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전자공학실험2 15장 예비레포트2025.05.071. 소신호 소스 공통 FET 교류증폭기 소신호 소스 공통 FET 교류증폭기의 동작원리를 이해하고 직류 및 교류 파라미터를 측정하여 실제 이론값과 비교 고찰하며, 증폭기의 전압이득에 영향을 미치는 파라미터들에 대해 분석한다. JFET 소스 공통 교류증폭기와 MOSFET 소스 공통 교류증폭기의 동작 원리와 해석 방법을 설명하고, 시뮬레이션을 통해 바이패스 캐패시터와 부하저항 변화에 따른 출력전압의 변화를 확인한다. 1. 소신호 소스 공통 FET 교류증폭기 소신호 소스 공통 FET 교류증폭기는 전자회로 설계에서 중요한 역할을 합니다. ...2025.05.07
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전자회로(개정4판) - 생능출판, 김동식 지음 / 7장 연습문제 풀이2025.01.091. JFET 바이어스 JFET은 게이트-소스 전압(Vgs)에 따라 차단 상태와 도통 상태가 결정됩니다. Vgs가 음의 값이면 JFET은 차단 상태가 되어 드레인 전류(Id)가 흐르지 않습니다. Vgs가 양의 값이면 JFET은 도통 상태가 되어 Id가 흐르게 됩니다. 따라서 JFET의 동작 상태는 Vgs에 의해 결정됩니다. 2. MOSFET 바이어스 MOSFET은 게이트-소스 전압(Vgs)에 따라 동작 상태가 결정됩니다. Vgs가 문턱 전압(Vth) 이상이면 MOSFET이 도통되어 드레인 전류(Id)가 흐르게 됩니다. Vgs가 Vt...2025.01.09
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울산대학교 전기전자실험 13. 전류원 및 전류 미러 회로2025.01.121. JFET 전류원 JFET을 이용한 회로에서 부하저항을 20Ω, 100Ω, 150Ω으로 변경해가며 전류를 측정했을 때 10.1mA, 10.3mA, 10.2mA으로 저항값의 변화에도 관계없이 약 10mA의 전류를 공급해줄 수 있다는 것을 확인할 수 있었다. 이는 JFET 전류원 회로가 부하저항 변화에 영향을 받지 않고 일정한 전류를 공급할 수 있음을 보여준다. 2. BJT 전류원 BJT를 이용한 회로에서 부하저항을 3.6kΩ과 5.1kΩ으로 변경하면서 전류를 측정했는데 두 회로 모두 1.04mA의 전류가 측정되었다. 이를 통해 B...2025.01.12
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JFET의 특성 실험2025.05.111. JFET의 동작 원리 JFET 소자는 게이트와 소스 사이의 역방향 바이어스 전압의 크기에 의해 드레인 전류를 제어함으로써 드레인단에 증폭된 전압을 얻는 전압제어형 소자이다. 이 게이트 전압을 변화시킴으로써 채널의 폭이 변화하고 그에 따라 전류가 변화하게 된다. 2. JFET의 드레인 특성곡선 실험 결과 V_DS가 3.0V~6.0V사이에서는 I_D가 거의 변하지 않는 것으로 보아, 일정 전류원을 가지는 영역이라고 볼 수 있고, 이러한 점의 전압을 핀치오프 전압이라고 한다. 따라서 핀치오프 전압은 약 3.0V라고 할 수 있다. 3...2025.05.11
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울산대학교 전기전자실험 12. JFET 특성 및 바이어스 회로2025.01.121. JFET 특성 및 바이어스 회로 이번 실험은 JFET의 바이어스에 따른 값들의 변화를 관찰하는 것이 목적입니다. 고정 바이어스 회로를 통해 I_DSS, V_P 값을 구하고, V_DS에 따른 I_D 값을 측정함으로써 특성곡선을 그리고, 전자회로 수업에서 배운 특성곡선과 비슷하게 그려진다는 것을 확인할 수 있었습니다. 다음 실험인 self-bias 회로에서는 V_G 값이 0이 되고 사용하는 부품의 개수가 적어 회로를 해석하는데 용이하다는 장점이 있습니다. voltage divider bias 회로에서는 R_1R_2에 전압이 분배되...2025.01.12
