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반도체 다이오드 특성 보고서2025.05.101. p-n 접합 다이오드 p-n 접합 다이오드는 순방향 전압이 문턱전압을 넘어서면 전류가 흐르고, 역방향 전압이 항복전압을 넘어서면 역방향 전류가 급격히 흐르는 특성을 가지고 있다. 이번 실험에서는 p-n 접합 다이오드의 정류 작용을 관찰하였다. 2. 제너 다이오드 제너 다이오드는 순방향 연결에서 문턱전압이 약 0.6V이며, 역방향 연결에서 항복전압이 약 4.3V인 것을 확인하였다. 제너 다이오드는 역방향 연결에서 항복전압을 넘어서면 전류가 급격히 증가하는 특성을 가지고 있다. 3. 다이오드의 정류 작용 일반 다이오드의 경우 순방...2025.05.10
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전자회로실험 A+ 11주차 결과보고서(BJT Common Base Amplifier, Emitter, Follower)2025.05.101. BJT Common Base Amplifier 이 실험에서는 BJT common base amplifier의 특성을 측정하고 분석했습니다. 실험을 통해 증폭기의 이득, 입력 및 출력 임피던스 등의 파라미터를 계산하고 측정값과 비교했습니다. 또한 common base amplifier와 emitter follower의 특성을 비교하여 차이점을 확인했습니다. 2. Emitter Follower 이 실험에서는 emitter follower 회로의 특성을 측정하고 분석했습니다. 실험을 통해 emitter follower의 이득, 입력...2025.05.10
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회로를 구성하는 소자 중 수동소자(저항, 인덕터, 커패시터)들의 개념과 기능 및 용도들을 설명해보자2025.05.041. 수동소자 수동소자란 전자회로를 구성하는 소자 중 전기적 에너지를 소모, 저장 혹은 전달할 뿐 다른 역할을 하지 않는 소자를 말하며 수동적으로 작용할 뿐이며 외부 전원 없이 단독으로 동작하게 됩니다. 수동소자의 예시로는 저항, 캐패시터, 인덕터 등이 있습니다. 2. 능동소자 능동소자는 전자회로를 구성하는 소자 중 입력 신호의 증폭 또는 발진 등을 작용할 수 있는 소자를 말하며 에너지 보존 법칙이 성립해야 하므로 다른 전원 장치로부터 에너지를 얻어 작동하며 전압원, 전류원, 저항 또는 축전기와 같은 수동 소자로 구성된 등가회로로 ...2025.05.04
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Filters2025.05.041. RC 필터 (저역 통과 필터) RC 필터는 낮은 주파수만 통과시키는 역할을 한다. 입력 전압과 출력 전압의 관계는 V_out = V_in * (1/sqrt(1 + (ωRC)^2))로 나타낼 수 있다. 이를 통해 차단 주파수 f_c = 1/(2πRC)를 구할 수 있다. 실험 결과에서 저항 값에 따라 차단 주파수가 약 2배 차이가 나는 것을 확인할 수 있다. 2. RC 필터 (고역 통과 필터) 고역 통과 필터는 높은 주파수를 통과시키는 역할을 한다. 입력 전압과 출력 전압의 관계는 V_out = V_in * (ωRC/sqrt(1 ...2025.05.04
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중앙대 BJT와 MOSFET을 사용한 구동(switch) 회로 예비보고서2025.05.051. 구동회로 측정 함수발생기는 예를 들어 5 Vpp square pulse를 선택하면, 부하가 50 Ω일 때 평균이 0 V이고 +2.5 V, -2.5 V의 펄스를 생성한다. 설계한 구동회로에 1Hz, 5 Vdc square pulse (50%)를 인가하려면 함수발생기의 전압(Vpp), OFFSET을 어떻게 조정해야 하는가? 제시문에 따르면 함수발생기는 전면 출력에 5 Vpp square pulse를 선택한 경우 그 절반을 각각 양수 및 음수의 진폭으로 가지는 펄스를 생성한다. 함수발생기의 실제 출력은 전면의 화면에 표시된 Vpp ...2025.05.05
