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LED(PN Diode) 측정 및 분석 실습 Report2025.01.121. PN junction diode (LED) LED는 전자가 많아 음의 성격을 띤 n형 반도체와 전자의 반대 개념인 정공이 많아 양의 성격을 띤 p형 반도체의 이종접합 구조를 가진다. Forward bias를 가하면 전류가 흘러 발광을 하며, 에너지 준위차인 Band gap에 따라 빛의 색상이 정해진다. LED의 I-V 특성에서는 Forward bias 시 Threshold Voltage 이하에서 전류가 거의 흐르지 않다가 Vth 이상이 되면 전류가 급격히 증가하며, Reverse bias 시 Breakdown voltage까지...2025.01.12
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숭실대 신소재공학실험1) 14주차 고분자 디바이스 예비보고서2025.01.141. 4-point probe 측정 원리 4-point probe 방법은 동일선상에 놓은 4개의 핀을 시료의 표면에 접촉시켜 저항을 측정하고, 기하학적 보정계수를 적용하여 면저항을 측정하는 방식이다. Single configuration의 측정 원리는 핀 A, D에 전류(I_{AD})를 흘리고 핀 B, C에서 전압(V_{BC})을 측정하여 저항 R_a = V_{BC}/I_{AD}를 구하고, 면저항(R_S = k_a * R_a)을 구하는 방법이다. 여기서 k_a는 핀 간격에 대한 시료 크기 보정 인자, 핀 간격에 대한 시료의 두께 보...2025.01.14
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숭실대 신소재공학실험1) 14주차 고분자 디바이스 결과보고서2025.01.141. 고분자 디바이스 이 보고서는 숭실대학교 신소재공학실험 수업의 14주차 실험 내용을 다루고 있습니다. 실험의 목적은 O2 Plasma, Spin coater 등의 사용법을 이해하고, UV-vis, 4-point probe 등 장비의 원리를 이해하며, GO와 rGO의 구조를 이해하는 것입니다. 실험 방법으로는 PET film을 O2 Plasma 처리, GO 용액을 스핀 코팅, GO를 질소와 하이드라진 환경에서 환원시켜 rGO 제작, 4-Point probe를 통한 면저항 측정, UV-vis를 통한 흡광도 측정 등이 포함됩니다. 실...2025.01.14
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Four-point probe resistivity measurement 결과보고서2025.05.051. Four-point probe resistivity measurement 이번 실험에서는 4-point probe를 사용하여 알루미늄과 실리콘의 비저항을 계산하고 온도에 따른 비저항의 변화를 확인하였습니다. 실험 결과 도체인 알루미늄의 비저항이 반도체인 실리콘보다 낮은 것을 확인할 수 있었으며, 온도가 증가할수록 알루미늄의 비저항이 증가하는 것을 관측할 수 있었습니다. 또한 시료의 크기, 두께와 비저항 사이의 관계, 보정계수(K)의 개념을 이해할 수 있었습니다. 1. Four-point probe resistivity meas...2025.05.05
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면저항 결과 보고서2025.05.101. 면저항 면저항의 개념을 알고, 직접 면저항을 측정해 봄으로써 면저항을 측정하는 이유와 면저항을 줄일 수 있는 방법을 연구하였습니다. 면저항은 단위면적당 저항으로, 4-point probe 방법을 이용하여 측정할 수 있습니다. 비저항과 전기전도율 등 면저항과 관련된 개념들을 이해하고 실험을 통해 ITO, FTO, 실리콘 웨이퍼의 면저항 특성을 분석하였습니다. 2. ITO (Indium Tin Oxide) ITO는 산화인듐(In2O3)에 산화주석(SnO2)을 첨가하여 전기전도성을 높인 투명 전도막입니다. 고전도율이며 가시광선 영역...2025.05.10
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전자기적특성평가_면저항 결과보고서2025.01.081. 박막 박막은 반도체 제조 공정에서 중요한 재료 중 하나이며, 두께가 나노미터에서 마이크로미터 범위의 얇은 막을 의미한다. 박막의 특성을 확인할 때 면저항은 가장 적합한 특성평가 방법이다. 실험을 통해 박막의 종류와 전기전도율, 비저항, 면저항의 이론을 이해하고 면저항과 비저항의 차이를 알아볼 수 있다. 2. ITO ITO(Indium Tin Oxide)는 산화인듐과 산화주석의 혼합물로 구성된 투명하고 전도성 있는 박막이다. ITO는 우수한 전기 전도성과 투명성으로 인해 다양한 전자기기와 광전자 응용 분야에 널리 사용되지만, 인...2025.01.08
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전도성 고분자 필름제조 및 특성분석2025.05.151. 저항과 전기 전도도의 관계 전류 I가 흐르고 있는 단면적 A, 길이 L인 도선에서 전기장은 전위가 낮아지는 방향으로 향하고 있으므로 점 a에서의 전위는 점 b에서의 전위보다 높다. 전류를 양전하의 흐름으로 생각할 경우 양전하는 전윅 krkath하는 방향으로 이동한다. 이 도선에서 전기장이 일정할 경우 두 점 a와 b사이의 전합강하는 V(전압)이다. 전류의 방향으로 생기는 전압강하의 전류에 대한 비를 도선의 저항이라 부른다. V=IR은 보통 Ohm's law라고 한다. 물질이나 용액이 전하를 운반할 수 있는 정도. 비저항의 역수...2025.05.15
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Four-point probe resistivity measurement 예비보고서2025.05.051. 저항 전류의 흐름을 방해하는 정도를 나타내는 물리량을 저항이라고 하며 전압과 전류의 비로 표현할 수 있다. 또한 전도도의 역수를 비저항이라고 하고 얇은 막의 저항을 나타내는 물리량을 표면저항이라고 한다. 2. 비저항 비저항은 물질의 고유한 값으로, 전자와 양공이 모두 전기전도에 참여하는 물질의 경우 전자 밀도, 양공 밀도, 전자 이동도, 양공 이동도 등으로 표현할 수 있다. 도체와 반도체의 온도에 따른 비저항 변화를 확인할 수 있다. 3. 표면저항 얇은 막의 저항을 나타내는 물리량으로 단위는 ohm/sq이며, 4-point p...2025.05.05