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중앙대 전자회로설계실습 결과보고서92025.01.121. Series-Shunt 피드백 증폭기 실습 4.1(A), (B)에서 Series-Shunt 피드백 증폭기의 입력저항을 1㏀로, 부하저항을 1㏀ 저항으로 제작하여 입력전압을 0V부터 6V까지 1V씩 증가시키며 출력전압을 측정한 후, 입력저항 10㏀, 부하저항 100Ω으로 교체하여 같은 방식으로 입력전압을 증가시키며 출력전압을 측정하고 두 측정값을 비교해 보았다. 두 실습의 출력전압을 비교해본 결과, 입력저항과 부하저항을 바꾸었을 때 gain과 출력전압의 차이가 아주 작았다. 이것을 통해, 식 × 에서 알 수 있듯...2025.01.12
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중앙대 전자회로설계실습 결과보고서102025.01.121. Oscillator 회로 설계 및 측정 전자회로설계실습 결과보고서에서는 Op-Amp를 이용한 Oscillator 회로를 설계하고 측정하여 positive feedback의 개념을 파악하고 피드백 회로의 parameter 변화에 따른 신호 파형을 학습하는 실습을 진행하였습니다. 대부분의 실험에서 오차는 10% 내외로 발생하였으므로 비교적 정확한 실험을 진행한 것으로 볼 수 있습니다. 오차의 원인으로는 가변저항 R의 값을 조정하는 과정에서 손으로 직접 맞춰야했기 때문에 오차가 발생했을 것이고 측정기기 내의 내부 저항들로 인해 작은...2025.01.12
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전자회로설계실습 실습 7 결과보고서2025.01.041. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 실습을 통해 Common Emitter Amplifier의 주파수 특성을 관찰하였습니다. 주파수를 변화시키면서 입력, 출력 전압과 전압 이득을 측정하였고, 커패시터 값을 변경하여 주파수 응답 특성의 변화를 확인하였습니다. 저주파 영역에서는 측정값과 시뮬레이션 값의 오차가 크게 나타났는데, 이는 저주파 신호에 고주파 노이즈가 섞여 정확한 측정이 어려웠기 때문입니다. 하지만 대역폭 영역에서는 시뮬레이션 결과와 잘 일치하는 것을 확인할 수 있었습니다. 1. Common Em...2025.01.04
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[A+]전자회로설계실습 예비보고서 42025.01.041. MOSFET 소자 특성 이 보고서의 목적은 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 소자의 특성인 문턱전압(VT), 전도도 계수(kn)를 데이터시트를 이용하여 구하고, 설계 및 구현을 통해 전압 변화에 따른 전류를 측정하여 소자의 특성을 분석하는 것입니다. 준비물로는 DC 전원 공급장치, 디지털 멀티미터, 연결선, 브레드보드, 점퍼 와이어 키트, MOSFET 소자(2N7000) 및 1kΩ 저항이 필요합니다. 실습 계획은 데이터시트를 활용하여 VT와 kn을 구하고, ...2025.01.04
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[A+]전자회로설계실습 실습 3 결과보고서2025.01.101. 브릿지 전파정류회로 4개의 다이오드를 사용하는 브릿지 전파정류회로를 설계하고 제작하였다. 정류회로 양단의 전압차를 측정하는 실험을 제외하고 실험의 측정값들이 수식으로 구한 이론값들과 큰 오차를 보이지 않고 설계와 일관된 결과를 얻었지만 5KΩ의 저항을 사용했을 때보다 20KΩ의 저항의 사용했을 때 오차가 소폭 상승하였다. 2. 전압 파형 측정 Function Generator를 10Vpp, 40kHz로 설정하고 회로를 연결하여 A와 B점 사이의 전압 파형을 측정해 보았지만 원하던 결과를 얻을 수 없었다. 이는 회로의 GND와 ...2025.01.10
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전자회로설계실습 3번 예비보고서2025.01.201. 전자회로설계실습 전자회로설계실습 과정에서 전파정류회로를 사용하여 교류전원으로부터 직류전압을 얻는 기본적인 직류전압 공급기(DC power Supply)를 설계, 구현, 측정, 평가하는 내용을 다룹니다. 이를 위해 필요한 실습준비물과 설계실습 계획서를 포함하고 있습니다. 2. 전파정류회로 전파정류회로는 교류전원을 직류전압으로 변환하는 회로입니다. 이 보고서에서는 Bridge 방식 전파정류회로에 커패시터와 부하저항을 병렬로 연결한 회로를 설계하고 분석하는 내용을 다루고 있습니다. 전압강하, 리플 전압 등의 특성을 계산하고 PSPI...2025.01.20
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전자회로설계실습 4번 예비보고서2025.01.201. MOSFET 소자 특성 측정 이 보고서는 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 소자의 특성을 측정하고 분석하는 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용은 MOSFET의 문턱전압(VT), 전류계수(kn), 전압이득(gm) 등의 파라미터를 데이터시트와 시뮬레이션을 통해 구하고 비교하는 것입니다. 또한 MOSFET 회로를 구성하고 시뮬레이션을 수행하여 입출력 특성을 분석하는 내용도 포함되어 있습니다. 1. MOSFET 소자 특성 측정 MOSFET(Metal-Oxide-Se...2025.01.20
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전자회로설계실습 6번 예비보고서2025.01.201. Common Emitter Amplifier 설계 이 문서는 NPN BJT를 사용하여 emitter 저항이 있는 Common Emitter Amplifier를 설계, 구현, 측정, 평가하는 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용으로는 부하저항 결정, 바이어스 전압 계산, 입력저항 산출, PSPICE 시뮬레이션 결과 분석, 측정 및 특성 분석 등이 포함되어 있습니다. 2. Emitter 저항을 사용한 Common Emitter Amplifier 설계 이 문서에서는 emitter 저항을 사용한 Common Emitter Amplifi...2025.01.20
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A+ 전자회로설계실습_Voltage Regulator 설계2025.01.211. 전파정류회로 전파정류회로를 사용하여 교류전원으로부터 직류전압을 얻는 기본적인 직류전압공급기(DC power Supply)를 설계, 구현, 측정, 평가하는 것이 이 실습의 목적입니다. 전파정류회로는 입력 주파수의 1/2배인 출력 주파수를 가지며, 이를 이용하여 출력 전압의 리플 전압을 최소화하도록 설계합니다. 2. 전원 설계 5 KΩ의 부하(RL)에 걸리는 직류전압의 최대치(Vp)가 4.4 V이며, 리플(Vr)이 0.9 V 이하가 되도록 교류 입력 전원의 크기와 커패시터(C)의 크기를 설계합니다. 다이오드의 저항은 0.7 KΩ으...2025.01.21
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중앙대학교 전자회로설계실습 결과보고서 3 - Voltage Regulator 설계2025.01.241. 전자회로 설계 이 보고서는 중앙대학교에서 진행된 전자회로 설계 실습 결과를 다루고 있습니다. 주요 내용은 브리지 방식 정류회로 설계, 정류 현상 관찰, 다이오드와 커패시터 특성 이해, Voltage Regulator를 통한 AC-DC 변환 및 정전압 유지 등입니다. 실험 과정에서 발생한 오차 요인 분석과 개선 방안도 제시되어 있습니다. 2. 브리지 정류회로 보고서에서는 4개의 다이오드를 사용하는 브리지 방식 정류회로를 설계하고 제작하였습니다. 정류회로 양단의 전압차를 측정하여 실제 사용된 변압기의 비율이 1:1.27임을 확인하...2025.01.24
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