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응용물리회로실험 - Transistor2025.05.071. pnp 트랜지스터 pnp 트랜지스터에서 에미터와 베이스의 접합은 순방향 다이오드와 유사하고, 컬렉터와 베이스의 접합은 역방향 바이어스 다이오드와 유사하다. 이 트랜지스터에는 두 개의 바이어스 전압이 인가되어 다수 캐리어와 소수 캐리어가 특정 방향으로 흐른다. 많은 양의 다수 캐리어가 p-n 접합을 통해 n형 물질로 확산되고, 가운데 있는 n형 물질은 매우 얇고 전도성이 낮아서 매우 적은 양의 캐리어만이 저항이 큰 경로를 통해 베이스 단으로 흐르게 된다. 1. pnp 트랜지스터 pnp 트랜지스터는 전자 회로에서 매우 중요한 역할...2025.05.07
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컴퓨터개론 ) 컴퓨터 발전의 역사를 간략하게 기술하고 각 세대별 컴퓨터의 특성을 기술2025.01.291. 컴퓨터 발전의 역사 컴퓨터의 발전은 기계식 계산기의 발전에서부터 시작했다. 1623년 독일의 빌헬름 시카드가 처음으로 기계식 계산기를 발명했으며, 이후 복잡한 아날로그식 계산기의 단점을 극복하기 위한 전자식 계산기 개발이 고안되었다. 영국의 찰스 배비지가 처음 기계식 디지털 계산기 '차분기관'을 발명했으며, 근대적 의미의 컴퓨터가 처음 고안되기 시작했다. 20세기 초에는 진공관과 튜링 기계 등의 기술적 발전을 바탕으로 1942년 아타나소프-베리(ABC) 컴퓨터가 처음 발표되었다. 이후 1946년 에니악(ENIAC) 컴퓨터가 발...2025.01.29
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기초실험2 결과보고서2025.01.291. 저항소자 및 써미스터 소자의 특성 실험을 통해 저항소자와 써미스터 소자의 저항값을 측정하였다. 저항소자는 10 kΩ의 저항값을 갖도록 제작되어 있으며, 실제 측정값도 이와 유사하였다. 그러나 써미스터 소자의 경우 10 kΩ에서 많이 벗어난 저항값이 측정되었는데, 이는 써미스터의 온도 의존성 때문이다. 온도계로 측정한 주변 온도를 참고하면 써미스터의 저항값 변화를 이해할 수 있다. 2. 저항소자와 써미스터 소자의 전압-전류 특성 저항소자와 써미스터 소자는 동일한 10 kΩ의 저항값을 갖지만, 열을 가했을 때 전압-전류 특성이 다...2025.01.29
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MOSFET의 발명에서 현재까지의 발전단계2025.05.101. MOSFET의 정의 MOSFET은 Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor의 약자로, 디지털 회로와 아날로그 회로에서 가장 일반적인 전계효과 트랜지스터이다. MOSFET은 엔모스펫, 피모스펫, 씨모스펫 3가지로 분류할 수 있으며, 특히 CMOS는 전력 소모가 매우 적어 컴퓨터의 중앙처리 장치와 같은 로직 소자나 메모리 소자에 널리 사용되고 있다. 2. MOSFET의 구조 MOSFET은 드레인, 소스, 게이트, 바디로 구성되어 있으며, P형 반도체 기판 위에 N형 반도체 2개를 연...2025.05.10
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반도체공정 과제2025.05.101. Comparison of conventional MOSFET and Fin FET MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)은 4개의 단자(source, drain, gate, 기판의 접지)로 구성되어 있으며 금속-산화물-반도체 구조로 이루어져 있습니다. 평면(2D) 구조를 가지고 있습니다. FinFET(Fin Field Effect Transistor)은 트랜지스터 모양이 물고기 지느러미를 닮아 붙여진 이름입니다. MOSFET의 집적도를 높이기 위해 채널 길이를 줄...2025.05.10
