총 40개
-
BJT 회로의 특성 실험2025.05.111. 트랜지스터의 구조와 동작 원리 실험을 통해 트랜지스터의 구조와 동작 원리를 이해할 수 있었다. 트랜지스터는 다이오드와 유사하게 반도체 물질로 구성되지만, 다이오드와 달리 3개의 영역과 2개의 PN 접합을 가지고 있다. 트랜지스터의 이미터, 베이스, 컬렉터 영역의 도핑 농도 차이로 인해 전자가 베이스를 통해 컬렉터로 흐르게 되며, 이 과정에서 전류 증폭이 일어난다. 실험을 통해 트랜지스터의 순방향/역방향 바이어스 특성, 전류 증폭 특성 등을 확인할 수 있었다. 2. 트랜지스터의 V-I 특성 곡선 실험에서 트랜지스터의 V-I 특성...2025.05.11
-
교류및전자회로실험 실험9-1 트랜지스터 기초실험 예비보고서2025.01.171. 트랜지스터 트랜지스터는 N형 반도체와 P형 반도체를 NPN 혹은 PNP의 격층구조로 조합한 소자이고, Collector, Emitter, Base라고 하는 세개의 단자가 있다. 트랜지스터의 주단자는 Collector와 Emitter이며, 트랜지스터의 전류는 Collector에서 Emitter로 소자를 관통하여 흐르는 전류 IC를 말한다. 트랜지스터의 특성은 이들 두 변수 사이의 전압-전류 간 관계를 의미하며, base 단의 전류를 변화시킴으로써 특성곡선을 변화시켜 줄 수 있다. 따라서 base는 트랜지스터의 동작을 사용자가 제...2025.01.17
-
교류및전자회로실험 실험5-1_다이오드 특성실험 결과보고서2025.01.201. 다이오드 특성 이번 실험에서는 다이오드의 전압-전류 특성을 실측을 통해 확인하였다. 다이오드가 정방향으로 연결되었을 때 일정 전압 이하에서는 전류가 흐르지 않다가 그 전압을 넘어서면 급격히 전류가 증가하는 것을 확인하였다. 역방향으로 연결되었을 때는 전류가 흐르지 않음을 확인하였다. LED의 경우에도 비슷한 특성을 보이지만, 전압-전류 특성 곡선에서 특정 전압 이하에서는 전류가 흐르지 않다가, 해당 전압을 넘어서면 급격히 전류가 증가함을 확인하였다. 2. 부하선 특성 실험을 통해 다이오드 회로에서 부하선을 얻는 방법을 확인하였...2025.01.20
-
옴의 법칙 측정값 및 계산2025.04.261. 옴의 법칙 실험을 통해 탄소저항과 다이오드가 옴의 법칙을 만족하는지 확인하였다. 탄소저항은 옴의 법칙을 잘 만족하였지만, 다이오드는 옴의 법칙을 만족하지 않는다는 것을 확인하였다. 특히 발광 다이오드에서는 빛이 나오는 현상을 관측할 수 있었고, 빛이 나오는 시간과 발광 조건에 대해서도 추정할 수 있었다. 2. 탄소저항 실험 1에서 33Ω와 100Ω의 탄소저항을 사용하여 옴의 법칙 만족 여부를 확인하였다. 실험 결과 33Ω의 경우 3.03%의 오차율을 보여 옴의 법칙을 잘 만족하였지만, 100Ω의 경우 5.5%의 오차율을 보여 ...2025.04.26
-
실험 16_전류원 및 전류 거울 예비 보고서2025.04.271. MOSFET 특성 구하기 MOSFET의 특성을 구하기 위해 [그림 16-1]과 [그림 16-2]의 회로를 구성하여 실험을 진행한다. [그림 16-1]의 회로를 통해 문턱전압 |V_thp|를 구하고, [그림 16-2]의 회로를 통해 μ_p C_ox W/L를 구할 수 있다. 2. 능동 부하가 있는 공통 소스 증폭기 공통 소스 증폭기에서 부하로 트랜지스터를 사용하는 능동 부하 회로를 구성할 수 있다. [그림 16-3]과 [그림 16-4]는 능동 부하가 있는 공통 소스 증폭기의 개념도와 회로도를 보여준다. 3. 정전류원과 전류 거울을...2025.04.27
-
