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핵심이 보이는 전자회로실험 BJT의 바이어스 회로2025.05.161. NPN형 BJT의 전압분배 바이어스 회로 NPN형 BJT의 전압분배 바이어스 회로를 시뮬레이션하고 측정하여 동작점 전류와 전압을 분석하였습니다. 컬렉터 저항 R_C 값이 증가함에 따라 동작점이 0에 가까워지는 것을 확인하였습니다. 2. PNP형 BJT의 전압분배 바이어스 회로 PNP형 BJT의 전압분배 바이어스 회로를 시뮬레이션하고 측정하여 동작점 전류와 전압을 분석하였습니다. 컬렉터 저항 R_C 값이 증가함에 따라 동작점이 0에 가까워지는 것을 확인하였습니다. 3. NPN형 BJT의 자기 바이어스 회로 NPN형 BJT의 자기...2025.05.16
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홍익대학교 전자회로2 Term project OPAMP 설계2025.05.151. 전자회로 설계 이 프로젝트에서는 주어진 샘플 값을 바탕으로 기본적인 특성을 도출하고, 이를 토대로 OPAMP 회로를 단계적으로 설계하고 최적화하는 과정을 다루고 있습니다. 주요 내용으로는 트랜지스터 사이즈 조정, 바이어스 전류 및 저항/커패시터 값 변경을 통한 이득, 대역폭, 전력 소비, 입력 오프셋 전압, 위상 여유 등의 조건 만족을 위한 회로 설계 과정이 포함되어 있습니다. 1. 전자회로 설계 전자회로 설계는 전자 기기와 시스템을 구현하는 데 있어 매우 중요한 역할을 합니다. 회로 설계 과정에서는 회로의 기능, 성능, 효율...2025.05.15
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MOSFET 기본 특성 및 MOSFET 바이어스 회로 실험 결과 보고서2025.01.291. MOSFET 기본 특성 실험 9에서 NMOS의 문턱 전압이 양수이고 PMOS의 문턱 전압이 음수인 이유를 설명하였습니다. NMOS는 소스와 드레인을 n-type을 사용하고 전류를 흐르게 하는 carrier가 전자이므로 채널에 전류가 흐르려면 문턱 전압이 양수여야 합니다. PMOS에서는 소스와 드레인을 p-type을 사용하고 전류를 흐르게 하는 carrier가 hole이므로 채널에 전류가 흐르려면 NMOS의 역전압이 걸려야 하므로 PMOS의 문턱 전압은 음수여야 합니다. 따라서 NMOS를 낮은 전압 쪽에, PMOS를 높은 전압 ...2025.01.29
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실험 05_BJT 바이어스 회로 예비 보고서2025.04.271. BJT 바이어스 회로 BJT를 증폭기로 동작시키기 위해서는 적절한 DC 바이어스가 인가되어야 하며 이때의 DC 바이어스를 동작점 또는 Q점이라고 부른다. DC 바이어스는 증폭기의 전압 이득과 스윙을 결정하는 중요한 역할을 한다. 이 실험에서는 BJT를 이용한 증폭기의 DC 동작점을 잡아주기 위한 바이어스 회로에 대해 알아보고, 실험을 통하여 동작을 확인하고자 한다. 2. 전압분배 바이어스 회로 전압분배 바이어스 회로는 가장 기본적인 바이어스 회로로, 저항 R_B1 또는 R_B2의 변화에 따라 V_BE 전압과 I_C의 변화가 심...2025.04.27
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전기전자공학실험-JFET 바이어스 회로2025.04.301. JFET 고정 바이어스 회로 JFET 고정 바이어스 회로의 입력 및 출력 특성을 분석하였습니다. JFET의 드레인 특성곡선과 부하선의 교점이 동작점을 결정하며, 쇼클리 방정식을 이용하여 드레인 전류를 계산할 수 있습니다. 또한 출력단의 전압 VDS를 구할 수 있습니다. 2. JFET 자기 바이어스 회로 JFET 자기 바이어스 회로의 입력 및 출력 특성을 분석하였습니다. 이 회로에서는 VGS가 출력 전류 ID의 함수이며, 고정되지 않습니다. 쇼클리 방정식을 이용하여 드레인 전류를 계산할 수 있으며, 출력단의 전압 VDS, VS,...2025.04.30
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전기전자공학실험-공통 이미터 트랜지스터 증폭기2025.04.301. 공통 이미터 트랜지스터 증폭기 공통 이미터 (common-emitter, CE) 트랜지스터 증폭기 회로는 널리 이용된다. 이 회로는 일반적으로 10에서 수백에 이르는 큰 전압 이득을 얻을 수 있고, 적절한 입력과 출력 임피던스를 제공한다. 교류 신호 전압 이득, 입력 임피던스, 출력 임피던스 등의 특성을 분석하고 측정하는 실험을 수행하였다. 실험 결과를 통해 공통 이미터 증폭회로의 동작 원리와 특성을 이해할 수 있었다. 2. BJT 트랜지스터 모델링 BJT 트랜지스터의 실질적인 역할을 모델링하기 위해 적절한 회로 성분을 선택하...2025.04.30
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실험 12 . B급 전력 증폭기 회로실험2025.05.111. B급 증폭기의 특성 B급 동작 트랜지스터의 특성은 컬렉터 전류가 오직 교류 사이클 중에서 180° 동안만 흐른다는 것을 의미한다. B급 동작의 이점은 트랜지스터의 전력소비를 낮추고, 전력유출을 감소시키는데 있다. 푸시-풀 회로를 사용하면 낮은 왜곡, 큰 부하전력, 높은 효율을 갖게 된다. 2. 교차왜곡(crossover distortion) B급 푸시-풀 이미터 활로워에서 입력되는 교류전압이 전위장벽을 극복할 수 있는 0.7V까지 증가해야 하므로, 반주기동안에 클리핑이 생기게 되어 신호가 왜곡된다. 이러한 크로스오버 왜곡을 제...2025.05.11
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