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전기회로설계실습 3장 결과보고서2025.01.201. 분압기 설계 분압기는 어떤 장비의 전원으로서 건전지나 고정 전압안정 직류전원(Voltage Regulator)을 사용할 때 그 출력전압보다 낮은 전압이 필요한 경우가 현실적으로 많이 발생한다. 이러한 상황에서 저항이나 커패시터를 이용하여 원래의 전압을 그에 비례하는 낮은 전압으로 분압하여 주는 장치를 분압기라고 한다. 따라 분압기는 단순 측정을 비롯해 전기제품까지 다양한 곳에서 쓰이기 때문에 분압기에 대해서 이해하는 것이 매우 중요하다. 2. 부하효과 고려 분압기를 설계할 때 단자에 연결되는 부하 저항을 고려하지 못하면 부하 ...2025.01.20
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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 10 MOSFET 바이어스 회로)2025.01.291. MOSFET 바이어스 회로 MOSFET을 증폭기로 동작시키기 위해서는 적절한 DC 바이어스가 인가되어야 하며, 이때의 DC 바이어스를 동작점 또는 Q점이라고 부른다. DC 바이어스는 증폭기의 전압 이득과 스윙을 결정하는 중요한 역할을 한다. 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 증폭기의 DC 동작점을 잡아주기 위한 바이어스 회로에 대해서 공부하고, 실험을 통하여 그 동작을 확인하고자 한다. 2. 게이트 바이어스 회로 게이트 바이어스 회로(실험회로 1)는 가장 기본적인 전압분배 MOSFET 바이어스 회로이다. 이 회로는 소스 단자...2025.01.29
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RLC로 이루어진 교류회로에서의 임피던스 - 일반물리실험II A+레포트2025.01.291. RLC 회로 RLC 회로는 저항 R, 솔레노이드 L, 축전기 C가 동시에 연결된 회로를 말한다. 직류 회로에서는 축전기 C가 완전히 충전되면 전류가 흐르지 않지만, 교류 회로에서는 C에 약한 저항이 생기고 L에 강한 저항이 생긴다. 이를 통해 교류 회로에서의 임피던스와 위상차를 이해할 수 있다. 2. 리액턴스와 임피던스 교류 회로에서 전압과 전류의 관계는 사인함수로 나타낼 수 있다. 이때 저항 R에 대응되는 인덕티브 리액턴스와 캐퍼시티브 리액턴스가 생기며, 이들을 합한 값이 임피던스 Z가 된다. 임피던스와 위상각을 통해 교류 ...2025.01.29
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중앙대 전기회로설계실습 6차 예비보고서2025.04.271. DMM을 이용한 접지 전압 측정 DMM을 교류전압측정모드(ACV)로 세팅하고, DMM의 한 단자를 220V 교류전원 power outlet(소켓) 접지에, 나머지 단자를 또 다른 220V 교류전원 접지에 연결하여 두 콘센트 사이의 전압을 측정하는 방법을 설계하였습니다. 2. 계측기의 입력 저항 및 주파수 특성 Function Generator의 출력저항은 50Ω이며, DMM의 입력저항은 보통 10MΩ, 오실로스코프의 입력저항은 보통 1MΩ입니다. 주파수에 따른 DMM의 측정값과 오실로스코프의 최대전압 측정값의 관계를 그래프로 ...2025.04.27
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[기초전자실험 with pspice] 08 테브난의 정리 예비보고서 <작성자 학점 A+>2025.04.281. 테브난의 정리 테브난의 정리는 '전원이 포함된 회로망은 하나의 등가전압 및 직렬로 연결된 등가저항으로 바꿀 수 있다'로 정의된다. 이렇게 만들어진 회로를 테브난 등가회로라 한다. 테브난 등가회로를 만들 때 전압원과 저항이 직렬로 연결되게 만드는데, 이는 전압분배법칙은 직렬연결에서 사용되기 때문에 직렬로 등가회로를 만들면 외부에 연결되는 저항에 걸리는 전압의 크기를 구할 수 있기 때문이다. 2. 테브난 등가회로 구하는 과정 테브난 등가회로를 구하는 과정은 다음과 같다: 1. 전류 또는 전압을 구하려는 연결점이나 부품을 개방된 단...2025.04.28
