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오실로스코프 사용법 보고서2025.01.051. 오실로스코프 오실로스코프는 전기적인 파형을 화면에 표시하는 장치로, 시간의 변화에 따라 파형의 형태와 크기가 어떻게 변화하고 있는지를 나타낸다. 이를 통해 입력신호의 시간과 전압의 크기, 발진 신호의 주파수, 입력신호에 대한 회로상의 응답 변화, 기능이 저하된 요소가 신호를 왜곡시키는 것, 직류신호와 교류신호의 양, 신호 중의 잡음과 그 신호 상에서 시간에 따른 잡음의 변화 등을 확인할 수 있다. 2. 정류기 정류기는 변압기, 다이오드, 축전기 등의 전자부품으로 구성되어 있다. 변압기는 Faraday의 전자기 유도 원리에 의해...2025.01.05
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PN 접합 다이오드 및 제너 다이오드 실험 예비보고서2025.01.071. PN 접합 다이오드 PN 접합 다이오드는 전자 소자의 기본 구성 요소 중 하나입니다. 이 실험에서는 PN 접합 다이오드의 전류-전압 특성을 측정하고 분석하였습니다. 실험 결과를 통해 PN 접합 다이오드의 동작 영역, 등가 회로 파라미터 등을 확인할 수 있었습니다. 이를 통해 PN 접합 다이오드의 기본적인 동작 원리와 특성을 이해할 수 있었습니다. 2. 제너 다이오드 제너 다이오드는 역방향 바이어스 상태에서 일정 전압 이상이 가해지면 전류가 급격히 증가하는 특성을 가진 전자 소자입니다. 이 실험에서는 제너 다이오드의 전류-전압 ...2025.01.07
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실험 장비 사용법 및 Thevenin 등가회로_예비레포트2025.01.091. DC Power Supply 사용법 DC Power supply는 전력선에 의하여 공급되는 교류 전원을 직류 전원으로 만들어주는 기기입니다. 이상적인 Power supply는 출력되는 전류에 관계없이 일정한 전압을 출력하지만, 실질적으로는 출력 전류에 따라 출력 전압이 영향을 받습니다. Power supply의 전력선을 연결하고 전원을 켠 후, 케이블을 통해 구성한 회로에 전원을 연결합니다. Power supply의 Output ON/OFF 버튼으로 채널의 출력을 동작시키며 다이얼을 통해 해당 전압을 조정할 수 있습니다. 2....2025.01.09
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중첩의 원리와 테브넹 정리2025.01.041. 중첩의 원리 중첩의 원리는 전자공학에서 중요한 개념 중 하나입니다. 이 원리에 따르면 여러 개의 전압원이 병렬로 연결된 회로에서 각 전압원의 전압을 합하면 전체 회로의 전압이 됩니다. 이를 통해 복잡한 회로를 보다 쉽게 분석할 수 있습니다. 2. 테브넹 정리 테브넹 정리는 회로 분석에 사용되는 중요한 이론입니다. 이 정리에 따르면 임의의 회로를 등가의 테브넹 회로로 대체할 수 있습니다. 테브넹 등가 회로는 등가 기전력과 등가 저항으로 구성되며, 이를 통해 회로 분석을 단순화할 수 있습니다. 1. 중첩의 원리 중첩의 원리는 복잡...2025.01.04
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트랜지스터 실습22025.01.041. 트랜지스터의 동작 영역 이번 실습에서는 양극성 접합 트랜지스터의 세 가지 동작 영역(컷오프 영역, 활성 영역, 포화 영역)에 대해 실습하였습니다. 컷오프 영역에서는 베이스-에미터 전압이 낮아 콜렉터 전류가 흐르지 않으며, 활성 영역에서는 베이스 전류에 비례하여 콜렉터 전류가 흐르는 것을 확인하였습니다. 포화 영역에서는 베이스-에미터 전압이 높아져 콜렉터 전류가 더 이상 증가하지 않는 것을 관찰하였습니다. 2. 트랜지스터의 정전류원 회로 활성 영역에서 트랜지스터의 콜렉터 전류는 베이스 전류에만 비례하므로, 베이스-에미터 전압을 ...2025.01.04
