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Thevenin & Norton 정리 / 중첩의 원리 & 가역 정리 예비 보고서2025.04.271. Thevenin 정리 Thevenin 정리는 복잡한 회로를 간단한 등가회로로 변환할 수 있는 방법이다. 실험 결과에 따르면, Thevenin 등가회로의 전압과 전류가 원래 회로의 전압과 전류와 거의 일치하는 것을 확인할 수 있었다. 이를 통해 Thevenin 정리가 성립함을 알 수 있다. 2. Norton 정리 Norton 정리는 Thevenin 정리와 유사하게 복잡한 회로를 간단한 등가회로로 변환할 수 있는 방법이다. 실험 결과에 따르면, Norton 등가회로의 전류가 원래 회로의 전류와 거의 일치하는 것을 확인할 수 있었다...2025.04.27
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전자공학실험2 15장 예비레포트2025.05.071. 소신호 소스 공통 FET 교류증폭기 소신호 소스 공통 FET 교류증폭기의 동작원리를 이해하고 직류 및 교류 파라미터를 측정하여 실제 이론값과 비교 고찰하며, 증폭기의 전압이득에 영향을 미치는 파라미터들에 대해 분석한다. JFET 소스 공통 교류증폭기와 MOSFET 소스 공통 교류증폭기의 동작 원리와 해석 방법을 설명하고, 시뮬레이션을 통해 바이패스 캐패시터와 부하저항 변화에 따른 출력전압의 변화를 확인한다. 1. 소신호 소스 공통 FET 교류증폭기 소신호 소스 공통 FET 교류증폭기는 전자회로 설계에서 중요한 역할을 합니다. ...2025.05.07
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7 segment counter 결과보고서(틴커캐드)2025.05.031. 7 segment decoder와 7 segment LED 7 segment decoder와 7 segment LED를 연결해 Decoder에 입력되는 이진수에 따라 대응되는 10진수의 표기를 LED를 통해 확인할 수 있었다. 입력은 0000부터 1111까지 실험을 진행했으며, 0부터 9까지 입력되는 이진수와 대응되는 10진수가 7 segment LED에 디지털 숫자 표기로 나타났다. 그러나 10부터 15까지는 한 개의 7 segment LED로는 표기할 수 없어 입력값에 따른 표기가 나타나지 않았다. 2. 4 bit deca...2025.05.03
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오실로스코프를 활용한 측정 보고서-고퀄2025.05.031. 오실로스코프 측정 방법 오실로스코프 전원을 켜고 채널 2개를 설정한 후 DC를 제거한다. GND 신호를 원점에 맞추고 측정 대상의 전압을 확인한다. 프로브를 OUT PUT과 GND에 연결하고 SEC/DIV를 조정하여 신호를 확인한다. 트리거를 상승 엣지로 설정하고 SINGLE 모드로 신호를 측정한다. 2. 함수발생기 설정 함수발생기를 1KHz, 1V, P-P로 설정한다. 3. 측정 결과 분석 전압을 1V로 설정했을 때 채널1과 채널2의 위상차는 29도, 주기는 채널1 250μs, 채널2 270μs, 주파수는 채널1 4kHz, ...2025.05.03
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옴의법칙 실험 결과레포트2025.05.041. 저항 저항은 전하의 흐름인 전류를 방해하는 성질이고 단위는 옴(Ω)이다. 저항은 값이 고정된 고정저항과 값을 조정할 수 있는 가변저항이 있다. 고정저항인 탄소피막저항에서는 네 줄의 색띠로 저항값과 허용오차를 나타낸다. 2. 전위차계 전위차계는 가변저항 가운데 가장 일반적인 것으로, 단자가 세 개 달려있다. 맨 바깥에 있는 두 단자는 고정되어 있어 이 사이의 저항값은 일정하고 가운데 단자는 움직이는 접점과 연결되어 있어 저항값을 조정할 수 있다. 전위차계는 전기, 전자기기의 음량조절장치에 많이 쓰인다. 3. 저항 측정 실험에서는...2025.05.04
