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응용물리회로실험 - Transistor2025.05.071. pnp 트랜지스터 pnp 트랜지스터에서 에미터와 베이스의 접합은 순방향 다이오드와 유사하고, 컬렉터와 베이스의 접합은 역방향 바이어스 다이오드와 유사하다. 이 트랜지스터에는 두 개의 바이어스 전압이 인가되어 다수 캐리어와 소수 캐리어가 특정 방향으로 흐른다. 많은 양의 다수 캐리어가 p-n 접합을 통해 n형 물질로 확산되고, 가운데 있는 n형 물질은 매우 얇고 전도성이 낮아서 매우 적은 양의 캐리어만이 저항이 큰 경로를 통해 베이스 단으로 흐르게 된다. 1. pnp 트랜지스터 pnp 트랜지스터는 전자 회로에서 매우 중요한 역할...2025.05.07
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건국대학교 전기전자기초실험2 트랜지스터3 예비레포트 결과레포트2025.01.291. 달링턴 증폭기 회로 달링턴 증폭기 회로를 LTspice로 구현하고, VCC에 10V를 인가하고 입력 전압 vin에 크기 1V, 주파수 1kHz를 설정하여 입력전압 및 출력전압 파형을 도시하였다. 첫 번째 트랜지스터의 Ib1과 두 번째 트랜지스터의 Ie2의 파형을 도시하고 증폭비를 계산하였다. 2. 푸시풀 증폭기 회로 푸시풀 증폭기 회로를 LTspice로 구성하고, Vin의 크기와 주파수를 변경하면서 입력 전압과 출력 전압 파형을 도시하였다. 브레드보드로 회로를 구현하고 오실로스코프로 입력전압 및 출력전압 파형을 관찰하였다. 1...2025.01.29
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신재생에너지 발전 실험, 실습 PPT2025.04.261. 반도체 반도체는 도체와 절연체의 중간 성질을 가진 물질로, 저항률에 따라 도체, 반도체, 부도체로 구분할 수 있다. 반도체는 진성반도체와 불순물 반도체로 나뉘며, 전자현상을 이용하는 2단자 소자인 다이오드가 대표적이다. 2. 다이오드 다이오드는 P형 반도체와 N형 반도체가 접합된 구조로, 순방향과 역방향 전압에 따라 전류가 흐르는 방향이 달라진다. 이를 이용하여 정류 회로, 제너 다이오드, 포토 다이오드, 발광 다이오드 등 다양한 응용 회로를 구현할 수 있다. 3. 트랜지스터 트랜지스터는 전류나 전압의 흐름을 조절하여 증폭, ...2025.04.26
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[전자회로실험] 바이어스 해석 결과보고서2025.04.261. 트랜지스터 동작 영역 실험을 통해 트랜지스터의 동작 영역을 파악하였다. 트랜지스터가 능동 영역에서 동작하기 위한 Vbb의 범위를 구하고, 능동 영역에서의 Ic 값을 구하였다. 또한 트랜지스터가 포화 영역에서 동작할 때의 Vce를 구하고 데이터시트 값과 비교하였다. 2. 고정 바이어스 회로 고정 바이어스 회로에서 Vb, Vc, Ic 등의 값을 측정하고 계산하였다. 실험값과 이론값, 시뮬레이션 값 사이에 차이가 있었는데, 이는 실험 과정에서의 오류로 인한 것으로 보인다. 3. 저항 분할 바이어스 회로 저항 분할 바이어스 회로에서도...2025.04.26
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침입자 경보기 회로 실험2025.04.281. 트랜지스터 트랜지스터를 이용하여 부저까지 전류가 흘러가면 부저가 작동되어 침입자가 들어오는 것을 알 수 있는 회로입니다. 트랜지스터의 베이스와 이미터 간의 전압이 0.6V 정도 되면 컬렉터와 이미터 간의 도통이 되어 전압강하가 0.1V로 낮아지고, 나머지 8.9V의 전압이 부저에 걸려 부저가 울리게 됩니다. 2. 회로 작동 원리 창문의 전선이 끊어졌을 때 트랜지스터의 베이스와 이미터 간의 전압이 0.6V 정도 되면 컬렉터와 이미터 간의 도통이 되어 전압강하가 0.1V로 낮아지고, 나머지 8.9V의 전압이 부저에 걸려 부저가 울...2025.04.28
