를 이용한 Up-Down Counter 실험 22025.05.161. 74LS47 74LS47은 이진 부호화된 4비트 BCD(Binary-Coded Decimal) 입력을 받아서 해당하는 7-세그먼트 LED 디스플레이를 제어하기 위한 7개의 출력을 생성하는 소자입니다. 이 소자를 이용하여 7-세그먼트를 효율적으로 제어할 수 있었습니다. 2. 74LS192 74LS192는 4비트 동기 카운터 칩으로, 디지털 회로에서 주로 사용되며 카운트를 증가 또는 감소시키기 위한 입력 신호를 받는 특징을 가지고 있습니다. 이 소자와 스위치를 이용하여 순차적으로 카운트를 증가 또는 감소시킬 수 있었습니다. 3. ...2025.05.16
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비4. MOSFET 소자 특성 측정 A+2025.01.271. MOSFET 특성 parameter 계산 데이터시트를 이용하여 문턱전압 Vt와 전달 특성 계수 K를 구하였다. 문턱전압 Vt는 2.1V이며, 전달 특성 계수 K는 수식을 활용하여 계산한 결과 0.223 V/A^2이다. 또한 Vt=2.1V일 때 드레인 전류 Id를 계산하였고, 그 값은 45.6mA이다. 2. MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션 OrCAD PSPICE를 이용하여 MOSFET 2N7000 회로도를 설계하였다. 게이트 전압 Vg를 0V에서 5V까지 0.1V 간격으로 변화시키며 Id-Vds 특성곡선을 시뮬레이션하였다...2025.01.27
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