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[전자회로실험] 반전 적분기 결과보고서2025.05.101. 반전 적분기 실험 실험에서는 741 연산 증폭기, 전원 전압 V+ = 15V, V- = -15V, 저항 R = 10kΩ, 커패시터 C = 0.1㎌로 구성된 반전 적분기 회로를 브레드보드에 구현하였다. 입력 신호는 피크간 전압 10V, 평균 전압 0V, 주파수 1kHz의 대칭 구형파를 사용하였다. 입력 신호와 출력 신호를 오실로스코프로 측정하고 이론적 계산 결과와 비교하였다. 또한 커패시터와 병렬로 큰 저항 200kΩ을 연결하여 오프셋 전압 문제를 해결하는 실험을 진행하였다. 2. 주파수 영역 분석 주파수 영역 분석에서는 입력 ...2025.05.10
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[A+] Op Amp를 이용한 다양한 Amplifier 설계2025.05.161. 센서 측정 및 등가회로 센서의 Thevenin 등가회로를 구하는 과정을 기술하고 PSPICE로 그려서 제출한다. 센서의 Thevenin 등가회로를 구현하기 위해 Function generator의 출력을 설정하는 방법을 설명한다. 2. Inverting Amplifier 설계와 시물레이션 주파수가 2KHz인 센서의 출력을 Inverting Amplifier를 사용하여 증폭하는 방법을 설명한다. 3. Non-inverting Amplifier 설계와 시물레이션 주파수가 2KHz인 센서의 출력을 Non-inverting Ampli...2025.05.16
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디지털 회로 실험 및 설계 - JK Flip Flop, D, T Flip Flop 실험 12025.05.161. D 플립플롭 D 플립플롭은 1개의 입력(D)과 2개의 출력(Q, Q') 및 CK를 가지고 있다. 입력 D와 출력 Q는 항상 같으며, 이는 데이터를 기록하는 것과 같아서 D 플립플롭이라는 이름이 붙었다. D 플립플롭 IC 패키지의 특징은 입력이 두 번째, 출력이 다섯 번째와 여섯 번째에 있다. 2. JK 플립플롭 JK 플립플롭은 입력 J와 K가 모두 1일 때, 출력 Q와 Q'의 논리 레벨이 바뀌는 토글(Toggle)이 일어난다. JK 플립플롭 IC 패키지의 특징은 전원이 5번 핀, 그라운드가 13번 핀이다. 3. T 플립플롭 T...2025.05.16
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전자회로설계 및 실습6_설계 실습6. Common Emitter Amplifier 설계_예비보고서2025.01.221. Common Emitter Amplifier 설계 Rsig = 1 Ω, RL = 2 kΩ, VCC = 12 V인 경우, β = 100인 NPN BJT를 사용하여 Rin이 kΩ단위이고 amplifier gain(Av)이 -100 V/V인 emitter 저항사용한 Common Emitter Amplifier를 설계, 구현, 측정, 평가한다. 설계 과정에서 Early effect를 무시하고 이론부의 overall voltage gain Gv 식을 사용하여 RC를 결정하고, Rin, IC, IB, IE, VC, VE, VB, RE, ...2025.01.22
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Voltage Regulator 설계 예비보고서2025.04.271. 직류전압공급기(DC Power Supply) 설계 이 보고서의 목적은 교류전원으로부터 직류전압을 얻는 기본적인 직류전압공급기(DC Power Supply)를 설계, 구현, 측정, 평가하는 것입니다. 이를 위해 정류회로와 필터 회로를 사용하여 직류 전압을 생성하고, 오프셋 전압과 슬루율 등의 특성을 분석합니다. 설계 과정에서 수식을 이용하여 부하 전압의 최대치와 리플 전압을 계산하고, PSPICE 시뮬레이션을 통해 결과를 검증합니다. 2. 정류 회로 설계 이 보고서에서는 1:1 변압기와 다이오드를 이용한 정류 회로를 설계합니다....2025.04.27