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단순 교류 회로 실험2025.01.031. 교류 입력 신호에 대한 전압 분배 특성 이 실험에서는 교류 입력 신호에 대한 전압 분배 특성을 부하를 걸었을 때와 걸지 않았을 때 각각 검사하여 비교합니다. 또한 교류 신호에 대한 저항 회로에서 옴의 법칙과 키르히호프 법칙의 유효성을 확인합니다. 2. 교류 신호와 커패시터의 관계 이 실험에서는 교류 신호와 커패시터 사이의 관계를 확인합니다. 커패시터 양단의 전압과 커패시터를 통해 흐르는 전류 사이의 관계도 함께 살펴봅니다. 3. 교류 신호와 인덕터의 관계 이 실험에서는 교류 신호와 인덕터 사이의 관계를 이해합니다. 인덕터 양단...2025.01.03
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기초 회로 실험 제 25장 테브닌 정리(예비레포트)2025.01.171. 테브닌 정리 테브닌 정리는 임의의 선형 2단자 회로에서 직렬회로인 테브닌 등가전압과 테브닌의 등가 저항으로 대체 가능하다는 정리입니다. 테브닌 등가전압은 부하 저항을 제거했을 때 양단에 걸리는 전압이고, 테브닌의 등가 저항은 전압원을 단락 시킨 상태에서 개방된 부하의 양 단자의 합성 저항값입니다. 이를 통해 복잡한 회로를 간단한 등가회로로 표현할 수 있습니다. 2. 테브닌 정리를 이용한 비평형 브리지 회로 해석 비평형 브리지 회로에서 테브닌 정리를 이용하면 등가회로를 보다 쉽게 구할 수 있습니다. 부하 저항을 제거한 상태에서의...2025.01.17
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전기회로설계실습 실습3 예비보고서2025.01.201. 분압기(Voltage Divider) 설계 이 실험의 목적은 부하효과를 고려한 분압기(Voltage Divider)을 설계, 제작하고 설계와 실험값을 비교, 분석하는 것입니다. 실험 준비물로는 Function generator, DC Power Supply, Digital Oscilloscope, Digital Multimeter, 연결선, Breadboard, 점퍼와이어, 리드저항 등이 필요합니다. 분압기 회로를 설계할 때 부하의 유무(IC chip)를 고려해야 하며, 주어진 저항 중 2.7kΩ, 6.2kΩ을 사용하면 전압 ...2025.01.20
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전기회로설계실습 예비보고서 2. 전원의 출력저항, DMM의 입력저항 측정회로 설계2025.01.171. 건전지의 내부저항 측정 건전지의 내부저항은 매우 작을 것으로 예상되며, 시간이 지날수록 점점 증가할 것이다. 건전지(6V)의 내부저항을 측정하는 회로와 절차를 설계하였다. 10Ω 저항과 Pushbutton을 사용하여 측정에 의한 전력소비를 최소화하였으며, 내부저항을 0.05Ω으로 가정하여 10Ω 저항에서의 소비전력을 계산하였다. 2. DC Power Supply 출력 특성 DC Power Supply의 Output 1의 출력전압을 1V, 최대출력전류를 10mA로 조정한 상태에서 10Ω 저항을 연결하면 최대전류인 10mA를 넘어...2025.01.17
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실험 10_MOSFET 바이어스 회로 예비 보고서2025.04.271. MOSFET 바이어스 회로 MOSFET을 증폭기로 동작시키기 위해서는 적절한 DC 바이어스가 인가되어야 하며, 이때의 DC 바이어스를 동작점 또는 Q점이라고 부른다. DC 바이어스는 증폭기의 전압 이득과 스윙을 결정하는 중요한 역할을 한다. 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 증폭기의 DC 동작점을 잡아주기 위한 바이어스 회로에 대해서 공부하고, 실험을 통하여 그 동작을 확인하고자 한다. 2. 전압분배 MOSFET 바이어스 회로 그림 [10-1]은 가장 기본적인 전압분배 MOSFET 바이어스 회로이다. 이 회로는 소오스 단자에...2025.04.27
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