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중앙대학교 전자회로설계실습 결과보고서 3 - Voltage Regulator 설계2025.01.241. 전자회로 설계 이 보고서는 중앙대학교에서 진행된 전자회로 설계 실습 결과를 다루고 있습니다. 주요 내용은 브리지 방식 정류회로 설계, 정류 현상 관찰, 다이오드와 커패시터 특성 이해, Voltage Regulator를 통한 AC-DC 변환 및 정전압 유지 등입니다. 실험 과정에서 발생한 오차 요인 분석과 개선 방안도 제시되어 있습니다. 2. 브리지 정류회로 보고서에서는 4개의 다이오드를 사용하는 브리지 방식 정류회로를 설계하고 제작하였습니다. 정류회로 양단의 전압차를 측정하여 실제 사용된 변압기의 비율이 1:1.27임을 확인하...2025.01.24
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비1. Op Amp를 이용한 다양한 Amplifier 설계 A+2025.01.271. Thevenin 등가회로 구현 센서의 Thevenin 등가회로를 구하는 과정을 기술하고 PSPICE로 그려서 제출하였습니다. Thevenin 등가회로를 구현하기 위해 무부하 상태에서 단자 사이의 전압을 측정하여 Vth를 구하고, 10kΩ 저항을 연결했을 때 전압이 줄어든 것을 이용하여 Rth를 계산하였습니다. 2. Inverting Amplifier 설계 및 시뮬레이션 주파수가 2kHz인 센서의 출력을 증폭하여 1Vpp의 출력을 내는 Inverting Amplifier를 설계하였습니다. 설계 과정과 회로, PSPICE 출력파형...2025.01.27
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비3. Voltage Regulatior 설계 A+2025.01.271. Voltage Regulator 설계 이 프레젠테이션은 전자회로설계실습의 예비 3번째 실습인 Voltage Regulator 설계에 대한 내용을 다루고 있습니다. 설계 과정에서 사용된 수식과 계산 과정을 상세히 설명하고 있으며, PSPICE를 활용한 회로 분석 결과도 포함되어 있습니다. 주요 내용으로는 브리지 방식 정류회로의 동작 원리, 부하 전압 및 리플 전압 계산, 교류 입력 전원 크기 및 주파수 결정 등이 있습니다. 1. Voltage Regulator 설계 전압 레귤레이터 설계는 전자 회로 설계에서 매우 중요한 부분입니...2025.01.27
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MOSFET 증폭기 회로 예비보고서2025.01.021. MOSFET 증폭기 회로 MOSFET를 사용한 소스 접지 증폭기의 바이어스 방법과 기본적인 특성을 이해하도록 한다. n 채널 MOSFET의 구조와 동작 원리, 동작 영역에 따른 드레인 전류 특성, 소스 공통 증폭기의 구조와 특성 등을 설명하고 있다. 실험을 통해 MOSFET의 특성과 소스 공통 증폭기의 동작을 확인하고자 한다. 1. MOSFET 증폭기 회로 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 증폭기 회로는 전자 회로 설계에서 매우 중요한 역할을 합니다. MOS...2025.01.02
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실험 장비 사용법 및 Thevenin 등가회로_결과레포트2025.01.121. 실험 장비 사용법 실험에 사용된 장비로는 DC Power Supply, Multimeter, Function Generator, Oscilloscope 등이 있었으며, 이를 활용하여 Thevenin 등가회로와 전압 분배 회로에 대한 실험을 진행하였습니다. 실험 결과 측정값과 시뮬레이션 결과가 대체로 일치하여 실험 장비를 올바르게 사용하였음을 확인할 수 있었습니다. 2. Thevenin 등가회로 Thevenin 등가회로 실험을 통해 복잡한 회로를 간단한 등가회로로 나타낼 수 있음을 확인하였습니다. 실험 결과 측정값과 이론값 간 ...2025.01.12
