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트랜지스터 실습22025.01.041. 트랜지스터의 동작 영역 이번 실습에서는 양극성 접합 트랜지스터의 세 가지 동작 영역(컷오프 영역, 활성 영역, 포화 영역)에 대해 실습하였습니다. 컷오프 영역에서는 베이스-에미터 전압이 낮아 콜렉터 전류가 흐르지 않으며, 활성 영역에서는 베이스 전류에 비례하여 콜렉터 전류가 흐르는 것을 확인하였습니다. 포화 영역에서는 베이스-에미터 전압이 높아져 콜렉터 전류가 더 이상 증가하지 않는 것을 관찰하였습니다. 2. 트랜지스터의 정전류원 회로 활성 영역에서 트랜지스터의 콜렉터 전류는 베이스 전류에만 비례하므로, 베이스-에미터 전압을 ...2025.01.04
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[A+]전자회로설계실습 예비보고서 52025.01.041. BJT와 MOSFET을 이용한 RTL switch 회로 설계 및 구현 이 보고서의 목적은 BJT와 MOSFET을 사용하여 TTL 레벨의 전압(5V)으로 동작하는 RTL switch 회로를 설계하고 구현하여 relay 또는 LED를 구동하고 그 동작을 측정 및 평가하는 것입니다. 준비물로는 Function Generator, Oscilloscope, DC Power Supply, BJT, LED, MOSFET, 저항 등이 필요합니다. 설계 계획으로는 BJT 2N3904를 사용하여 BL-B4531 LED를 구동하는 회로를 설계하고...2025.01.04
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[A+]전자회로설계실습 예비보고서 82025.01.041. N-Type MOSFET을 이용한 Current Mirror 설계 이 보고서의 목적은 N-Type MOSFET을 사용하여 단일 Current Mirror와 Cascode Current Mirror를 설계하고 측정하여 current mirror를 이용한 전류원의 전기적 특성을 이해하는 것입니다. 보고서에는 Current Source 회로 설계를 위한 2N7000 MOSFET의 특성 분석, IREF = 10 mA인 전류원 설계를 위한 VGS 및 R1 값 계산 등의 내용이 포함되어 있습니다. 1. N-Type MOSFET을 이용한 ...2025.01.04
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전자회로설계실습 예비보고서 112025.01.041. Push-Pull 증폭기 이 실험의 목적은 RL = 100 Ω, Rbias = 1 kΩ, VCC = 12 V인 경우 Push-Pull 증폭기의 동작을 이해하고 Dead zone과 Crossover distortion 현상을 파악하며 이를 제거하는 방법에 대해 실험하는 것입니다. 실험을 통해 Push-Pull 증폭기의 입출력 transfer characteristic curve를 확인하고, Dead zone이 발생하는 이유를 설명합니다. 1. Push-Pull 증폭기 Push-Pull 증폭기는 전자 회로 설계에서 매우 중요한 역...2025.01.04
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전압제어 발진기 회로 설계 및 실험 결과2025.01.041. 슈미트 회로 슈미트 회로는 히스테리시스 특성을 가진 비교기로, 입력 신호가 증가할 때와 감소할 때의 입출력 특성이 다르다. 입력 전압이 문턱 전압 사이에 있을 경우 출력 상태는 이전 상태에 따라 결정된다. 2. 적분기 회로 적분기 회로에서 출력 전압은 입력 전압과 시간에 따라 변화한다. 이를 이용하여 전압 제어 발진기를 구현할 수 있다. 3. 전압제어 발진기 회로 전압제어 발진기 회로는 슈미트 회로, 적분기, BJT 스위치로 구성된다. 적분기 출력이 슈미트 회로의 문턱 전압을 넘으면 BJT 스위치가 on/off되어 적분기 출력...2025.01.04