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신재생에너지 발전 실험, 실습 PPT2025.04.261. 반도체 반도체는 도체와 절연체의 중간 성질을 가진 물질로, 저항률에 따라 도체, 반도체, 부도체로 구분할 수 있다. 반도체는 진성반도체와 불순물 반도체로 나뉘며, 전자현상을 이용하는 2단자 소자인 다이오드가 대표적이다. 2. 다이오드 다이오드는 P형 반도체와 N형 반도체가 접합된 구조로, 순방향과 역방향 전압에 따라 전류가 흐르는 방향이 달라진다. 이를 이용하여 정류 회로, 제너 다이오드, 포토 다이오드, 발광 다이오드 등 다양한 응용 회로를 구현할 수 있다. 3. 트랜지스터 트랜지스터는 전류나 전압의 흐름을 조절하여 증폭, ...2025.04.26
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교류및전자회로실험 실험9-2 트랜지스터 기본회로 실험 예비보고서2025.01.171. 트랜지스터의 운전상태 트랜지스터의 운전상태는 cutoff, saturation, active 상태로 나뉜다. cutoff 상태에서는 IB가 0이고 트랜지스터가 open되어 있다. saturation 상태에서는 IB가 충분히 커서 저항이 0에 가까운 short 상태이다. active 상태는 두 상태의 중간이며 IC와 IB에 비례한다. 2. 트랜지스터 스위치 트랜지스터를 스위치로 사용할 때는 cutoff 상태와 saturation 상태로 동작한다. 작은 신호로 큰 전류를 스위칭할 수 있다. LED 점멸 회로를 통해 트랜지스터 스위...2025.01.17
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전기전자공학실험-달링턴 및 캐스코드 증폭기 회로2025.04.301. 달링턴 회로 달링턴 회로는 두 개의 BJT 트랜지스터를 하나의 IC 패키지 내에 제공한다. 달링턴 회로의 베타 실효값(beta_D)은 각 트랜지스터 베타 값의 곱과 같다. 달링턴 이미터 폴로어는 일반 이미터 폴로어에 비해 높은 입력 임피던스를 가지고 있다. 달링턴 이미터 폴로어의 입력 임피던스, 출력 임피던스, 전압 이득 등을 계산하고 측정하였다. 2. 캐스코드 회로 캐스코드 회로는 Q1을 이용한 공통 이미터 증폭기가 Q2를 이용한 공통 베이스 증폭기에 직접 연결되어 있다. Q1단의 전압이득은 약 1이며, Q2단의 전압 이득은...2025.04.30
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전기기초실험 레포트 과제2025.05.111. 다이오드 다이오드는 전류를 한쪽으로만 흐르게 하는 정류작용을 하는 전자 부품이다. 다이오드의 전기 저항은 순방향에서 매우 작지만 역방향에서는 매우 크다. 다이오드는 교류를 직류로 변환하는데 사용된다. 다이오드는 비선형 전류-전압 특성을 가지고 있다. p-n 접합 다이오드는 반도체 기반의 전자회로를 구성하는 기본 단위이다. 2. 트랜지스터 트랜지스터는 3개의 반도체 층으로 구성된 능동 반도체 소자이다. NPN 트랜지스터의 경우, 이미터와 베이스 사이에 순방향 전압을 걸면 이미터에서 베이스로 전자가 주입되고, 베이스와 컬렉터 사이...2025.05.11
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실험 04_BJT 기본 특성 예비 보고서2025.04.271. BJT의 기본 동작 원리 BJT는 N형과 P형 반도체를 샌드위치 모양으로 접합한 구조로, 이미터, 베이스, 컬렉터라는 3개의 단자로 구성된다. 베이스 단자의 전류가 컬렉터 단자의 전류나 이미터 단자의 전류에서 증폭되는 특성을 가지므로, 증폭기로 사용될 수 있다. 이 실험에서는 BJT의 기본적인 동작 원리를 살펴보고, 전류-전압 특성 및 동작 영역을 실험을 통하여 확인한다. 2. BJT의 동작 영역 BJT는 모형과 n형 반도체 3개를 결합하여 만든 소자로서, 그 구성에 따라서 npn형과 pnp형으로 나뉜다. npn형 BJT의 동...2025.04.27
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