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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 2 정류회로)2025.01.291. 정류회로 정류회로는 교류 전압을 직류 전압으로 변환하는 중요한 회로이다. 반파 정류회로, 전파 정류회로, 브리지 정류회로 등 다양한 정류회로 구조가 있으며, 각각의 동작 원리와 입출력 특성이 다르다. 반파 정류회로는 한 주기의 절반만 정류하지만 구조가 간단하고, 전파 정류회로와 브리지 정류회로는 전체 주기를 정류하여 효율이 높다. 또한 필터 커패시터를 추가하면 리플이 감소하는 피크 정류회로를 구현할 수 있다. 이러한 정류회로의 특성을 이해하고 실험을 통해 확인하는 것이 중요하다. 1. 정류회로 정류회로는 교류 전압을 직류 전압...2025.01.29
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[예비보고서]중앙대학교전자회로설계실습 4주차 MOSFET의 특성측정2025.01.121. MOSFET 특성 측정 이 보고서에서는 MOSFET 소자의 특성을 측정하고 분석하는 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용으로는 데이터시트를 이용한 문턱전압(VT)과 전류계수(kn) 계산, PSPICE 시뮬레이션을 통한 MOSFET 회로 설계 및 특성 곡선 분석, 시뮬레이션 결과와 데이터시트 값의 비교 등이 포함되어 있습니다. 이를 통해 MOSFET 소자의 동작 원리와 특성을 이해하고 측정하는 방법을 학습할 수 있습니다. 1. MOSFET 특성 측정 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect...2025.01.12
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MOSFET 바이어스 회로 실험 예비보고서2025.01.021. MOSFET 바이어스 회로 이 실험은 MOSFET 바이어스 회로를 구현하고 분석하는 것을 목적으로 합니다. 게이트 바이어스 회로와 베이스 바이어스 회로를 구성하고 각각의 회로에서 필요한 전압과 전류 값을 구하는 실험을 수행합니다. Pspice 시뮬레이션을 통해 회로를 분석하고 실험 결과를 예측합니다. 1. MOSFET 바이어스 회로 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)은 전자 기기에서 널리 사용되는 중요한 반도체 소자입니다. MOSFET 바이어스 회로는 MOSF...2025.01.02
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전자회로설계 및 실습1_설계 실습1. OP Amp를 이용한 다양한 Amplifier 설계_예비보고서2025.01.221. 센서 측정 및 등가회로 센서의 출력신호가 주파수 2kHz의 정현파이고 peak to peak 전압이 200mV인 것을 확인했다. 센서의 부하로 10KΩ 저항을 연결했을 때 peak to peak 전압이 100mV로 감소했다. 이를 통해 센서의 Thevenin 등가회로를 구할 수 있으며, Function generator와 저항으로 이를 구현할 수 있다. 2. Inverting Amplifier 설계 및 시뮬레이션 센서의 출력을 증폭하기 위해 Inverting Amplifier를 설계했다. 설계 과정과 PSPICE 시뮬레이션 결...2025.01.22
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피드백 증폭기 (Feedback Amplifier) 설계 및 실험2025.05.141. Series-Shunt 피드백 증폭기 설계 Series-Shunt 피드백 증폭기 회로를 PSPICE로 시뮬레이션하여 입출력 특성 곡선을 그렸습니다. 입력저항과 부하저항 값을 변경하여 특성 곡선을 비교 분석하였고, 전원 전압 변화에 따른 출력 전압 변화도 확인하였습니다. 출력 전압이 일정 전압 이상에서 더 이상 변하지 않는 이유를 설명하였습니다. 2. Series-Series 피드백 증폭기 설계 Series-Series 피드백 증폭기 회로를 PSPICE로 시뮬레이션하여 입출력 특성 곡선을 그렸습니다. 입력저항과 피드백 저항 값을...2025.05.14