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CE 증폭기 설계 예비결과보고서2025.01.021. CE 증폭기 설계 이 실험의 목적은 CE 증폭기를 설계, 구성하고 시험하며, DC bias와 AC 증폭값을 계산하고 측정하는 것입니다. 실험 이론에서는 트랜지스터 선정, 사용 전압 및 전류 범위 설정, 증폭률 설정 등 CE 증폭기 설계를 위한 주요 고려사항들을 다루고 있습니다. 트랜지스터의 정격 전압, 전류, 증폭률 등을 고려하여 적절한 트랜지스터를 선정하고, 사용 전압 및 전류가 트랜지스터의 정격을 초과하지 않도록 설계해야 합니다. 또한 직류 전류 증폭률의 편차를 고려하여 최솟값을 기준으로 증폭률을 설정해야 합니다. 1. C...2025.01.02
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전류원 및 전류거울 실험2025.01.021. 전류원 및 전류거울 이 실험에서는 트랜지스터의 특성을 이용하여 전류원과 전류거울 회로를 구현하고 그 특성을 분석합니다. 전류원 회로에서는 트랜지스터의 베이스-이미터 전압을 조정하여 원하는 DC 전류를 생성하고, 전류거울 회로에서는 두 개의 트랜지스터를 이용하여 기준 전류를 복사하는 방식으로 동일한 전류를 생성합니다. 이를 통해 전류원과 전류거울의 동작 원리와 특성을 이해할 수 있습니다. 1. 전류원 및 전류거울 전류원과 전류거울은 전자회로 설계에서 매우 중요한 역할을 합니다. 전류원은 일정한 전류를 공급하는 회로 소자로, 전압...2025.01.02
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NAND 게이트의 활용과 논리 회로 구성2025.01.021. NAND 게이트의 특성과 활용 NAND 게이트는 논리 게이트의 하나로, 두 개의 입력 중 하나 이상이 0일 때 출력이 1이 되는 특성을 가지고 있습니다. 이러한 NAND 게이트는 다른 논리 게이트들을 구성하는 데에 매우 중요한 역할을 하며, 특히 다른 모든 논리 게이트를 구성할 수 있는 유일한 게이트로 알려져 있습니다. 이러한 이유로 많은 회로에서 NAND 게이트를 사용하는 것이 일반적이며, 두 개의 NAND 게이트를 사용하여 AND 게이트를 구성할 수 있습니다. 이는 더 복잡한 논리 회로를 구성하는 데에 필요한 기본적인 블록...2025.01.02
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전기회로설계실습 예비보고서 3. 분압기(Voltage Divider) 설계2025.01.171. 분압기 설계 이 보고서는 12V DC 전원 공급기를 사용하여 3V ± 10% 정격 전압과 3mA ± 10% 정격 전류를 가진 IC 칩에 전력을 공급할 수 있는 분압기를 설계하는 것을 목표로 합니다. 부하 효과를 고려하지 않은 잘못된 설계와 부하를 고려한 현실적인 설계 방법을 설명하고 있습니다. 1. 분압기 설계 분압기는 전기 회로에서 중요한 역할을 하는 기본적인 회로 요소입니다. 분압기는 입력 전압을 원하는 출력 전압으로 변환하는 데 사용되며, 이를 통해 다양한 전자 장치와 시스템에서 필요한 전압 레벨을 제공할 수 있습니다. ...2025.01.17
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중앙대 전기회로설계실습 2. 전원의 출력저항, DMM의 입력저항 측정회로 설계 결과보고서2025.01.171. 건전지의 출력저항 측정 이 실습에서는 건전지의 출력저항과 DMM의 입력저항을 측정하는 회로를 설계, 제작, 측정하고 DC Power Supply의 사용법을 익혔다. 실습 결과, 건전지의 내부저항은 약 1.58Ω으로 매우 작은 값이었다. 이는 실습 전에 예상했던 것과 비슷한 결과였으며, DMM으로 측정한 실제값을 대입하여 보다 정확한 결과를 얻었다고 생각된다. 2. DMM의 입력저항 측정 이 실습에서는 건전지의 출력저항과 DMM의 입력저항을 측정하는 회로를 설계, 제작, 측정하고 DC Power Supply의 사용법을 익혔다. ...2025.01.17
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