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전기전자공학실험-쌍극성 접합 트랜지스터 특성2025.04.301. 쌍극성 접합 트랜지스터 쌍극성 트랜지스터(BJT)는 실리콘(Si) 또는 게르마늄(Ge)으로 만들어지며, npn 또는 pnp 구조를 가진다. 트랜지스터의 에미터, 베이스, 컬렉터 단자를 통해 전류와 전압을 제어할 수 있으며, 차단영역, 포화영역, 활성영역, 항복영역 등의 특성을 가진다. 또한 alpha(전압증폭률)와 beta(전류증폭률)의 관계를 통해 트랜지스터의 성능을 분석할 수 있다. 2. 트랜지스터 형태, 단자, 재료 결정 트랜지스터의 형태(npn, pnp)와 단자(에미터, 베이스, 컬렉터)를 DMM을 사용하여 결정할 수 ...2025.04.30
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트랜지스터의 기본 동작 원리와 특성 분석2025.05.041. 트랜지스터의 기본 동작 원리 트랜지스터는 기본적으로 두 가지 형태인 2극 접합 트랜지스터(BJT)와 필드효과 트랜지스터(FET)가 있다. 이번 실험에서는 BJT 중 npn 트랜지스터를 사용했다. npn 트랜지스터는 n형 반도체와 p형 반도체가 접합된 구조로, 이미터-베이스-컬렉터 단자로 구성된다. 트랜지스터는 차단동작영역, 선형동작영역, 포화동작영역의 3가지 동작 모드를 가진다. 실험을 통해 각 동작 모드의 특성을 확인할 수 있었다. 2. 트랜지스터의 증폭 특성 실험 2에서 베이스 전류 I_B와 컬렉터 전류 I_C의 관계를 확...2025.05.04
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[보고서점수A+]한국기술교육대학교 전자회로실습 CH7. 쌍극접합 트랜지스터 실험보고서2025.05.051. 트랜지스터 트랜지스터는 재료에 따라 게르마늄(Ge)과 실리콘(Si) 트랜지스터로 나눌 수 있으며, 대부분의 경우 실리콘 트랜지스터를 사용한다. 트랜지스터는 작고 가벼워서 장치의 소형화가 가능하고, 낮은 전압에서도 동작하며 전력소모가 적다는 장점이 있다. 하지만 열에 의한 민감도가 높다는 단점이 있다. 2. 쌍극접합 트랜지스터 쌍극접합 트랜지스터는 2개의 넓은 P형 실리콘 판 사이에 아주 얇은 N형의 실리콘을 끼워 넣어 만든 PNP형 트랜지스터와 2개의 넓은 N형 실리콘 판 사이에 아주 얇은 P형의 실리콘을 끼워 넣어 만든 NP...2025.05.05
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응용물리회로실험 - Transistor EF and Impedance2025.05.071. 이미터 폴로어 (Emitter Follower) 이미터 폴로어는 공통 컬렉터 증폭기라고도 불리며, 입력은 베이스에 용량성 결합되고 출력은 이미터에서 나온다. 이미터 폴로어의 특징은 전압 이득이 약 1, 높은 입력 임피던스, 낮은 출력 저항, 그리고 동위상 특성을 가진다. 2. 입력 임피던스 (Input Impedance) 이미터 폴로어는 높은 입력 저항 특성을 가지므로 회로에 유용하게 사용된다. 공통 컬렉터 증폭기의 베이스 쪽 입력 저항은 공통 이미터 증폭기와 유사하게 유도되지만, 이미터 저항은 출력을 양단에서 얻기 때문에 결...2025.05.07
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트랜지스터 보고서 (2)2025.05.101. 트랜지스터의 증폭작용 이번 실험은 IB를 고정시키고 E와 C 사이의 전압을 조절하여 IC의 변화를 관찰하고, IB를 증가시켜 IC의 변화를 관찰하여 트랜지스터의 증폭작용을 이해하는 것이 실험의 목표입니다. 실험 결과를 통해 IB가 증가할수록 IC가 상대적으로 많이 증가하는 것을 확인할 수 있었고, 이를 통해 트랜지스터의 증폭작용을 이해할 수 있었습니다. 2. 트랜지스터의 구조와 동작 원리 실험에서 PNP형 트랜지스터를 이용하므로 PNP형을 기준으로 트랜지스터의 증폭작용의 원리를 이해해보았습니다. E와 B에 순방향 전압, B와 ...2025.05.10
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