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[A+]건국대 전기전자기초실험1 3주차 결과보고서2025.01.151. 온도에 따른 전기저항의 변화 본 실험에서는 온도에 따라 전기저항의 크기가 변화하는 것을 실험적으로 확인하고자 한다. 입력 전압이 증가하면 전류도 증가할 것이며 이에 따라 저항이 변화한다. 이러한 현상은 온도와 관련이 있다. 대부분의 물질은 온도가 상승함에 전기 저항이 증가한다. 따라서 주어진 전압 또는 전류에서 저항이 온도에 따라 변화한다. 2. 등가저항을 이용한 등가회로 본 실험에서는 여러 개의 저항으로 이루어진 회로의 등가저항을 이론적으로 계산하고 실제 회로의 간략화된 등가회로를 구성하여 그 차이점을 실험적으로 알아보고 원...2025.01.15
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[A+]건국대 전기전자기초실험1 5주차 결과보고서2025.01.151. 반전 가산 증폭기 실험을 통해 반전 가산 증폭기 회로를 구성하고, V3와 V4를 변경하며 모의실험 결과와 실제 실험 결과를 비교하였습니다. 실험 결과는 모의실험 결과와 유사하게 나타났습니다. 2. 비반전 가산 증폭기 실험을 통해 비반전 가산 증폭기 회로를 구성하고, V3와 V4를 변경하며 계산 결과, 모의실험 결과, 실제 실험 결과를 비교하였습니다. 실험 결과는 계산 결과와 모의실험 결과와 유사하게 나타났습니다. 3. 차동 증폭기 실험을 통해 차동 증폭기 회로를 구성하고, 공통전압 V3에 1V를 인가하여 출력 전압을 측정하였습...2025.01.15
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PN 접합 다이오드 특성곡선 측정과 기준전압 예비레포트2025.05.031. PN 접합 다이오드 특성곡선 측정 이 실험의 목적은 전압과 전류 사이에 Ohm의 법칙이 성립하지 않는 다이오드의 비선형 관계를 측정하고, 다이오드의 동작 원리를 이해하는 것입니다. 실험에서는 다이오드의 순방향 및 역방향 특성을 측정하고, 이를 통해 다이오드의 동작 원리를 설명합니다. 2. 다이오드 직렬 및 병렬 연결 이 실험의 목적은 특성이 다른 다이오드를 직렬 및 병렬로 연결했을 때의 각 다이오드의 동작을 이해하고, 이를 바탕으로 다이오드 응용 회로를 해석할 수 있는 능력을 개발하는 것입니다. 실험에서는 직렬 및 병렬로 연결...2025.05.03
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A+맞은_전기전자기초실험2_일반실험2_결과보고서_다이오드특성실험(누설전류,turn-off과도응답,trr측정)2025.05.101. 실리콘 다이오드의 순방향 바이어스 특성 실리콘 다이오드의 V-I 특성곡선을 통해 장벽전위와 항복전압을 확인하였다. 측정값에서 0.1V단위로 전류증가량을 계산했을 때 0.7V에서 0.8V로 넘어갈 때부터 전류증가량이 선형으로 증가함을 확인했다. 0.01V단위로 측정해본결과 약 0.66V가 좀 더 정확한 장벽전위임을 확인했다. 오차의 원인으로는 전류계의 내부저항, 온도 차이 등이 있었다. 2. 실리콘 다이오드의 역방향 바이어스 특성 실리콘 다이오드의 역방향 바이어스 인가 시 누설전류를 측정하였다. PSpice를 이용한 모의실험 결...2025.05.10
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건국대학교 전기전자기초실험2 트랜지스터2 예비레포트 결과레포트2025.01.291. 트랜지스터 증폭 회로 종류 양극성 트랜지스터 증폭 회로는 고전압 신호와 전류를 증폭할 때 사용되며, 공통 증폭 회로는 이미터, 베이스, 컬렉터 중 하나가 공통으로 연결된다. 스위치 증폭 회로는 트랜지스터를 스위치로 사용하여 디지털 신호를 증폭한다. 2. 트랜지스터 공통 이미터 증폭기 회로의 바이어스 방법 트랜지스터 공통 이미터 증폭기 회로에서는 베이스-이미터 접합에 양의 전압(VBE)을 가하고, 바이어스 전압을 조절하여 베이스 전류를 원하는 값으로 설정한다. 그 후 컬렉터 전압을 VBE보다 크게 설정하고, 저항을 이용하여 트랜...2025.01.29
