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전자공학실험 20장 연산 증폭기 응용 회로 A+ 예비보고서2025.01.131. 연산 증폭기 응용 회로 이 실험에서는 연산 증폭기를 이용한 응용회로를 분석하고 설계할 수 있는 능력을 배양하고자 한다. 연산 증폭기를 이용하여 비반전 증폭기, 반전 증폭기, 아날로그 전압 덧셈기 등의 피드백 회로를 구성하고, 연산 증폭기의 특성이 응용 회로에 미치는 영향을 파악한다. 2. 반전 증폭기 실험회로 1과 같이 반전 증폭기를 구성하고, 입력 전압의 크기를 변화시키면서 출력 전압과 전압 이득을 측정한다. 이상적인 연산 증폭기와 실제 연산 증폭기의 경우 입력과 출력 사이의 전달 함수를 구하고, PSpice 시뮬레이션을 통...2025.01.13
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전자회로설계 및 실습4_설계 실습4. MOSFET 소자 특성 측정_예비보고서2025.01.221. MOSFET 소자 특성 측정 이 보고서의 목적은 MOS Field Transistor(MOSFET) 소자의 특성(VT, kn, )을 Data Sheet를 이용하여 구하고, 설계, 구현하여 전압의 변화에 따른 전류를 측정하고, 이를 이용하여 소자의 특성을 구하는 것입니다. 보고서에는 MOSFET의 특성 parameter 계산, MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션, PSPICE를 이용한 특성 곡선 도출 및 분석 등의 내용이 포함되어 있습니다. 1. MOSFET 소자 특성 측정 MOSFET(Metal-Oxide-Semicondu...2025.01.22
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전자회로설계실습 9번 예비보고서2025.01.201. Series-Shunt 피드백 증폭기 설계 전원 전압원을 12V로 고정하고 입력저항 및 부하저항을 1kΩ, 피드백 저항을 계산하여 설정하였다. 입력 전압을 0V에서 +6V까지 변화시키며 부하저항 양단의 출력전압 변화를 관찰하였다. 입력저항을 10kΩ, 부하저항을 100Ω으로 변경하여 동일한 실험을 반복하였다. 두 경우의 transfer characteristic curve를 비교 분석한 결과, 입력저항과 부하저항은 feedback amplifier gain에 영향을 주지 않아 동일한 결과가 나타났다. 또한 전원 전압원을 0V에...2025.01.20
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Common Emitter Amplifier 설계 예비보고서2025.04.271. Common Emitter Amplifier 설계 이 보고서는 R_{sig} =50 ohm, R_{L} =5k ohm, V_{CC} =12V 인 경우, B=100인 NPN BJT를 사용하여 R_{in}이 k ohm 단위이고 amplifier gain(v_{o} /v_{in})이 -100V/V이며 emitter 저항 사용한 Common Emitter Amplifier를 설계, 구현, 측정, 평가하는 내용을 다루고 있습니다. 보고서에는 회로 설계, 시뮬레이션, 측정 및 특성 분석 등의 내용이 포함되어 있습니다. 1. Common ...2025.04.27
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Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 예비보고서2025.04.271. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 이 보고서의 목적은 이전 실험에서 설계한 emitter 저항을 사용한 Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 및 커패시터들의 영향을 측정하고 평가하는 것입니다. 보고서에는 PSPICE 시뮬레이션을 통한 출력 파형 분석, 주파수 특성 그래프 작성, 3dB 주파수와 unity gain 주파수 측정 등의 내용이 포함되어 있습니다. 또한 증폭기 이득, 전압 이득 등의 특성 변화를 분석하고 그 이유를 설명하고 있습니다. 1. Common Emitter Amp...2025.04.27