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전자회로 실험 12. JFET의 특성 실험2025.05.111. JFET의 동작 원리 JFET 소자는 게이트와 소스 사이의 역방향 바이어스 전압의 크기에 의해 드레인 전류를 제어함으로써 드레인단에 증폭된 전압을 얻는 전압제어형 소자이다. 이 게이트 전압을 변화시킴으로써 채널의 폭이 변화하고 그에 따라 전류가 변화하게 된다. 2. JFET의 드레인 특성곡선 실험 결과 V_DS가 3.0V~6.0V사이에서는 I_D가 거의 변하지 않는 것으로 보아, 일정 전류원을 가지는 영역이라고 볼 수 있고, 이러한 점의 전압을 핀치오프 전압이라고 한다. 따라서 핀치오프 전압은 약 3.0V라고 할 수 있다. 3...2025.05.11
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전기전자공학실험-공통 소스 트랜지스터 증폭기2025.04.301. 공통 소스 증폭기(Common Source Amplifier) 소스(Source)부분이 접지되어 입력전압과 출력전압의 기준이 되어 공통 소스 증폭기라고 불리며, 입력은 Gate, 출력은 Drain에 연결되어있다. BJT 공통 이미터 증폭기와 유사한데 게이트 방면을 통하여 들여다보는 쪽은 역방향 바이어스가 걸린 접합면이므로 입력 임피던스가 매우 크고 그로 인하여 높은 전류이득과 BJT에 비해 떨어지는 편이지만 전압이득 모두 가질 수 있다. JFET은 입력신호원의 출력 임피던스가 높은 경우에 높은 전류 이득을 얻기 위한 회로에 사...2025.04.30
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JFET 특성2025.04.301. JFET JFET은 Junction Field Effect Transistor의 약자로써 접합형 전계효과 트랜지스터를 의미한다. JFET은 전류를 통해 제어하는 BJT와 달리 전압을 조절해 제어하는 소자이며, 또한 Majority carrier와 Minority carrier를 모두 이용하는 BJT와 달리 Majority carrier만 이용하는 Unipolar 소자이다. JFET은 N채널 형과 P채널 형으로 나뉘며, 각각의 단자는 Gate, Drain, Source라는 이름을 가진다. JFET의 작동원리는 Drain과 Sou...2025.04.30
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전류원 및 전류 미러 회로 예비결과보고서2025.01.021. 전류원 전류원(current source)는 상황에 관계없이 항상 일정한 전류를 보내려고 하는 회로를 의미한다. 이상적인 전류원의 경우 상황에 영향을 받지 않겠지만 현실에서는 상황에 따라 전류에 영향을 주기도 한다. 대표적인 전류원으로 BJT, FET가 있다. 전류원의 내부 임피던스(Zin)가 작을수록 좋으며, 내부 임피던스는 최대한 크게 해줄수록 좋다. JFET 전류원은 드레인-소스 포화전류에서 동작하도록 바이어스된 JFET를 사용하며, BJT 전류원은 트랜지스터의 특성을 이용하여 구현한다. 2. 전류 미러 전류 미러는 한쪽...2025.01.02
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전기전자공학실험-JFET 바이어스 회로2025.04.301. JFET 고정 바이어스 회로 JFET 고정 바이어스 회로의 입력 및 출력 특성을 분석하였습니다. JFET의 드레인 특성곡선과 부하선의 교점이 동작점을 결정하며, 쇼클리 방정식을 이용하여 드레인 전류를 계산할 수 있습니다. 또한 출력단의 전압 VDS를 구할 수 있습니다. 2. JFET 자기 바이어스 회로 JFET 자기 바이어스 회로의 입력 및 출력 특성을 분석하였습니다. 이 회로에서는 VGS가 출력 전류 ID의 함수이며, 고정되지 않습니다. 쇼클리 방정식을 이용하여 드레인 전류를 계산할 수 있으며, 출력단의 전압 VDS, VS,...2025.04.30
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