옴의 법칙 결과보고서2025.05.081. 옴의 법칙 실험 1에서는 탄소저항이 옴의 법칙을 만족하는지 확인하였다. 표시저항과 계산한 저항값의 오차가 매우 작았고 V-I 그래프에서 일정한 기울기를 보여 옴성 물질임을 확인할 수 있었다. 실험 2와 3에서는 다이오드가 옴의 법칙을 만족하지 않는 비옴성 물질임을 확인하였다. 다이오드의 전압-전류 특성이 직선이 아니며 저항값도 일정하지 않았다. 또한 다이오드에 역방향 전압이 걸리면 전류가 흐르지 않는 극성 특성을 보였다. 발광 다이오드의 경우 색에 따라 순방향 전압값에 차이가 있었다. 2. 저항 실험 1에서 사용한 33Ω과 1...2025.05.08
-
전자회로실험 A+ 3주차 결과보고서(Diode Characteristic&Large/Small Behavior)2025.05.101. 다이오드 특성 실험을 통해 다이오드의 특성을 확인할 수 있었습니다. 순방향 전압이 걸렸을 때 다이오드에 전류가 흐르고, 역방향 전압이 걸렸을 때는 전류가 흐르지 않습니다. 이런 특성과 다이오드의 연결 방향에 따라 출력 전압(Vout)의 파형이 결정됩니다. 또한 특정 전압 이상의 전압이 걸려야 전류가 흐르는 것을 알 수 있었고, 이 전압이 다이오드의 온 전압(VD,on)입니다. 2. 다이오드의 소신호 동작 실험을 통해 전압이 아주 작게 변화할 때는 전류가 선형적으로 변하는 것처럼 보인다는 것을 알 수 있었습니다. 이 경우 다이오...2025.05.10
-
A+받은 정류회로 예비레포트2025.05.101. 반파 정류회로 반파 정류회로의 출력파형을 측정하였습니다. 반파 정류회로는 정현파 교류의 한 반주기만 직류로 변환하는 방식으로, 평균 직류 전압은 입력 전압의 최대값의 0.318배가 됩니다. 다이오드의 피크 역방향 전압(PIV)는 입력 전압의 최대값과 같습니다. 2. 전파 정류회로(중간탭) 전파 정류회로(중간탭)의 출력파형을 측정하였습니다. 전파 정류회로는 정현파 교류의 양의 반주기와 음의 반주기를 모두 직류로 변환하는 방식으로, 평균 직류 전압은 입력 전압의 최대값의 0.636배가 됩니다. 다이오드의 피크 역방향 전압(PIV)...2025.05.10
-
트랜지스터 보고서 (2)2025.05.101. 트랜지스터의 증폭작용 이번 실험은 IB를 고정시키고 E와 C 사이의 전압을 조절하여 IC의 변화를 관찰하고, IB를 증가시켜 IC의 변화를 관찰하여 트랜지스터의 증폭작용을 이해하는 것이 실험의 목표입니다. 실험 결과를 통해 IB가 증가할수록 IC가 상대적으로 많이 증가하는 것을 확인할 수 있었고, 이를 통해 트랜지스터의 증폭작용을 이해할 수 있었습니다. 2. 트랜지스터의 구조와 동작 원리 실험에서 PNP형 트랜지스터를 이용하므로 PNP형을 기준으로 트랜지스터의 증폭작용의 원리를 이해해보았습니다. E와 B에 순방향 전압, B와 ...2025.05.10
-
[A+자료] 반도체 물성과 소자 9~10장 정리2025.05.111. 반도체 물성 반도체 물질의 기본적인 특성과 구조에 대해 설명합니다. 반도체 내부의 전자와 정공의 움직임, 에너지 밴드 구조, 도핑 등 반도체의 기본적인 물리적 특성을 다룹니다. 2. 반도체 소자 반도체 소자의 동작 원리와 특성에 대해 설명합니다. 다이오드, 트랜지스터, MOS 소자 등 다양한 반도체 소자의 구조와 동작 메커니즘을 다룹니다. 각 소자의 전압-전류 특성, 동작 영역, 응용 분야 등을 설명합니다. 3. MOS 트랜지스터 MOS 트랜지스터의 구조와 동작 원리를 자세히 설명합니다. 문턱전압, 선형 영역, 포화 영역, 항...2025.05.11
4 / 4
