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[A+] 중앙대학교 전자회로 설계실습 예비보고서 3. Voltage Regulator 설계2025.04.291. 전파정류회로 전파정류회로는 브리지 방식 정류회로로, 다이오드로 인한 전압강하가 2번 발생합니다. 따라서 부하저항 Rl의 2배를 사용하여 식을 변형하였습니다. 전파정류회로의 방전 주기는 반주기(T/2)이므로, 교재의 반파정류회로 수식을 변형하여 사용하였습니다. 2. 직류전압 공급기 설계 문제에서 제시된 조건을 만족시키기 위해 입력전원의 크기와 주파수, 커패시터의 크기를 계산하였습니다. 입력전원은 진폭 5.632V, 주파수 4.889kHz 이상의 정현파를 사용하고, 커패시터는 0.1uF을 사용하면 문제의 조건을 모두 만족시킬 수 ...2025.04.29
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(22년) 중앙대학교 전자전기공학부 전자회로설계실습 예비보고서 9. 피드백 증폭기(Feedback Amplifier)2025.04.301. Series-Shunt 피드백 증폭기 설계실습 9. 피드백 증폭기(Feedback Amplifier)의 목적은 피드백을 이용한 증폭기의 동작을 이해하는 것입니다. 이를 위해 Series-Shunt 구조의 피드백 증폭기와 Series-Series 구조의 피드백 증폭기를 설계하고 실험합니다. Series-Shunt 피드백 증폭기는 입력이 전압이고 출력도 전압인 구조이며, 입력 저항, 부하 저항, 전원 전압 변화에도 gain을 일정하게 유지할 수 있어 voltage regulator로 활용할 수 있습니다. 2. Series-Seri...2025.04.30
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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 3 정전압 회로와 리미터)2025.01.291. PN 접합 다이오드를 이용한 전압 레귤레이터 PN 접합 다이오드를 이용한 전압 레귤레이터는 부하 저항과 병렬로 다이오드를 연결하여, 입력 전압이나 부하 전류의 변화에도 출력 전압이 크게 변화하지 않도록 설계된 회로입니다. 입력 전압이 변하더라도 다이오드의 특성에 의해 출력 전압의 변화가 제한되기 때문입니다. PSpice를 이용하여 입력 전압의 변화와 부하 전류의 변화에 따른 출력의 변화를 모의실험하였습니다. 2. 제너 다이오드를 이용한 전압 레귤레이터 제너 다이오드를 이용한 전압 레귤레이터는 PN 접합 다이오드와 유사한 동작 ...2025.01.29
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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 4 BJT 기본 특성)2025.01.291. NPN형 BJT의 동작 원리 NPN형 BJT는 이미터(emitter), 베이스(base), 컬렉터(collector)로 구성된 3단자 반도체 소자다. 이미터는 N형 반도체로 주로 전자를 공급하는 역할을 하고, 베이스는 얇은 P형 반도체로 전류 제어의 핵심 역할을 한다. 컬렉터는 N형 반도체로 이미터에서 방출된 전자를 모은다. 동작 원리는 베이스-이미터 전압(V_BE)과 컬렉터-이미터 전압(V_CE)에 따라 달라진다. 베이스에 약 0.7V(실리콘 기준)의 전압이 가해지면 베이스와 이미터 사이의 PN 접합이 순방향 바이어스가 되어...2025.01.29
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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 7 이미터 팔로워)2025.01.291. 이미터 팔로워 회로 이미터 팔로워 회로는 베이스에 입력된 신호가 이미터로 전달되며, 출력 신호는 입력 신호와 같은 위상을 가지지만 전압 이득이 거의 1인 특징을 갖는 회로입니다. 이 회로는 주로 전류 이득을 높이기 위해 사용되며, 출력 임피던스를 낮추고 입력 임피던스를 높이는 데 유리합니다. 2. 전압 이득 이미터 팔로워 회로의 전압 이득은 1에 매우 가깝습니다. 이는 출력 전압이 입력 전압을 거의 그대로 따라간다는 뜻이며, 위상 반전이 발생하지 않습니다. 3. 입력 임피던스 입력 임피던스는 매우 크습니다. 입력 임피던스는 베...2025.01.29
