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전자회로실험 과탑 A+ 결과 보고서 (실험 15 다단 증폭기)2025.01.291. 다단 증폭기의 이론적 해석 다단 증폭기는 여러 증폭 단을 직렬로 연결하여 신호를 순차적으로 증폭하는 방식으로, 각 증폭 단이 가진 장점을 결합해 더 높은 전압 이득과 신호 증폭을 달성할 수 있다. 다단 증폭기의 주요 이론적 해석으로는 전압 이득, 입출력 임피던스, 주파수 응답, 바이어스 설정, 잡음 및 왜곡 등이 있다. 2. 2단 증폭기 실험 결과 2단 증폭기 실험에서는 각 MOSFET의 전압과 전류를 측정하고, 포화 영역에서 동작하는지 확인했다. 또한 소신호 등가회로를 이용해 이론적인 전압 이득을 계산하고, 실험 결과와 비교...2025.01.29
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[전자공학응용실험]5주차_4차실험_실험 14 캐스코드 증폭기_예비레포트_A+2025.01.291. 캐스코드 증폭기 캐스코드 증폭기의 동작 원리를 학습하고, MOSFET을 사용한 캐스코드 증폭기의 특성을 실험을 통해 측정합니다. 캐스코드 증폭기의 입출력 전압 전달 특성을 계산하고, 소신호 등가 회로 개념을 적용하여 전압 이득을 계산한 후 실험을 통해 이를 검증합니다. 또한 증폭기의 DC 동작점을 유지하기 위한 바이어스 회로도 학습하고, 실험을 통해 동작을 확인합니다. 1. 캐스코드 증폭기 캐스코드 증폭기는 전자 회로 설계에서 널리 사용되는 중요한 회로 구조입니다. 이 증폭기는 높은 입력 저항, 낮은 출력 저항, 그리고 높은 ...2025.01.29
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[전자공학응용실험]7주차_5차실험_실험 15 다단 증폭기_예비레포트_A+2025.01.291. 다단 증폭기 다단 증폭기의 개념과 등가회로를 설명하고, 다단 증폭기의 전압 이득 계산 방법을 제시하였습니다. 또한 작은 부하 저항을 구동하기 위한 2단 및 3단 증폭기 구성 방법을 설명하였습니다. 2. MOSFET 증폭기 특성 공통 소스 증폭기, 소스 팔로워 증폭기, 공통 게이트 증폭기의 전압 이득, 입력 임피던스, 출력 임피던스 특성을 정리하였습니다. 이를 바탕으로 다단 증폭기 설계 시 고려해야 할 사항을 설명하였습니다. 3. 2단 증폭기 설계 공통 소스 증폭기와 소스 팔로워를 연결한 2단 증폭기 회로를 제시하고, 이 회로의...2025.01.29
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[전자공학응용실험]11주차_7차실험_실험 18 증폭기의 주파수 응답 특성_예비레포트_A+2025.01.291. 공통 소스 증폭기의 주파수 응답 특성 이 실험에서는 [실험 17]에서 구현한 공통 소스 증폭기의 주파수 응답 특성을 실험하여 대역폭의 개념을 이해하고, 이득과 대역폭 사이의 관계를 파악하고자 한다. 공통 소스 증폭기의 소신호 등가회로를 분석하여 주파수 응답 특성을 나타내는 보드 선도를 그리고, 3dB 주파수와 이득 대역폭 곱을 계산한다. 또한 이득 대역폭 곱을 증가시키는 방안을 제시한다. 2. MOSFET의 고주파 모델 MOSFET의 고주파 동작을 설명하기 위해 게이트-소스 커패시턴스(Cgs)와 게이트-드레인 커패시턴스(Cgd...2025.01.29
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MOSFET 결과보고서 (2)2025.01.231. Buck chopper 실험 Buck chopper 실험에서는 인덕터를 제거하고 duty ratio를 30%, 60%, 90%로 변화시키며 결과를 관찰했다. 실험 결과 그래프를 통해 MOSFET이 ON될 때 V2 값이 존재하고 OFF될 때 V2 값이 0에 가까워지는 것을 확인할 수 있었다. 이를 통해 Buck chopper가 V2의 평균값을 낮추는 원리를 이해할 수 있었다. 또한 MOSFET이 ON일 때 다이오드가 OFF되어 Iout 값이 증가하고, OFF일 때 다이오드가 ON되어 Iout 값이 감소하는 것을 관찰할 수 있었다...2025.01.23