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중앙대학교 아날로그 및 디지털 회로 설계 실습 5차 예비보고서2025.01.041. 전압제어 발진기(VCO) 전압제어 발진기(VCO)를 설계하고 전압을 이용한 발진 주파수의 제어를 실험으로 확인하였습니다. 슈미트 회로와 적분기 회로를 결합하여 VCO를 구현하였으며, 입력 전압 VC에 따른 출력 주파수 f의 변화를 관찰하였습니다. 시뮬레이션 결과, VC가 증가함에 따라 f도 증가하는 경향을 보였으며, 고주파 영역에서는 비선형적으로 증가하는 것을 확인하였습니다. 또한 슈미트 회로의 저항비와 커패시터 값을 변화시키면서 출력 파형을 관찰하였습니다. 1. 전압제어 발진기(VCO) 전압제어 발진기(VCO)는 전자 회로 ...2025.01.04
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[A+]전자회로설계실습 예비보고서 42025.01.041. MOSFET 소자 특성 이 보고서의 목적은 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 소자의 특성인 문턱전압(VT), 전도도 계수(kn)를 데이터시트를 이용하여 구하고, 설계 및 구현을 통해 전압 변화에 따른 전류를 측정하여 소자의 특성을 분석하는 것입니다. 준비물로는 DC 전원 공급장치, 디지털 멀티미터, 연결선, 브레드보드, 점퍼 와이어 키트, MOSFET 소자(2N7000) 및 1kΩ 저항이 필요합니다. 실습 계획은 데이터시트를 활용하여 VT와 kn을 구하고, ...2025.01.04
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[A+]전자회로설계실습 예비보고서 52025.01.041. BJT와 MOSFET을 이용한 RTL switch 회로 설계 및 구현 이 보고서의 목적은 BJT와 MOSFET을 사용하여 TTL 레벨의 전압(5V)으로 동작하는 RTL switch 회로를 설계하고 구현하여 relay 또는 LED를 구동하고 그 동작을 측정 및 평가하는 것입니다. 준비물로는 Function Generator, Oscilloscope, DC Power Supply, BJT, LED, MOSFET, 저항 등이 필요합니다. 설계 계획으로는 BJT 2N3904를 사용하여 BL-B4531 LED를 구동하는 회로를 설계하고...2025.01.04
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[A+]전자회로설계실습 예비보고서 82025.01.041. N-Type MOSFET을 이용한 Current Mirror 설계 이 보고서의 목적은 N-Type MOSFET을 사용하여 단일 Current Mirror와 Cascode Current Mirror를 설계하고 측정하여 current mirror를 이용한 전류원의 전기적 특성을 이해하는 것입니다. 보고서에는 Current Source 회로 설계를 위한 2N7000 MOSFET의 특성 분석, IREF = 10 mA인 전류원 설계를 위한 VGS 및 R1 값 계산 등의 내용이 포함되어 있습니다. 1. N-Type MOSFET을 이용한 ...2025.01.04
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전자회로설계실습 예비보고서 112025.01.041. Push-Pull 증폭기 이 실험의 목적은 RL = 100 Ω, Rbias = 1 kΩ, VCC = 12 V인 경우 Push-Pull 증폭기의 동작을 이해하고 Dead zone과 Crossover distortion 현상을 파악하며 이를 제거하는 방법에 대해 실험하는 것입니다. 실험을 통해 Push-Pull 증폭기의 입출력 transfer characteristic curve를 확인하고, Dead zone이 발생하는 이유를 설명합니다. 1. Push-Pull 증폭기 Push-Pull 증폭기는 전자 회로 설계에서 매우 중요한 역...2025.01.04
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