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능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기의 특성 분석2025.01.291. 능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기 능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기 회로는 일반적인 공통 소오스 증폭기에서 저항 대신 MOSFET 소자를 부하로 사용하는 회로이다. 이를 통해 높은 출력 임피던스와 큰 전압 이득을 얻을 수 있다. 이 회로는 고성능 증폭기를 구현할 때 많이 사용된다. 능동 부하는 일반 저항보다 높은 임피던스를 제공하므로, 전압 이득이 극대화된다. 이로 인해 능동 부하 공통 소오스 증폭기는 작은 신호 입력에서도 큰 증폭이 가능하다. 2. 능동 부하의 역할 회로에서 M_2와 M_3는 능동 부하로 작동하여 출력...2025.01.29
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전자회로실험 과탑 A+ 결과 보고서 (실험 24 연산 증폭기 응용 회로 2)2025.01.291. 적분기 회로 적분기 회로는 입력 저항 R과 피드백 커패시터 C로 이루어진 간단한 구성으로, 입력 신호에 의해 전류가 흐르고 이 전류가 커패시터에 전하를 축적하면서 출력 전압이 변화하는 원리로 동작합니다. 입력 신호가 일정하면 출력은 선형적으로 증가하거나 감소하며, 저주파 신호에 민감하고 고주파 신호는 감쇠됩니다. 적분기 회로는 속도에서 위치를 계산하는 신호 처리, 삼각파/사인파 생성기, 저주파 필터 및 데이터 누적 계산 등에 응용됩니다. 2. 미분기 회로 미분기 회로는 입력 단자에 커패시터 C와 피드백 경로에 저항 R을 사용하...2025.01.29
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서강대학교 22년도 전자회로실험 2주차 결과레포트 (A+자료)2025.01.121. OP AMP 기본 원리 이번 실험은 OP AMP의 원리를 이용한 증폭기, 미분기, 적분기 등을 설계하고 동작을 확인하는 실험이었습니다. 실험 결과 이론적인 계산값과 5% 이내의 오차를 보이며 회로가 의도한 대로 동작하는 것을 확인할 수 있었습니다. 이를 통해 OP AMP를 이용해 원하는 전압이득을 가진 증폭기, 미분기, 적분기 등을 설계할 수 있다는 것을 알 수 있었습니다. 오차 요인으로는 passive 소자의 허용오차, OP AMP의 offset voltage 및 비이상적인 특성, 측정 장비의 오차, 전자파 및 물리적 접촉에...2025.01.12
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BJT 3-BJT Amplifier_예비레포트2025.01.121. BJT 증폭기 이 보고서는 BJT(Bipolar Junction Transistor) 증폭기의 작동 원리와 특성을 다룹니다. Common Emitter 회로에서 BJT의 전압 및 전류 관계를 설명하고, 이를 바탕으로 Small Signal Parameters와 Gain을 계산하는 방법을 제시합니다. 또한 실험을 통해 이론적 예측과 실제 측정 결과를 비교하여 BJT 증폭기의 동작을 확인합니다. 1. BJT 증폭기 BJT(Bipolar Junction Transistor) 증폭기는 전자 회로에서 널리 사용되는 중요한 회로 구성 요...2025.01.12
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비10. Oscillator 설계 A+2025.01.271. Oscillator 설계 이 문서는 중앙대학교 전자회로설계실습 수업의 예비 실습 10번 과제인 Oscillator 설계에 대한 내용을 다루고 있습니다. 문서에는 OrCAD PSPICE를 사용하여 주어진 조건에 맞는 Oscillator 회로를 설계하고, 시뮬레이션을 통해 회로의 동작 특성을 분석한 내용이 포함되어 있습니다. 또한 Feedback factor (β)와 Feedback 저항 (R)의 변화에 따른 Oscillator의 동작 특성 변화를 분석하고 있습니다. 1. Oscillator 설계 오실레이터 설계는 전자 회로 설계...2025.01.27
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비11. Push-Pull Amplifier 설계 A+2025.01.271. Classic Push-Pull Amplifier 특성 그림 1(a) 회로를 simulation하기 위한 PSpice schematic을 그리되, BJT를 제외하고 부하저항을 100Ω으로 놓고, Simulation Profile에서 Analysis type을 DC Sweep으로 설정하고서 DC 전압원의 값을 –12 V에서 +12 V까지 0.001 V의 증분으로 증가시킴에 따라 부하저항 양단의 출력전압이 어떻게 변하는지를 보여주는 입출력 transfer characteristic curve를 확인하였다. 이를 통해 입력전압의 절...2025.01.27
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전자공학실험 1장 PN 접합 다이오드 및 제너 다이오드 A+ 결과보고서2025.01.151. PN 접합 다이오드 PN 접합 다이오드는 P형과 N형 반도체의 접합으로 구성되어 있으며, 전류를 한쪽으로만 흐르게 하는 소자입니다. 다이오드는 순방향으로 전압을 인가하면 소자가 켜지면서 저항이 작아지고, 역방향으로 전압을 인가하면 소자가 꺼지면서 저항이 아주 커지는 특성을 지닙니다. 실험을 통해 PN 접합 다이오드의 동작 특성과 전압-전류 특성을 확인하였습니다. 2. 제너 다이오드 제너 다이오드는 역방향에서 항복 전압을 낮추어 준 소자로서 역방향 바이어스 시 양단 사이의 전압 강하가 일정한 특성을 지닙니다. 실험을 통해 제너 ...2025.01.15
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교류및전자회로실험 실험8_공진회로 결과보고서2025.01.201. 공진 현상 실험을 통해 직렬 및 병렬 공진 현상을 확인하고, 이것이 임피던스의 주파수 특성에 미치는 영향을 살펴보았다. 주파수가 증가함에 따라 측정값과 예상값 사이의 오차가 증가하는 현상이 관찰되었는데, 이는 회로의 고주파 특성 저하 및 임피던스 변화로 인한 것으로 추정된다. 공진 주파수 근처에서는 커패시터 전압과 인덕터 전압의 상대적 크기가 변화하는 것이 확인되었고, 전원전압과 저항 전압 간의 위상 차이도 관찰되었다. 실험에서 측정된 공진도와 차단주파수는 예상값과 불일치하였는데, 이는 임피던스 변화와 장비 한계로 인한 것으로...2025.01.20
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전자회로설계실습 11차 예비보고서2025.05.101. Push-Pull Amplifier Push-Pull 증폭기의 동작을 이해하고 Dead zone과 Crossover distortion 현상을 파악하며 이를 제거하는 방법에 대해서 실험하였습니다. 회로 시뮬레이션을 통해 Dead zone이 발생하는 이유와 이로 인한 Crossover distortion 현상을 확인하였습니다. 또한 OP amp를 이용한 negative feedback 회로를 구성하여 Dead zone을 제거하고 Crossover distortion을 개선할 수 있음을 확인하였습니다. 마지막으로 Push-Pull...2025.05.10
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[A+] 전자회로설계실습 4차 예비보고서2025.05.101. MOSFET 소자 특성 측정 이 보고서의 목적은 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 소자의 특성(문턱전압 VT, 전류계수 kn, 전압이득 gm)을 데이터시트를 이용하여 구하고, 회로를 설계 및 구현하여 전압 변화에 따른 전류를 측정하고 이를 통해 소자의 특성을 구하는 것입니다. 실험에 사용된 MOSFET은 2N7000 모델이며, 데이터시트 정보를 활용하여 VT와 kn을 계산하고, kn을 이용해 VOV=0.4V일 때의 gm 값을 구했습니다. 또한 OrCAD PS...2025.05.10
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