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[기초전자실험 with pspice] 09 노턴의 정리 결과보고서 <작성자 학점 A+>2025.04.281. 노턴의 정리 노턴의 정리 - 결과보고서 실험 시 사용했던 장비 & 부품파워 서플라이멀티미터브레드보드고정 저항 x4 [300Ωx2, 150Ω, 330Ω] 실험 결과 & 사진기본 회로 실험이론값노턴 등가회로 실험[V][mA][V][][V][mA]3.12059.613.13002.92389.11 결론(실험 결과에 대한 설명)기본 회로에서 부하저항에 걸린 전압 과 노턴 등가회로의 의 값이 비슷하다. 또한, 기본 회로에서 부하저항에 흐르는 전류 과 노턴 등가회로의 이 약간의 오차가 있지만 유사하다. 이는 등가회로의 등가성이 성립되기 때...2025.04.28
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전자전기컴퓨터설계1 결과보고서 9주차2025.05.041. RC 회로 첫 번째 실험은 RC 회로에서 저항의 크기에 따른 그래프의 파형을 관찰하고, 시정수를 구하였다. 이론적으로 구한 시정수와 실제 커서를 통해서 구한 시정수는 같았다. RC 회로의 시정수는 R×C 이다. 2. LC 회로 두 번째 실험은 LC 회로에서 저항의 크기에 따른 그래프의 파형을 관찰하고, 시정수를 구하였다. 이론적으로 구한 시정수와 실제 커서를 통해서 구한 시정수는 대부분 같았다. 68Ω일 때 가장 큰 유효숫자의 값이 달랐지만 시정수 자체가 매우 작은 것을 감안하면, 거의 같은 값으로 볼 수 있다. LC 회로의 ...2025.05.04
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중앙대학교 3학년 1학기 전자회로설계실습 결과보고서12025.05.141. Function generator 특성 및 voltage division 첫 번째 실험에서는 Function generator의 자체 특성과 voltage division에 의해 output resistance에 걸리는 전압이 어떻게 변하는지를 관측하였고, 정확하게 측정되었다. 2. Inverting amplifier 설계 및 특성 두 번째 실험에서는 inverting amplifier를 사용하였다. 예비보고서와 최대한 비슷하게 설계를 하였고, 센서의 내부저항을 고려하여 amplifier gain이 -10배가 되도록 설계하였다...2025.05.14
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A+ 2022 중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서 7 Common Emitter Amplifier의 주파수 특성2025.05.011. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 이전 실험의 2차 설계 결과 회로(Ri 추가)에 대하여 모든 커패시터의 용량을 10 uF으로 하고 CE 증폭기에 100 kHz, 20 mVpp 사인파를 입력하였을 때의 출력파형을 PSPICE로 Simulation하여 제출하였습니다. 출력전압의 최댓값(V_max), 최솟값(|V_min|)은 각각 159.256 [mV], 167.574 [mV]이며, V_max/|V_min| 비율은 95.036%입니다. 입력신호의 주파수가 10 Hz에서 10 MHz까지 변할 때 CE amp...2025.05.01
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[A+]전자회로설계실습 실습 2 결과보고서2025.01.041. 센서의 구현 실험 결과 offset voltage가 증폭되어 4.23V가 출력되었습니다. Amplifier의 두 단자를 모두 접지하였지만, 입력단자의 미세한 신호가 매우 큰 open loop gain에 의해 증폭되었습니다. Open loop gain은 증폭비를 알 수 없기 때문에 offset voltage를 구할 수 없습니다. 2. Integrator의 동작 실험에서는 가변저항을 530Ω에 가까운 500Ω정도로 맞추어 입력저항으로 연결하였습니다. 이에 따라 Function generator는 2Vpp로 설정되어 있기 때문에 F...2025.01.04
