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반도체 결과보고서2025.05.101. 반도체 다이오드의 전압-전류 특성 이번 실험은 다이오드의 순방향 및 역방향 전압에 대한 전류의 특성 곡선을 이해하고 저항의 전류-전압 특성을 확인하며 반도체 다이오드의 원리를 이해하기 위한 실험이었습니다. 범용 다이오드와 제너 다이오드에 걸어주는 전압에 대해 나타나는 전류를 관찰하며 다이오드의 문턱전압과 항복전압을 알아내고 두 다이오드의 차이점을 파악하였습니다. 실험 결과, 제너 다이오드와 범용 다이오드는 정방향 바이어스에서 동일한 특성을 보이지만 역방향 바이어스에서는 제너 다이오드의 항복전압이 범용 다이오드보다 낮게 나타났습...2025.05.10
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A+ 연세대학교 기초아날로그실험 9주차 예비레포트2025.05.101. Transformer Transformer는 서로 다른 두 개의 인덕터가 평행하지만 서로 연결되지 않은 구조로 이루어져 있다. 인덕터의 성질을 이용하여 전기 에너지를 한 쪽에서 반대쪽으로 전달하는 기능을 한다. 입력 전원에 의해 왼쪽 인덕터에 전류가 흐르면 그 전류로 인해 자기장이 발생하고, 이렇게 발생한 자기장으로 인해 반대편 인덕터에는 전자기 유도에 의한 유도 전류가 흐르게 된다. 이때 전달된 전압과 전류는 두 인덕터의 감은 수에 영향을 받는다. 2. Diode Diode는 P형 반도체와 N형 반도체가 PN접합을 이루고 있...2025.05.10
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전자기적특성평가_Hall effect 결과보고서2025.01.021. Hall effect Hall effect 측정 실험을 통해 Sample A와 B 각각의 면저항과 캐리어 농도로 홀 계수, 홀전압, 비저항, 전기전도도, 캐리어 이동도를 구하고, Sample A와 B가 각각 어떤 Type의 반도체인지 알아보았다. 홀 효과는 도체가 자기장 속에 놓여 있을 때 자기장에 직각방향으로 전류를 흘려주면 자기장과 전류 모두에 수직인 방향으로 전위차가 발생하는 현상이다. 이를 통해 재료의 전하 캐리어의 종류와 다수 캐리어의 농도 및 이동도를 측정할 수 있다. 실험 결과, Sample A는 n-type 반도...2025.01.02
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서42025.01.111. MOSFET 소자 특성 측정 이 보고서의 목적은 MOS Field-Effect Transistor(MOSFET) 소자의 특성(VT, kn, gm)을 Data Sheet를 이용하여 구하고, 설계, 구현하여 전압의 변화에 따른 전류를 측정하고, 이를 이용하여 소자의 특성을 구하는 것입니다. 준비물로는 DC Power Supply, Digital Multimeter, 연결선, Breadboard, MOSFET 소자, 저항 등이 필요합니다. 보고서에서는 MOSFET의 특성 parameter 계산, MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이...2025.01.11
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전기전자공학실험-발광 및 제너 다이오드2025.04.301. 발광 다이오드 발광 다이오드는 이름이 함축하는 바와 같이 충분한 에너지를 받았을 때 가시광선을 내는 다이오드이다. 순방향으로 바이어스된 p-n 접합에 있어서, 접합부에서는 정공과 전자의 재결합이 일어난다. 재결합은 구속되지 않은 자유전자가 가지고 있는 에너지가 다른 상태로 전달되는 것을 필요로 한다. GaAsP나 GaP와 같은 LED 재료에서 빛 에너지의 광자가 눈에 보이는 가시광원을 생성하기에 충분한 수로 방출된다. 이것이 소위 전계발광(electroluminescence)과정이다. 모든 LED에 대하여 밝고, 선명하고, 또...2025.04.30