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중앙대 MOSFET 소자 특성 측정 예비보고서2025.05.051. MOSFET 소자 특성 측정 이 보고서는 MOSFET 소자의 특성을 측정하고 분석하는 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용으로는 MOSFET의 주요 파라미터 계산, MOSFET 회로 구성 및 시뮬레이션, 측정 결과 분석 등이 포함되어 있습니다. 이를 통해 MOSFET 소자의 동작 원리와 특성을 이해하고 실험적으로 검증하는 것이 목적입니다. 1. MOSFET 소자 특성 측정 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)은 현대 전자 기기에서 가장 널리 사용되는 반도체 소자 ...2025.05.05
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중앙대 전자회로 설계 실습 결과보고서4_MOSFET 소자 특성 측정2025.01.111. MOSFET 회로 제작 및 측정 설계실습 4 결과보고서. MOSFET 소자 특성 측정4. 설계실습 내용 및 분석 (결과 report 작성 내용)$ 4.1 MOSFET 회로의 제작 및 측정(A) 그림 1의 회로를 제작하여라. 이때, =1MΩ으로 설정한다. 또한, DC Power Supply를 회로에 연결 전에 =0V, =5V로 조정 후 Outp 후에 ut OFF 연결한다. 실제 실험사진구현회로(B) 를 1.0V부터 0.1V씩 높여가며 Power Supply의 를 인가하는 Port의 전류를 측정한다. 측정한 전류가 130mA이상이...2025.01.11
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중앙대학교 일반물리실험2 RC회로 충방전 회로 실험-회로에서의 축전기의 역할 이해 결과2025.01.121. RC 충전 회로 실험을 통해 RC 충전 회로에서 시간에 따른 축전기 양단의 전위차, 전하량, 전류의 변화를 관찰하고 이론식과 비교하여 축전기의 역할을 이해하였다. 충전 과정에서 전하량과 전위차가 초기에 급격히 증가하다가 점차 느려지는 양상을 보였으며, 이를 통해 축전기의 충전 메커니즘을 설명할 수 있었다. 2. RC 방전 회로 축전기 방전 실험을 통해 시간에 따른 전하량, 전류, 전위차의 변화를 관찰하고 이론식과 비교하였다. 방전 과정에서 전하량과 전위차가 초기에 급격히 감소하다가 점차 느려지는 양상을 보였으며, 이를 통해 축...2025.01.12
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[A+] 오실로스코프와 함수발생기 결과보고서2025.05.131. 오실로스코프 오실로스코프의 스트로브 테스트 단자를 통해 자기 진단을 해 보라. 오실로스코프에서 프로브 셋팅을 한 후, 주파수 : 10 Hz , 전압 : 5V , 파형 : 구형파 를 설정하고 AUTOSET 버튼을 누른 결과로 몇 초 내에 위와 같은 10 Hz , 5V , 의 구형파가 디스플레이에 정상적으로 나타났다. 2. 함수발생기 함수 발생기로 AC 1V, 3V, 5V (100Hz, 1KHz, 10KHz)의 전압을 발생시킨 후 오실로스코프로 함수발생기의 발생 전압을 측정하였다. 측정 결과, 함수발생기에서 발생시킨 전기신호와 실...2025.05.13
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전자공학실험 6장 공통 이미터 증폭기 A+ 결과보고서2025.01.151. 공통 이미터 증폭기 공통이미터 증폭기는 베이스가 입력 단자, 컬렉터가 출력 단자, 이미터가 공통 단자인 증폭기이고, 높은 전압 이득을 얻을 수 있다는 장점이 있어 널리 사용되고 있다. 이 실험에서는 공통 이미터 증폭기의 입력-출력 특성 곡선을 구하고, 소신호 등가회로의 개념을 적용하여 전압 이득을 구하고, 이를 실험에서 확인하고자 한다. 2. BJT 동작 영역 실험회로 1에서 VBB가 0~0.5V일 때는 출력전압 VO가 거의 바뀌지 않고 VBB또한 VBE>0.7의 조건을 만족하지 않아 cut-off(차단영역)임을 알 수 있다....2025.01.15
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