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비4. MOSFET 소자 특성 측정 A+2025.01.271. MOSFET 특성 parameter 계산 데이터시트를 이용하여 문턱전압 Vt와 전달 특성 계수 K를 구하였다. 문턱전압 Vt는 2.1V이며, 전달 특성 계수 K는 수식을 활용하여 계산한 결과 0.223 V/A^2이다. 또한 Vt=2.1V일 때 드레인 전류 Id를 계산하였고, 그 값은 45.6mA이다. 2. MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션 OrCAD PSPICE를 이용하여 MOSFET 2N7000 회로도를 설계하였다. 게이트 전압 Vg를 0V에서 5V까지 0.1V 간격으로 변화시키며 Id-Vds 특성곡선을 시뮬레이션하였다...2025.01.27
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전자회로실험 A+ 12주차 결과보고서(MOSFET Characteristics)2025.05.101. MOSFET 기본 구조 MOSFET의 기본 구조는 다음과 같습니다. Gate: Source 부분과 Drain 부분의 반도체를 연결시켜주는 Channel을 형성하게 하는 역할, Source: 트랜지스터로 특정 캐리어를 공급해주는 역할, Drain: Source에서 들어온 캐리어들을 채널을 통해 밖으로 이동시키는 역할, Body: Channel을 형성하기 위한 캐리어들을 보충해주는 역할(대부분 접지) 2. MOSFET 작동 원리 MOSFET의 작동 원리는 다음과 같습니다. 1. 전압이 인가되지 않은 상태에서 MOSFET은 동작하지...2025.05.10
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실험 10_MOSFET 바이어스 회로 예비 보고서2025.04.271. MOSFET 바이어스 회로 MOSFET을 증폭기로 동작시키기 위해서는 적절한 DC 바이어스가 인가되어야 하며, 이때의 DC 바이어스를 동작점 또는 Q점이라고 부른다. DC 바이어스는 증폭기의 전압 이득과 스윙을 결정하는 중요한 역할을 한다. 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 증폭기의 DC 동작점을 잡아주기 위한 바이어스 회로에 대해서 공부하고, 실험을 통하여 그 동작을 확인하고자 한다. 2. 전압분배 MOSFET 바이어스 회로 그림 [10-1]은 가장 기본적인 전압분배 MOSFET 바이어스 회로이다. 이 회로는 소오스 단자에...2025.04.27
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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 10 MOSFET 바이어스 회로)2025.01.291. MOSFET 바이어스 회로 MOSFET을 증폭기로 동작시키기 위해서는 적절한 DC 바이어스가 인가되어야 하며, 이때의 DC 바이어스를 동작점 또는 Q점이라고 부른다. DC 바이어스는 증폭기의 전압 이득과 스윙을 결정하는 중요한 역할을 한다. 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 증폭기의 DC 동작점을 잡아주기 위한 바이어스 회로에 대해서 공부하고, 실험을 통하여 그 동작을 확인하고자 한다. 2. 게이트 바이어스 회로 게이트 바이어스 회로(실험회로 1)는 가장 기본적인 전압분배 MOSFET 바이어스 회로이다. 이 회로는 소스 단자...2025.01.29
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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 12 소오스 팔로워)2025.01.291. 소오스 팔로워 회로 소오스 팔로워 회로는 입력 신호를 거의 변형 없이 전달하면서 출력 저항을 낮추고 전류를 증폭해 부하를 안정적으로 구동하는 데 사용된다. 이 회로의 주요 특성은 입력과 출력의 관계, 전압 이득, 출력 저항 감소, 전류 이득 등이다. 2. MOSFET 특성 실험에서는 MOSFET의 특성을 이용한 소오스 팔로워 회로를 분석하였다. MOSFET의 문턱 전압, 트랜스컨덕턴스, 출력 저항 등의 특성을 확인하고, 이를 바탕으로 소신호 등가회로를 구성하였다. 3. 입력-출력 전달 특성 입력 전압 변화에 따른 출력 전압의 ...2025.01.29
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