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실험 02_정류회로 예비 보고서2025.04.271. 정류회로 정류회로는 교류 전압을 직류 전압으로 변환하는 중요한 회로입니다. 반파 정류회로, 전파 정류회로, 브리지 정류회로 등 다양한 정류회로 구조가 있으며, 각각의 동작 원리와 입출력 특성이 다릅니다. 반파 정류회로는 한 주기 중 반 주기 동안만 정류 동작을 하지만, 전파 정류회로와 브리지 정류회로는 전 주기에 걸쳐 정류 동작을 합니다. 또한 필터 커패시터를 추가하면 리플이 감소하는 피크 정류회로를 구현할 수 있습니다. PSpice 시뮬레이션을 통해 각 정류회로의 입출력 파형을 확인할 수 있습니다. 1. 정류회로 정류회로는 ...2025.04.27
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[기초전자실험 with pspice] 09 노턴의 정리 예비보고서 <작성자 학점 A+>2025.04.281. 노턴의 정리 노턴의 정리는 '전원이 포함된 회로망은 하나의 등가전류원 및 병렬로 연결된 등가저항으로 바꿀 수 있다'로 정의됩니다. 이렇게 만들어진 회로를 노턴 등가회로라 합니다. 노턴 등가회로는 전류원과 저항을 병렬로 연결되게 만드는데, 이는 전류분배법칙은 병렬연결에서 사용되기 때문에 병렬로 등가회로를 만들면 전류분배공식으로 외부에 연결되는 저항에 흐르는 전류의 크기를 구할 수 있기 때문입니다. 2. 노턴 등가회로 구하는 과정 노턴 등가회로를 구하는 과정은 다음과 같습니다: (1) 부하저항을 제거하고, 단락된 단자 a와 b를 ...2025.04.28
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[기초전자실험 with pspice] 19 RLC 공진회로 결과보고서 <작성자 학점 A+>2025.04.281. RLC 직렬회로 공진 RLC 직렬회로의 공진주파수는 5.3KHz였으며, 전압은 공진 시 최소값을 가졌다. 이는 리액턴스 성분이 상쇄되고 저항만 남기 때문이다. 공진주파수보다 낮은 주파수에서는 위상이 앞서고, 높은 주파수에서는 위상이 늦춰진다. 2. RLC 병렬회로 공진 RLC 병렬회로가 공진할 때 전류 I1과 I2의 값이 비슷하다. 이는 리액턴스 성분이 상쇄되고 저항만 남기 때문이다. 공진주파수보다 낮은 주파수에서는 I1이 크고, 높은 주파수에서는 I2가 크다. 3. 공진주파수 이론값과 실험값 차이 공진주파수 이론값과 실험값의...2025.04.28
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실험 18_증폭기의 주파수 응답 특성 예비보고서2025.04.281. 공통 소오스 증폭기의 주파수 응답 특성 이 실험에서는 공통 소오스 증폭기의 주파수 응답 특성을 실험하여 대역폭의 개념을 이해하고, 이득과 대역폭 사이의 관계를 파악한다. 증폭기에 사용되는 트랜지스터 내부의 기생 커패시턴스로 인해 주파수에 따라 전압 이득 및 위상이 변하며, 대역폭은 증폭기의 응용 범위를 결정하는 중요한 척도이다. 실험을 통해 증폭기의 전압 이득과 대역폭의 곱이 일정한 관계가 있음을 이해하고자 한다. 2. MOSFET의 고주파 모델 MOSFET의 고주파 대역에서의 소신호 등가회로는 게이트-소스 커패시턴스와 게이트...2025.04.28
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실험 24_연산 증폭기 응용 회로 2 예비보고서2025.04.281. 연산 증폭기 응용 회로 이 실험에서는 연산 증폭기를 이용한 응용 회로를 분석하고 설계할 수 있는 능력을 배양하고자 한다. 연산 증폭기를 이용하여 미분기 및 적분기 등의 피드백 회로를 구성하고, 연산 증폭기의 특성이 응용 회로에 미치는 영향을 파악한다. 2. 적분기 회로 입력에서 저항 R을 통해 음의 단자쪽으로 흐르는 전류 i_1이 피드백 커패시터 C를 통과하면서 출력 전압 v_o가 형성된다. 입력과 출력 사이의 전달 함수가 주파수 축에서 저대역 통과 필터의 특성을 보인다. 3. 미분기 회로 입력에서 커패시터 C를 통해 음의 단...2025.04.28
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