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전자회로실험 과탑 A+ 결과 보고서 (실험 14 캐스코드 증폭기)2025.01.291. 캐스코드 증폭기 캐스코드 증폭기는 입력단, 증폭단, 출력 특성으로 구성되어 있다. 입력단의 MOSFET M_1은 소스 팔로워 역할을 하며, 증폭단의 MOSFET M_2는 캐스코드 역할을 한다. 캐스코드 구조는 출력 저항을 크게 만들어 전압 이득을 향상시키며, 채널 길이 변조 효과를 최소화하여 넓은 대역폭에서 동작할 수 있다. 캐스코드 증폭기의 전압 이득은 대략적으로 A_v = g_m * R_D로 나타낼 수 있다. 2. 실험 절차 및 결과 실험에서는 V_GG 값을 변화시키며 출력 전압을 측정하였고, 트랜스컨덕턴스 g_m과 출력 ...2025.01.29
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울산대학교 전기전자실험 11. LC 회로의 리액턴스 측정 및 RLC 직병렬 회로의 임피던스 측정2025.01.121. RC 회로의 리액턴스 측정 및 전압 위상 변화 RC 회로에 5Vpp 1kHZ의 정현파를 인가했을 때 리액턴스 측정과 전압의 위상 변화를 확인하는 것이 목적이다. 리액턴스는 Xc = 1/(2πfC)를 통해 구했을 때 1591.55Ω의 값을 구할 수 있었고 1434의 측정값을 얻을 수 있었다. 전압의 위상을 관찰하기 위해 θ = tan^-1((Xc)/R)를 통해 구했을 때 -35.88의 값을 구할 수 있었고, 측정값을 통해 구했을 때는 -33.10의 값을 구했다. 리액턴스값이 약 10% 차이가 나는 것은 커패시터 용량 측정값 또한...2025.01.12
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중첩의 원리 & 테브낭, 노튼 정리 결과보고서2025.01.121. 중첩의 원리 실험을 통해 중첩의 원리가 적용되는지 확인하였다. 전압원의 위치가 다른 두 가지 회로에서 각각의 전압원을 하나씩 제거하여 구한 값과 모든 전압원을 연결한 값을 비교한 결과, 1% 정도의 오차율만 발생하여 중첩의 원리가 성공적으로 적용되었음을 확인할 수 있었다. 오차가 발생한 이유로는 실험에 사용된 전선 내 작은 저항, 회로 구성 및 연결 문제, 저항값의 변동 등이 고려되었다. 2. 테브낭 정리 책에 제시된 복잡한 저항회로를 실험을 통해 구현하고, 양단의 전압을 측정하여 테브낭 등가회로와 비교하였다. 실험값과 이론값...2025.01.12
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기초 전기전자 실험 결과보고서2025.01.121. 휘트스톤 브리지 휘트스톤 브리지를 통해 브리지의 원리를 이해하고 저항 측정법을 익혔습니다. 회로가 평형 상태일 때 a-b 단자 사이의 전류가 흐르지 않으며, 불평형 상태일 때 전류가 흐르는 것을 확인했습니다. 테브낭 등가회로를 이용해 a-b 사이의 전류를 계산하여 실험 결과와 일치함을 확인했습니다. 2. 오실로스코프 사용법 오실로스코프의 기본 구조와 동작 원리를 이해하고, 정현파와 구형파의 주기, 주파수, 진폭 등을 측정하는 방법을 익혔습니다. 또한 리사주 파형을 이용해 두 신호 간의 위상차를 계산하는 방법을 배웠습니다. 오실...2025.01.12
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에너지변환실험 A+레포트_연산증폭기2025.01.131. 연산 증폭기 연산 증폭기는 수학적인 연산기능을 수행하는 증폭기로, 높은 전압이득, 높은 입력임피던스, 낮은 출력임피던스, 넓은 주파수 대역폭을 갖는다. 비반전 증폭기는 입력전압과 동일한 위상의 출력전압을 갖고, 반전 증폭기는 입력전압과 반대 위상의 출력전압을 갖는다. 비교기는 두 입력신호의 크기를 비교하여 출력을 결정하는 비선형 연산 증폭기 회로이며, 가산기는 다수의 입력전압을 가산하여 출력전압으로 나타내는 연산증폭기 회로이다. 2. 비반전 증폭기 비반전 증폭기는 출력전압이 입력전압과 동일한 위상을 갖는다. 이상적인 연산 증폭...2025.01.13
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