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응전실1_전압체배회로_결과보고서2025.01.131. 전압 체배 회로 이 보고서는 전압 체배 회로에 대한 실험 결과를 다루고 있습니다. 실험 1에서는 회로를 구성하고 VM-G, VA-G, VP-G를 측정했습니다. 실험 2에서는 500Ω의 부하를 병렬로 연결하여 동일한 측정을 수행했습니다. 결과 분석에 따르면 다이오드의 개수 차이와 중간 저항으로 인한 전압 강하로 인해 측정값에 차이가 있었습니다. 또한 이상적인 상황이 아니어서 약간의 오차가 발생했지만, 전압 체배 회로의 동작 원리를 잘 보여주는 실험 결과라고 할 수 있습니다. 1. 전압 체배 회로 전압 체배 회로는 입력 전압보다 ...2025.01.13
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7주차_결과2025.01.131. Full Wave Rectifier 실험1에서는 Full Wave Rectifier 회로를 구현하고 다양한 부하 조건에서의 출력 특성을 관찰하였습니다. 입력 신호가 모두 (+)로 정류되어 출력되는 것을 확인하였고, 부하에 커패시터를 연결할수록 DC 전압에 가까운 출력 파형을 얻을 수 있었습니다. 이론값과 실험값, 시뮬레이션 결과를 비교하여 오차 발생 원인을 분석하였습니다. 2. Buck Converter 실험2에서는 Buck Converter 회로를 구현하고 스위칭 주파수와 듀티 사이클 변화에 따른 출력 특성을 관찰하였습니다....2025.01.13
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전자회로설계실습 실습 8 결과보고서2025.01.041. 단일 Current Mirror 구현 및 측정 본 실습에서는 그림 1의 회로를 breadboard에 구현하고, 전원 공급 장치를 연결하여 MOSFET M1과 M2의 VGS, VDS를 측정하였습니다. 또한 각 저항 사이의 전압을 이용하여 기준 전류 IREF와 출력 전류 IO를 계산하였습니다. 대부분의 측정값이 일정 오차 범위 내에서 정상적으로 출력되었지만, 일부 차이가 발생한 이유에 대해서는 추가적인 분석이 필요할 것으로 보입니다. 1. 단일 Current Mirror 구현 및 측정 단일 Current Mirror는 전자 회로에...2025.01.04
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전자공학실험 1장 PN 접합 다이오드 및 제너 다이오드 A+ 예비보고서2025.01.131. PN 접합 다이오드의 기본 구조와 동작 원리 PN 접합 다이오드는 p형 반도체와 n형 반도체의 접합으로 만들어지는 비선형 소자이다. 다이오드는 극성 소자로서 양단에 걸리는 전압에 따라 전류 특성이 변한다. 다이오드의 양극이 음극보다 전압이 높으면 순방향 바이어스 전압이 인가되었다고 하고, 양극에서 음극으로 전류를 흘리게 된다. 반대로 음극이 양극보다 전압이 높게 된다면 역방향 바이어스 전압이 인가되었다고 하고 양단 사이에 전류가 흐르지 않게 된다. 2. PN 접합 다이오드의 동작 영역과 전류-전압 특성 PN접합 다이오드는 양단...2025.01.13
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A+받은 오실로스코프 사용법 및 원리 예비레포트2025.05.101. 오실로스코프의 구성 오실로스코프는 CRT 스크린에 시간 변화에 따른 전압 파형을 시각적으로 나타낸다. CRT는 전자총, 수직/수평 편향판, 스크린 등이 들어 있다. 전자총에서 발사된 전자빔이 CRT 스크린 내부 표면의 화학 물질과 충돌하여 빛을 방출한다. 이때 전자총에서 발사된 전자빔의 운동은 오실로스코프 회로내에서 발생된 수직 및 수평 편향 전압에 의해 제어된다. 2. 오실로스코프의 조작 오실로스코프의 노브의 형태와 제어 스위치는 제조사에 따라 다르며, 일반적인 오실로스코프의 조작에는 강도 조절기, 초점 조절기, 수차 조절기...2025.05.10