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건국대학교 전기전자기초실험2 연산증폭기3 예비레포트 결과레포트2025.01.291. 영전위 검출 회로 그림 1-1의 영전위 검출 회로에서 (-) 반주기 전압이 출력되려면 회로를 수정하여 +5V에 연결된 50k옴 저항을 -5V에 연결하거나, +와 -단자를 반대로 연결하면 된다. 2. 윈도우 비교기 회로 그림 2의 윈도우 비교기 회로에서 입력 전압이 -0.1~0.1V일 때 출력 전압이 High가 되도록 하려면 위쪽 비교기와 아래쪽 비교기에 모두 전압분배로 0.1V가 걸리도록 저항을 바꿔주면 된다. 또는 저항을 49k, 1k옴으로 설정하여 비교기에 걸리는 전압을 조절할 수 있다. 3. 슈미트 트리거 회로 그림 3의...2025.01.29
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[A+] 건국대 전기전자기초실험1 6주차 예비보고서 및 결과보고서2025.01.151. 중첩의 원리 중첩의 원리는 여러 개의 독립 전원을 포함하고 있는 회로에서, 회로 내의 어떤 점에서의 전류 또는 전압은 각 독립 전원이 단독으로 있을 때의 성분의 대수적인 합과 같다는 것이다. 이때 해당 전원을 제외한 나머지 독립전원들은 전압원이면 단락회로, 전류원이면 개방회로 대체된다. 1개의 전원만 인가된 상태로 응답을 구하는 과정을 반복하면서 각 전원에 의한 방향을 고려하여 중첩함으로써 모든 전원에 의한 응답을 구한다. 2. 테브난 등가회로 테브난의 정리는 회로를 독립적인 전압원 하나와 저항 하나가 직렬로 연결된 등가회로로...2025.01.15
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건국대학교 전기전자기초실험2 펄스폭변조회로 결과레포트2025.01.291. 레벨 쉬프트 회로 실험 1에서는 레벨 쉬프트 회로를 구성하고, 입력 전압(함수발생기)과 출력 전압(오실로스코프)을 관찰하였습니다. VDC를 0.5V와 1V로 변경하면서 출력 파형의 변화를 확인하였습니다. 2. 펄스 폭 변조 회로 실험 2에서는 펄스 폭 변조 회로를 구성하고, 삼각파 입력 전압(Vtri)과 출력 전압(Vout)을 관찰하였습니다. VREF 전압을 0.5V, 1.0V, 1.5V, 2.0V, 2.5V로 변경하면서 출력 파형의 변화를 확인하였습니다. 3. 펄스 폭 변조 회로 2 실험 3에서는 레벨 쉬프트 회로와 펄스 폭...2025.01.29
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건국대학교 전기전자기초실험2 연산증폭기2 예비레포트 결과레포트2025.01.291. 전압 팔로워 회로 전기전자기초실험2 레포트 – 연산증폭기 2학번이름모의실험 1. 전압 팔로워 회로그림 1-1, 1-2의 회로를 LTspice로 구현하시오. (연산증폭기 Universal Opamp)그림 1-1 전압 분배 회로그림 1-2 전압 팔로워가 포함된 분배 회로모의실험을 위해 구성한 LTspice 회로 사진을 첨부한다. 그림 1-1 회로에서 입력 전압을 5V, 1kHz 정현파를 인가하고 입력 전압 Vin과 Vout의 전압의 파형을 도시하시오.그림 1-2 회로에서 입력 전압을 5V, 1kHz 정현파를 인가하고 입력 전압 V...2025.01.29
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6주차 예비 보고서 4장 테브냉 및 노튼의 정리 (2)2025.05.011. 테브냉의 정리 테브냉의 정리는 임의의 구조를 갖는 능동회로망에서 회로 내의 임의의 두 단자 A, B를 선택하고 이 단자에 대하여 외부에서 보았을 때 등가적으로 하나의 전압원 V_TH와 직렬로 연결된 하나의 저항 R_TH로 대치할 수 있다는 것이다. 여기서 등가전압 V_TH는 주어진 회로망의 단자 A, B를 개방했을 때의 단자 A, B에 나타나는 전압과 같고, 등가저항 R_TH는 주어진 회로망의 모든 전원을 제거하고 단자 A, B에서 회로망 쪽으로 본 저항과 같다. 2. 노튼의 정리 노튼의 정리는 임의의 구조를 갖는 능동회로망에...2025.05.01
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