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(22년) 중앙대학교 전자전기공학부 전자회로설계실습 예비보고서 1. Op Amp를 이용한 다양한 Amplifier 설계2025.04.301. 센서 측정 및 등가회로 센서의 출력신호를 측정하고 Thevenin 등가회로를 구하는 과정을 설명하였습니다. 센서의 출력전압이 200mV이고 부하에 걸리는 전압이 100mV일 때, 센서의 Thevenin 등가회로를 구하였습니다. 또한 Function generator의 출력을 100mV로 설정하여 센서의 등가회로를 구현하는 방법을 제시하였습니다. 2. Inverting Amplifier 설계 및 시뮬레이션 센서의 출력을 증폭하기 위해 Inverting Amplifier를 설계하였습니다. 설계 과정과 PSPICE 시뮬레이션 결과를...2025.04.30
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RLC 병렬 회로의 주파수 특성2025.01.031. RLC 병렬 회로 RLC 병렬 회로의 주파수 특성을 실험적으로 분석하였습니다. 실험 결과를 통해 공진 주파수, 임피던스, 전류 등의 변화를 확인하였습니다. 저항, 인덕터, 캐패시터 값의 변화에 따른 회로 특성의 변화를 관찰하였고, 이론값과의 비교를 통해 오차 분석을 수행하였습니다. 또한 시뮬레이션을 통해 회로 파라미터 변화에 따른 주파수-전류 특성의 변화를 확인하였습니다. 1. RLC 병렬 회로 RLC 병렬 회로는 저항(R), 인덕터(L), 캐패시터(C)가 병렬로 연결된 전기 회로입니다. 이 회로는 다양한 응용 분야에서 사용되...2025.01.03
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서1(분반1등)2025.01.111. 센서 Thevenin 등가회로 구현 센서의 출력 전압을 오실로스코프로 측정하였을 때 200mV(peak to peak)가 측정되었다. V_th(=Vampl)의 크기는 100mV으로, peak to peak 값은 100mV*2= 200mV가 된다. 10kΩ의 부하 저항에 흐르는 전압을 측정해보니 100mV(peak to peak)가 측정되었다. 오실로스코프의 입력 임피던스 값은 부하 저항에 비해 매우 큰 값이고, 전류는 모두 부하 저항 쪽으로 흐르게 될 것이다. 우리는 전압 분배 법칙에 의해 계산을 해보면 100mV = 의 수...2025.01.11
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회로이론및실험1 12장 커패시터 직병렬 회로 A+ 결과보고서2025.01.131. RC회로의 위상 특성 실험을 통해 RC회로의 위상 특성을 이해하였다. RC직렬회로에서 저항 전압은 전류와 동상이며 전원 전압보다 앞선 위상이고, 커패시터 전압은 전원 전압보다 뒤진 위상이며, 커패시터 전압과 전류의 위상차는 90도이다. RC병렬회로에서는 어드미턴스를 적용한 옴의 법칙을 사용할 수 있다. 2. RC회로의 전압과 전류의 관계 실험을 통해 RC회로의 전압과 전류의 관계를 이해하였다. 커패시터에 걸리는 전압과 커패시터 내에 흐르는 전류의 위상 관계를 파악하였으며, 커패시터 내에 흐르는 전류의 위상이 커패시터에 걸리는 ...2025.01.13
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중앙대학교 전자회로설계실습 7주차 Common Emitter Amplifier의 주파수 특성2025.01.121. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 이 보고서는 중앙대학교 전자회로설계실습 7주차에 진행된 Common Emitter Amplifier의 주파수 특성에 대한 내용을 다루고 있습니다. 보고서에는 PSPICE 시뮬레이션을 통해 Common Emitter Amplifier의 주파수 특성을 분석한 결과가 제시되어 있습니다. 구체적으로 입력 신호 주파수 변화에 따른 출력 전압의 최대값, 최소값, 전압 이득 등의 변화를 확인하였고, RE 및 CE 커패시터 값 변화에 따른 주파수 응답 특성의 변화도 분석하였습니다. ...2025.01.12
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A+ 전자회로설계실습_Common Emitter Amplifier의 주파수 특성2025.01.211. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 이전 실험에서 설계한 emitter 저항을 사용한 Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 및 커패시터들의 영향을 측정하고 평가했습니다. PSPICE 시뮬레이션을 통해 다양한 조건에서의 출력 파형, 이득, 주파수 특성 등을 분석했습니다. 커패시터 값 변화에 따른 주파수 특성 변화를 확인했으며, 3dB 대역폭과 unity gain 주파수 등을 구했습니다. 또한 function generator 설정에 대해서도 설명했습니다. 1. Common Emitte...2025.01.21
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전자회로설계 및 실습1_설계 실습1. OP Amp를 이용한 다양한 Amplifier 설계_예비보고서2025.01.221. 센서 측정 및 등가회로 센서의 출력신호가 주파수 2kHz의 정현파이고 peak to peak 전압이 200mV인 것을 확인했다. 센서의 부하로 10KΩ 저항을 연결했을 때 peak to peak 전압이 100mV로 감소했다. 이를 통해 센서의 Thevenin 등가회로를 구할 수 있으며, Function generator와 저항으로 이를 구현할 수 있다. 2. Inverting Amplifier 설계 및 시뮬레이션 센서의 출력을 증폭하기 위해 Inverting Amplifier를 설계했다. 설계 과정과 PSPICE 시뮬레이션 결...2025.01.22
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Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 결과보고서2025.04.271. Common Emitter Amplifier Common Emitter Amplifier는 입력은 베이스를 통하고 출력은 컬렉터 단자에서 얻으며 이미터를 입출력 단자에 공통으로 이룬다. 설계목표를 달성하기 위해 그림의 회로를 설계하였다. 입력신호가 베이스 단자에 인가되고 컬렉터에서 출력신호가 나오도록 구성된 Common Emitter Amplifier 회로를 구성하여 주어진 조건을 이용하여 주파수 특성 및 커패시터들의 영향을 측정하였고 이론값과 비슷하게 나왔다. 2. 주파수 특성 입력신호의 크기를 20 mVpp로 고정하고 주파...2025.04.27
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A+ 2022 중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서 7 Common Emitter Amplifier의 주파수 특성2025.05.011. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 이전 실험의 2차 설계 결과 회로(Ri 추가)에 대하여 모든 커패시터의 용량을 10 uF으로 하고 CE 증폭기에 100 kHz, 20 mVpp 사인파를 입력하였을 때의 출력파형을 PSPICE로 Simulation하여 제출하였습니다. 출력전압의 최댓값(V_max), 최솟값(|V_min|)은 각각 159.256 [mV], 167.574 [mV]이며, V_max/|V_min| 비율은 95.036%입니다. 입력신호의 주파수가 10 Hz에서 10 MHz까지 변할 때 CE amp...2025.05.01
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A+ 받을 수 있는 중앙대학교 전기회로설계실습 설계실습 6.계측장비 및 교류전원의 접지상태의 측정방법설계 예비보고서2025.05.121. DMM 사용을 통한 교류전원 접지 상태 측정 전기공학도에게 중요한 DMM, Function Generator, 오실로스코프를 이용하여 DMM과 오실로스코프의 주파수 응답 차이를 이해하고, Function Generator와 오실로스코프의 접지에 대해 이해한다. DMM을 사용하여 실험실 교류전원(220V) power outlet 두 개의 접지 사이 전압을 측정하는 방법을 설계한다. 2. Function Generator, DMM, 오실로스코프의 주파수 특성 비교 Function Generator의 출력저항과 DMM, 오실로스코프...2025.05.12