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[기초전자실험 with pspice] 06 키르히호프의법칙 예비보고서 <작성자 학점 A+>2025.04.281. 키르히호프의 전압 법칙 키르히호프의 전압 법칙은 '폐회로(전류가 흐를 수 있도록 연결된 회로)에서 전원장치가 공급한 전압은 각 소자에 걸린 전압의 합과 같다'로 표현된다. 이에 따라 V = V1 + V2 + V3가 성립한다. 또한, '폐회로에서 전압상승과 전압강하의 합은 0이다'라고도 표현 할 수 있는데, 식 V + (-V1) + (-V2) + (-V3) = 0가 이를 나타낸다. 키르히호프의 전압 법칙은 전하 보존과 에너지 보존에 의한 결과이다. 2. 키르히호프의 전류 법칙 키르히호프의 전류법칙은 '회로의 접속점으로 들어오는 ...2025.04.28
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실험 12_소오스 팔로워 예비 보고서2025.04.271. 소오스 팔로워 증폭기 소오스 팔로워 증폭기는 입력 신호가 게이트에 인가되고 출력 신호가 소오스에서 감지되는 공통 드레인 증폭기이다. 출력 신호가 입력 신호를 따라가기 때문에 '소오스 팔로워'라고 불린다. 소오스 팔로워는 출력 임피던스가 작아 작은 부하를 구동하는데 유리하고 전압 버퍼로 사용된다. 이 실험에서는 소오스 팔로워 회로의 동작 원리와 특성을 확인하였다. 2. 소오스 팔로워의 전압 이득 소오스 팔로워의 전압 이득은 1에 가까운 값을 가진다. 저항 부하와 전류원 부하가 있는 경우 각각 식 (12.1)과 (12.2)와 같이...2025.04.27
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실험 10_MOSFET 바이어스 회로 예비 보고서2025.04.271. MOSFET 바이어스 회로 MOSFET을 증폭기로 동작시키기 위해서는 적절한 DC 바이어스가 인가되어야 하며, 이때의 DC 바이어스를 동작점 또는 Q점이라고 부른다. DC 바이어스는 증폭기의 전압 이득과 스윙을 결정하는 중요한 역할을 한다. 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 증폭기의 DC 동작점을 잡아주기 위한 바이어스 회로에 대해서 공부하고, 실험을 통하여 그 동작을 확인하고자 한다. 2. 전압분배 MOSFET 바이어스 회로 그림 [10-1]은 가장 기본적인 전압분배 MOSFET 바이어스 회로이다. 이 회로는 소오스 단자에...2025.04.27
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실험 20_차동 증폭기 기초 실험 예비보고서2025.04.281. 차동 증폭기 기초 실험 이 실험에서는 MOSFET을 사용한 차동 쌍의 동작을 위한 기본 조건을 살펴보고 기본적인 측정을 통하여 검증하고자 한다. 이를 토대로 부하 저항을 연결한 MOSFET 차동 증폭 회로를 구성하여 확인하고, 특성을 분석한다. 2. 전류 거울 능동 부하와 전류 거울은 집적회로를 설계할 때 일정한 전류원이 가장 기본적인 요소가 되는데, 전류원이 필요한 곳마다 저항을 사용하여 회로를 설계하면 신뢰성이 저항의 정확도에 따라 결정된다. 따라서 수동 부하 저항을 사용하여 집적회로를 설계하기보다는 능동 부하 회로를 이용...2025.04.28
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중앙대 전자회로 설계 실습 예비보고서 7_Common Emitter Amplifier의 주파수 특성2025.01.111. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 이전 실험의 2차 설계 결과회로에 대하여 모든 커패시터의 용량을 10uF으로 하고 CE 증폭기에 100㎑, 20mVpp 사인파를 입력하였을 때의 출력파형을 PSPICE로 Simulation하였다. 출력전압의 최대값은 152mV, 최솟값은 -137mV이다. 입력신호의 주파수가 10㎐에서 10㎒까지 변할 때 CE amplifier의 주파수 특성을 PSPICE로 simulation하여 그래프로 그렸다. 입력신호의 주파수가 10㎐에서 Unit gain frequency까지 변...2025.01.11
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