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중앙대 전자회로 설계 실습 결과보고서10_Oscillator 설계2025.01.111. Oscillator 설계 설계실습 10. Oscillator 설계에서는 R1=R2=1kΩ, R=957Ω (설계값은 968.34Ω), C=0.47uF으로 Oscillator를 설계하고 이에 나타나는 VO, V+, V-의 파형을 확인하고 T1, T2, VTH, VTL을 측정하였으며 PSPICE 시뮬레이션 결과와 비교해보았다. R1의 값을 1/2배, 2배로 감소, 증가시켜보며 즉, β값을 감소(β=0.333), 증가(β=0.666)시켜보며 나타나는 변화를 확인해 보았고 β가 감소, 증가함에 따라 T1, T2, VTH, VTL 또한 ...2025.01.11
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중앙대 전자회로 설계 실습 예비보고서 8_MOSFET Current Mirror 설계2025.01.111. MOSFET Current Mirror 설계 이 보고서는 MOSFET Current Mirror 설계에 대한 내용을 다루고 있습니다. 단일 Current Mirror 설계와 Cascode Current Mirror 설계에 대해 설명하고 있으며, 각 회로의 설계 과정과 시뮬레이션 결과를 제시하고 있습니다. 단일 Current Mirror 설계에서는 2N7000 MOSFET을 이용하여 10mA의 전류원을 설계하는 과정을 보여주며, Cascode Current Mirror 설계에서는 10mA의 Cascode 전류원을 설계하는 과정을...2025.01.11
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서62025.01.111. Common Emitter Amplifier 설계 이 보고서는 50Ω, 5kΩ, 12V인 경우, β=100인 NPN BJT를 사용하여 이 kΩ 단위이고 amplifier gain(Av)이 -100V/V인 증폭기를 설계, 구현, 측정, 평가하는 내용을 다루고 있습니다. 설계 과정에서 Early Effect를 무시하고 이론부의 Overall Voltage Gain 식을 사용하여 부하저항 RL에 최대전력이 전달되도록 하는 방법을 설명하고 있습니다. 또한 Emitter 저항을 사용한 Common Emitter Amplifier의 설계...2025.01.11
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[예비보고서]중앙대학교 전자회로설계실습 MOSFET 소자 특성 측정2025.05.101. MOSFET 소자 특성 측정 이 보고서는 전자회로 설계 및 실습 과정에서 MOSFET 소자의 특성을 측정하고 분석하는 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용으로는 MOSFET의 주요 파라미터 계산, MOSFET 회로 구성 및 시뮬레이션, 측정값과 데이터시트 값 비교, 포화 영역에서의 특성 분석 등이 포함되어 있습니다. 1. MOSFET 소자 특성 측정 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)은 현대 전자 기기에서 가장 널리 사용되는 반도체 소자 중 하나입니다. MOSF...2025.05.10
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A+받은 에미터 공통 증폭기 전압이득 결과레포트2025.05.101. 에미터 공통 증폭기 회로 실험을 통해 에미터 공통 증폭기 회로의 전압이득 특성을 확인하였습니다. PSPICE 시뮬레이션 결과와 실험 결과를 비교하여 분석하였으며, 입력전압과 출력전압의 위상 차이, 전압이득 등을 확인하였습니다. 실험에 사용된 소자와 시뮬레이션에 사용된 소자의 특성 차이로 인해 약간의 오차가 있었지만, 에미터 공통 증폭기 회로의 기본적인 동작 원리를 이해할 수 있었습니다. 1. 에미터 공통 증폭기 회로 에미터 공통 증폭기 회로는 트랜지스터를 이용한 기본적인 증폭 회로 중 하나입니다. 이 회로는 입력 신호를 증폭하...2025.05.10