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이미터 공통 증폭기 예비보고2025.01.021. 이미터 공통 증폭기 이미터 공통 증폭기는 바이폴라 트랜지스터 증폭기 중에서 전력 이득이 크고 가장 널리 사용되는 회로이다. 이 보고서에서는 이미터 공통 증폭기의 바이어스 방법과 기본적인 특성을 이해하고자 한다. 이론적 배경으로 전압 증폭기 모델과 이미터 공통 증폭기의 특성을 설명하고, 실험을 통해 동작점 측정, 전압 이득 및 입출력 저항 측정, 출력 파형 왜곡 현상 관찰 등을 수행하였다. 실험 결과를 이론값 및 PSPICE 시뮬레이션 결과와 비교 분석하였다. 1. 이미터 공통 증폭기 이미터 공통 증폭기는 트랜지스터 증폭기 회로...2025.01.02
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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 5 BJT 바이어스 회로)2025.01.291. 전압 분배 바이어스 회로 전압 분배 바이어스 회로는 트랜지스터의 동작 점을 안정적으로 설정하며, 안정적인 증폭기 성능을 제공하는 역할을 한다. 이 회로는 두 개의 저항 R_B1과 R_B2를 통해 베이스 전압을 결정하며, 이를 통해 트랜지스터의 동작점을 설정한다. 베이스 전류와 컬렉터 전류를 제어하여 증폭기가 안정적으로 작동하도록 한다. 2. 베이스 바이어스 회로 베이스 바이어스 회로는 전압 분배기와 에미터 저항을 사용하여 트랜지스터의 바이어스를 안정적으로 설정하고, 이를 통해 증폭기의 동작을 안정화한다. 베이스 전압, 컬렉터 ...2025.01.29
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아날로그및디지털회로설계실습 (예비)설계실습 5. 전압제어발진기 A+2025.01.291. 슈미츠 회로의 특성 실험에 사용될 IC(UA741)의 데이터시트를 참조하여 중요한 전기적 특성을 확인하였습니다. 주요 특성으로는 공급전압 범위, 입력전압 범위, 입력 오프셋 전압, 이득대역폭 곱, 출력전압 스윙 범위, 입력 저항 등이 있습니다. 이러한 특성을 고려하여 실험 설계를 해야 합니다. 2. 슈미츠 트리거 회로 설계 PSPICE 시뮬레이션을 통해 Vdd=+5V, Vth=2.5V인 슈미츠 트리거 회로를 설계하였습니다. 저항 R1과 R2의 값을 계산하여 회로를 구현하였고, DC sweep 시뮬레이션 결과 Vth가 2.5V인...2025.01.29
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비4. MOSFET 소자 특성 측정 A+2025.01.271. MOSFET 특성 parameter 계산 데이터시트를 이용하여 문턱전압 Vt와 전달 특성 계수 K를 구하였다. 문턱전압 Vt는 2.1V이며, 전달 특성 계수 K는 수식을 활용하여 계산한 결과 0.223 V/A^2이다. 또한 Vt=2.1V일 때 드레인 전류 Id를 계산하였고, 그 값은 45.6mA이다. 2. MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션 OrCAD PSPICE를 이용하여 MOSFET 2N7000 회로도를 설계하였다. 게이트 전압 Vg를 0V에서 5V까지 0.1V 간격으로 변화시키며 Id-Vds 특성곡선을 시뮬레이션하였다...2025.01.27
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중앙대 전자회로설계실습 결과1. Op Amp를 이용한 다양한 Amplifier 설계 A+2025.01.271. Op Amp를 이용한 Amplifier 설계 본 실험에서는 Op Amp를 이용하여 다양한 Amplifier 회로를 설계하고 분석하였다. 먼저 센서 구현을 위해 Function generator를 이용하여 정현파를 생성하고 오실로스코프로 측정하였다. 다음으로 Inverting Amplifier 회로를 설계하여 이득을 측정하고 PSPICE 시뮬레이션 결과와 비교하였다. 또한 입력 범위와 주파수 응답 특성을 분석하였으며, 입력 임피던스 변화에 따른 출력 전압 변화를 관찰하였다. 실험 결과를 토대로 설계 목표와의 오차 원인을 분석하고...2025.01.27
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