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실험 04_BJT 기본 특성 예비 보고서2025.04.271. BJT의 기본 동작 원리 BJT는 N형과 P형 반도체를 샌드위치 모양으로 접합한 구조로, 이미터, 베이스, 컬렉터라는 3개의 단자로 구성된다. 베이스 단자의 전류가 컬렉터 단자의 전류나 이미터 단자의 전류에서 증폭되는 특성을 가지므로, 증폭기로 사용될 수 있다. 이 실험에서는 BJT의 기본적인 동작 원리를 살펴보고, 전류-전압 특성 및 동작 영역을 실험을 통하여 확인한다. 2. BJT의 동작 영역 BJT는 모형과 n형 반도체 3개를 결합하여 만든 소자로서, 그 구성에 따라서 npn형과 pnp형으로 나뉜다. npn형 BJT의 동...2025.04.27
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실험 09_MOSFET 기본 특성 예비 보고서2025.04.271. MOSFET 동작 원리 MOSFET은 전계 효과(field effect)를 이용하여 전류가 흐르는 소자이며, 전하를 공급하는 소오스 단자, 전하를 받아들이는 드레인 단자, 전류의 양을 조절하는 게이트 단자, 기판의 역할을 하는 바디 단자로 구성되어 있다. 게이트 전압을 바꾸면 드레인에서 소오스로 흐르는 전류가 바뀌면서 증폭기로 동작할 수 있다. NMOS와 PMOS의 구조와 동작 원리가 서로 반대이지만 기본적인 동작 원리는 동일하다. 2. MOSFET 동작 영역 MOSFET에는 차단 영역, 트라이오드 영역, 포화 영역의 세 가지...2025.04.27
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실험 13_공통 게이트 증폭기 예비 보고서2025.04.271. 공통 게이트 증폭기 공통 게이트 증폭기는 입력 임피던스가 작아 전류를 잘 받아들이는 특성이 있다. 이 실험에서는 공통 게이트 증폭기의 동작 원리를 살펴보고, 증폭기의 전압 이득 및 특성을 실험을 통하여 확인하고자 한다. 2. 공통 게이트 증폭기의 전압 이득 공통 게이트 증폭기의 전압 이득은 소오스 축퇴 저항이 있는 공통 소오스 증폭기와 같고, 위상만 반대임을 알 수 있다. 3. 공통 게이트 증폭기의 입력 임피던스 공통 게이트 증폭기의 입력 임피던스는 공통 소오스 증폭기에 비해서 매우 작음을 알 수 있다. 이를 이용하면 별도의 ...2025.04.27
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실험 24_연산 증폭기 응용 회로 2 예비보고서2025.04.281. 연산 증폭기 응용 회로 이 실험에서는 연산 증폭기를 이용한 응용 회로를 분석하고 설계할 수 있는 능력을 배양하고자 한다. 연산 증폭기를 이용하여 미분기 및 적분기 등의 피드백 회로를 구성하고, 연산 증폭기의 특성이 응용 회로에 미치는 영향을 파악한다. 2. 적분기 회로 입력에서 저항 R을 통해 음의 단자쪽으로 흐르는 전류 i_1이 피드백 커패시터 C를 통과하면서 출력 전압 v_o가 형성된다. 입력과 출력 사이의 전달 함수가 주파수 축에서 저대역 통과 필터의 특성을 보인다. 3. 미분기 회로 입력에서 커패시터 C를 통해 음의 단...2025.04.28
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중앙대 전자회로 설계 실습 예비보고서 6_Common Emitter Amplifier 설계2025.01.111. Emitter 저항을 삽입한 Common Emitter Amplifier 설계 설계실습 6. Common Emitter Amplifier 설계에서 Emitter 저항을 사용한 Common Emitter Amplifier 회로를 설계하고자 합니다. Early effect를 무시하고 이론부의 overall voltage gain 식을 이용하여 부하저항에 최대전력이 전달되도록 부하저항을 결정하고, 이를 바탕으로 필요한 저항 값들을 계산합니다. 또한 PSPICE 시뮬레이션을 통해 출력파형을 분석하고 증폭기의 특성을 확인합니다. 2. ...2025.01.11
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