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hydrogen insertion into wo3 예비레포트2025.05.051. WO₃의 구조와 특성 WO₃는 모서리가 맞닿아 이루어진 팔면체 구조를 가지고 있다. 중앙의 빈 공간에 금속 원자가 삽입되면 tungsten bronze라고 불리는 화합물이 형성되며, 이 화합물은 금속과 유사한 광택과 색을 가진다. 삽입되는 금속 원자에 따라 다양한 색상을 나타낼 수 있다. 2. 수소의 intercalation WO₃의 구조에 수소가 intercalation되면 HxWO₃가 형성된다. 이 과정에서 WO₃의 전자 구조가 변화하여 색과 전기전도도가 달라진다. 수소가 삽입되면 sub-band가 형성되어 band gap...2025.05.05
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Four-point probe resistivity measurement 결과보고서2025.05.051. Four-point probe resistivity measurement 이번 실험에서는 4-point probe를 사용하여 알루미늄과 실리콘의 비저항을 계산하고 온도에 따른 비저항의 변화를 확인하였습니다. 실험 결과 도체인 알루미늄의 비저항이 반도체인 실리콘보다 낮은 것을 확인할 수 있었으며, 온도가 증가할수록 알루미늄의 비저항이 증가하는 것을 관측할 수 있었습니다. 또한 시료의 크기, 두께와 비저항 사이의 관계, 보정계수(K)의 개념을 이해할 수 있었습니다. 1. Four-point probe resistivity meas...2025.05.05
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[경영전략론 A] 휴넷_경영전략론 과제-벤치마킹 기법을 활용하여 실제 대상을 선정하고 Work Sheet 작성2025.05.071. 삼성전자 삼성전자는 가전제품, TV, 반도체, 컴퓨터, 모바일 기기 등을 주로 판매하는 글로벌 전자기업입니다. 삼성전자는 반도체 시장에서 선도적인 위치를 차지하고 있으며, 고객 만족을 위해 다양한 서비스를 제공하고 있습니다. 또한 지속적인 수익성 향상과 경쟁력 확보를 통해 시장을 리드하고 있습니다. 1. 삼성전자 삼성전자는 한국을 대표하는 글로벌 기업으로, 전자, 반도체, 디스플레이 등 다양한 분야에서 세계적인 경쟁력을 보유하고 있습니다. 특히 스마트폰 시장에서 압도적인 점유율을 차지하며 혁신적인 제품을 선보이고 있습니다. 또...2025.05.07
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[세종대학교] [전자정보통신공학과] [기초반도체]2022 HW022025.05.031. 반도체 도핑 이 문제에서는 GaAs와 Si 반도체에 도핑된 불순물 농도와 도너, 억셉터 농도, 캐리어 농도 등을 계산하는 문제들이 다루어졌습니다. 도핑된 불순물 농도와 캐리어 농도 간의 관계, 그리고 이를 통해 반도체의 전기적 특성을 분석하는 방법이 설명되어 있습니다. 2. 반도체 페르미 준위 문제 3에서는 반도체 물질(Si, Ge, GaAs)의 페르미 준위가 정확히 밴드갭 중심에 있을 때, 특정 에너지 준위에서 전자가 점유될 확률과 빈 상태가 될 확률을 계산하는 문제가 다루어졌습니다. 이를 통해 반도체 물질의 전자 분포 특성...2025.05.03
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Metallization (반도체)2025.05.081. Contacts Contacts는 반도체 내부로 전기 신호가 들어가고 나오게 하는 역할을 합니다. Schottky 접합과 ohmic 접합이 있으며, Schottky 접합은 p-n 접합과 유사하고 ohmic 접합은 V=IR 관계를 따릅니다. 2. Interconnects Interconnects는 칩 내의 다양한 소자와 구성 요소를 연결하는 역할을 합니다. 박막 증착 기술로는 물리적 기상 증착(증발), 스퍼터링, 화학 기상 증착 등이 있습니다. 3. Physical Vapor Deposition (PVD) PVD는 진공 환경에서...2025.05.08
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