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기초전자회로실험 (전체리포트)2025.01.181. 전자회로 기본 실험 이번 실험에서는 전자회로의 기본적인 계측기 사용법과 직병렬 회로, 다이오드 회로 설계 및 기판 납땜 실습을 진행했습니다. 저항, 멀티미터, 파워서플라이, 브레드보드 등의 기본 소자와 회로 구성 방법을 익혔고, 전압 분배 법칙, 전류 분배 법칙, KVL, KCL 등 전자회로의 기본 이론을 학습했습니다. 또한 다이오드의 특성과 정류 회로에 대해서도 실험을 진행했습니다. 2. 트랜지스터 특성 실험 2주차에는 트랜지스터의 종류와 리드선 확인, 트랜지스터 회로 구성 및 전압/전류 측정 실험을 진행했습니다. 트랜지스터...2025.01.18
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[보고서점수A+]한국기술교육대학교 전자회로실습 CH1. PN접합다이오드 실험보고서2025.05.051. P형 반도체 P형 반도체는 반도체 소자의 주재료인 실리콘(Si)이나 게르마늄(Ge)에 3가 원소인 인듐(In), 갈륨(Ga)과 같은 물질을 도핑시킨 것으로, 원자 간의 전자결합 구조를 변화시켜 정공 수를 늘리고 반도체의 도전율을 증가시킨 반도체이다. P형 반도체에서 다수 캐리어는 정공이고, 소수 캐리어는 자유전자이다. 2. N형 반도체 N형 반도체는 순수 반도체에 5가 원소인 안티몬(Sb), 비소(As)와 같은 물질을 도핑시킨 것으로, 원자 간의 전자결합 구조를 변화시켜 자유전자 수를 늘리고 반도체의 도전율을 증가시킨 반도체이...2025.05.05
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한국기술교육대학교 전자회로실습 CH4. 다이오드 클리퍼 클램프 실험보고서2025.05.051. 클리퍼 회로 클리퍼 회로는 신호를 전송할 때 어떤 값 이상 또는 이하의 신호전압을 제거하는 회로이며, 리미터(limiter), 슬라이서(slicer)라고도 부른다. 정현파를 구현파로 전환하거나 입력신호의 일부 혹은 전부, 양(+) 또는 음(-)의 파형을 잘라 낸 파형을 보내는 정류작용도 한다. 2. 클램프 회로 클램프 회로는 입력파형의 모양은 변화시키지 않고 다른 직류레벨(DC level)에 고정시키는 회로이다. 회로의 시정수 τ=RC가 주기 T에 비하여 충분히 크면 리플전압이 작아져 한 주기동안 커패시터의 양단전압이 계속 유...2025.05.05
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[A+]전자회로설계실습 예비보고서 42025.01.041. MOSFET 소자 특성 이 보고서의 목적은 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 소자의 특성인 문턱전압(VT), 전도도 계수(kn)를 데이터시트를 이용하여 구하고, 설계 및 구현을 통해 전압 변화에 따른 전류를 측정하여 소자의 특성을 분석하는 것입니다. 준비물로는 DC 전원 공급장치, 디지털 멀티미터, 연결선, 브레드보드, 점퍼 와이어 키트, MOSFET 소자(2N7000) 및 1kΩ 저항이 필요합니다. 실습 계획은 데이터시트를 활용하여 VT와 kn을 구하고, ...2025.01.04
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전자회로실험 과탑 A+ 결과 보고서 (실험 5 BJT 바이어스 회로)2025.01.291. 전압분배 바이어스 회로 전압분배 바이어스 회로는 BJT 증폭기의 베이스 전압과 컬렉터 전류를 안정적으로 설정하기 위해 사용된다. 이 회로는 두 개의 저항 R_B1과 R_B2를 통해 베이스 전압을 결정하며, 이를 통해 트랜지스터의 동작점을 설정한다. 베이스 전압 V_B, 베이스 전류 I_B, 컬렉터 전류 I_C, 컬렉터 전압 V_C 등의 관계식을 통해 회로의 동작을 이해할 수 있다. 이 회로는 온도 변화나 트랜지스터 특성의 변화에도 안정적인 동작을 보장한다. 2. 베이스 바이어스 회로 베이스 바이어스 회로는 트랜지스터 증폭기의 ...2025.01.29
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