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[전자회로실험] 반전 적분기 결과보고서2025.05.101. 반전 적분기 실험 실험에서는 741 연산 증폭기, 전원 전압 V+ = 15V, V- = -15V, 저항 R = 10kΩ, 커패시터 C = 0.1㎌로 구성된 반전 적분기 회로를 브레드보드에 구현하였다. 입력 신호는 피크간 전압 10V, 평균 전압 0V, 주파수 1kHz의 대칭 구형파를 사용하였다. 입력 신호와 출력 신호를 오실로스코프로 측정하고 이론적 계산 결과와 비교하였다. 또한 커패시터와 병렬로 큰 저항 200kΩ을 연결하여 오프셋 전압 문제를 해결하는 실험을 진행하였다. 2. 주파수 영역 분석 주파수 영역 분석에서는 입력 ...2025.05.10
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기초전자실험 REPORT 옴의 법칙2025.05.061. 옴의 법칙 옴의 법칙은 전압, 전류, 저항 사이의 관계를 설명하는 기본적인 법칙입니다. 전압은 전류와 저항에 비례하고, 전류는 전압에 비례하지만 저항에 반비례합니다. 또한 저항은 전압에 비례하지만 전류에 반비례합니다. 이러한 관계를 수식으로 표현하면 V = IR, I = V/R, R = V/I 입니다. 실험을 통해 이러한 옴의 법칙을 확인하고 이해할 수 있습니다. 2. 전압-전류 그래프 옴의 법칙에 따르면 전압과 전류는 선형적인 관계를 가집니다. 이를 그래프로 표현하면 기울기가 1/R인 직선이 됩니다. 이 기울기는 컨덕턴스를 ...2025.05.06
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실험 09_MOSFET 기본 특성 예비 보고서2025.04.271. MOSFET 동작 원리 MOSFET은 전계 효과(field effect)를 이용하여 전류가 흐르는 소자이며, 전하를 공급하는 소오스 단자, 전하를 받아들이는 드레인 단자, 전류의 양을 조절하는 게이트 단자, 기판의 역할을 하는 바디 단자로 구성되어 있다. 게이트 전압을 바꾸면 드레인에서 소오스로 흐르는 전류가 바뀌면서 증폭기로 동작할 수 있다. NMOS와 PMOS의 구조와 동작 원리가 서로 반대이지만 기본적인 동작 원리는 동일하다. 2. MOSFET 동작 영역 MOSFET에는 차단 영역, 트라이오드 영역, 포화 영역의 세 가지...2025.04.27
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실험 13_공통 게이트 증폭기 예비 보고서2025.04.271. 공통 게이트 증폭기 공통 게이트 증폭기는 입력 임피던스가 작아 전류를 잘 받아들이는 특성이 있다. 이 실험에서는 공통 게이트 증폭기의 동작 원리를 살펴보고, 증폭기의 전압 이득 및 특성을 실험을 통하여 확인하고자 한다. 2. 공통 게이트 증폭기의 전압 이득 공통 게이트 증폭기의 전압 이득은 소오스 축퇴 저항이 있는 공통 소오스 증폭기와 같고, 위상만 반대임을 알 수 있다. 3. 공통 게이트 증폭기의 입력 임피던스 공통 게이트 증폭기의 입력 임피던스는 공통 소오스 증폭기에 비해서 매우 작음을 알 수 있다. 이를 이용하면 별도의 ...2025.04.27
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실험 24_연산 증폭기 응용 회로 2 예비보고서2025.04.281. 연산 증폭기 응용 회로 이 실험에서는 연산 증폭기를 이용한 응용 회로를 분석하고 설계할 수 있는 능력을 배양하고자 한다. 연산 증폭기를 이용하여 미분기 및 적분기 등의 피드백 회로를 구성하고, 연산 증폭기의 특성이 응용 회로에 미치는 영향을 파악한다. 2. 적분기 회로 입력에서 저항 R을 통해 음의 단자쪽으로 흐르는 전류 i_1이 피드백 커패시터 C를 통과하면서 출력 전압 v_o가 형성된다. 입력과 출력 사이의 전달 함수가 주파수 축에서 저대역 통과 필터의 특성을 보인다. 3. 미분기 회로 입력에서 커패시터 C를 통해 음의 단...2025.04.28
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