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BJT와 MOSFET을 사용한 구동(switch) 회로2025.01.211. BJT 구동 회로 설계 BJT를 이용하여 LED 구동 회로를 설계하였습니다. 부하가 emitter에 연결된 경우와 inverter에 연결된 경우에 대해 각각 IB, IE, IC, VB, VC, R1, R2를 계산하고 총 소비전력을 구하였습니다. 또한 구동 신호 VIN이 5V(High)일 때와 0V(Low)일 때의 동작을 분석하였습니다. 2. MOSFET 구동 회로 설계 MOSFET을 이용한 LED 구동 회로를 설계하였습니다. MOSFET의 datasheet를 참고하여 적절한 RD(ON)을 선정하고, MOSFET의 Triode ...2025.01.21
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전자공학실험 6장 공통 이미터 증폭기 A+ 예비보고서2025.01.131. BJT 소신호 등가회로 BJT 소신호 등가회로는 트랜지스터의 선형적인 증폭을 얻기 위해 소신호 AC 전압을 입력 전압으로 하는 등가 회로 모델이다. 컬렉터 전류 i_c는 g_m에 비례하며, 소신호 출력 전압 v_o의 크기는 r_o에 비례한다. 따라서 r_o는 컬렉터 전류에 반비례한다. 2. 공통 이미터 증폭기의 동작 원리 공통 이미터 증폭기에서 입력 v_I는 베이스-이미터 전압 v_BE이고, 출력 v_0는 컬렉터-이미터 전압 v_CE이다. 베이스-이미터 사이의 소신호 입력 전압에 비례하는 전류가 컬렉터에 흐르고, 이 전류가 출...2025.01.13
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전자공학실험 5장 BJT 바이어스 회로 A+ 예비보고서2025.01.131. BJT 바이어스 회로 BJT를 증폭기로 동작시키기 위해서는 적절한 DC 바이어스가 인가되어야 하며, 이때의 DC 바이어스를 동작점 또는 Q점이라고 부른다. DC 바이어스는 증폭기의 전압 이득과 스윙을 결정하는 중요한 역할을 한다. 이 실험에서는 BJT를 이용한 증폭기의 DC 동작점을 잡아주기 위한 바이어스 회로에 대해 알아보고, 실험을 통하여 동작을 확인하고자 한다. 2. 전압분배 바이어스 회로 일반적으로 증폭기의 동작점을 잡아주기 위해서는 바이어스 회로가 필요하다. 가장 기본적인 전압분배 바이어스 회로는 저항 RB1 또는 R...2025.01.13
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전자회로설계 및 실습5_BJT와 MOSFET을 사용한 구동(switch)회로_예비보고서2025.01.221. BJT와 MOSFET을 이용한 RTL switch 회로 설계 및 구현 이 보고서에서는 BJT와 MOSFET을 이용하여 TTL 레벨의 전압(5V)으로 동작하는 RTL switch 회로를 설계하고 구현하여 relay 또는 LED를 구동하고 그 동작을 측정 및 평가하는 것을 목적으로 합니다. 보고서에는 BJT 기반 LED 구동 회로 설계, MOSFET 기반 LED 구동 회로 설계, 구동 회로 측정 방법 등이 자세히 설명되어 있습니다. 2. BJT 기반 LED 구동 회로 설계 보고서에서는 BJT 2N3904를 사용하여 BL-B4531...2025.01.22
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전자공학실험 4장 BJT 기본 특성 A+ 결과보고서2025.01.151. 바이폴라 접합 트랜지스터(BJT) 바이폴라 접합 트랜지스터(BJT)는 N형과 P형 반도체를 샌드위치 모양으로 접합한 구조로, 이미터, 베이스, 컬렉터라고 하는 3개의 단자로 구성된다. 베이스 단자의 전류가 컬렉터 단자의 전류나 이미터 단자의 전류에서 증폭되는 특성을 가지므로, 증폭기로 사용될 수 있다. 2. BJT의 기본 특성 실험 이 실험에서는 BJT의 기본적인 동작 원리를 살펴보고, 전류-전압 특성 및 동작 영역을 실험을 통하여 확인한다. 또한 BJT의 전류 증폭도 및 출력 저항을 측정을 통해 확인한다. 3. BJT의 동작...2025.01.15
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전자공학실험 6장 공통 이미터 증폭기 A+ 결과보고서2025.01.151. 공통 이미터 증폭기 공통이미터 증폭기는 베이스가 입력 단자, 컬렉터가 출력 단자, 이미터가 공통 단자인 증폭기이고, 높은 전압 이득을 얻을 수 있다는 장점이 있어 널리 사용되고 있다. 이 실험에서는 공통 이미터 증폭기의 입력-출력 특성 곡선을 구하고, 소신호 등가회로의 개념을 적용하여 전압 이득을 구하고, 이를 실험에서 확인하고자 한다. 2. BJT 동작 영역 실험회로 1에서 VBB가 0~0.5V일 때는 출력전압 VO가 거의 바뀌지 않고 VBB또한 VBE>0.7의 조건을 만족하지 않아 cut-off(차단영역)임을 알 수 있다....2025.01.15
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울산대학교 전기전자실험 6. 쌍극성 접합 트랜지스터(BJT)특성2025.01.121. BJT 단자 검사 BJT의 단자를 구별하기 위해 다이오드의 저항과 임계전압을 이용한 검사를 수행했다. 양(+)단자와 음(-)단자를 연결하여 측정한 결과, 낮은 전압값을 가지는 단자가 컬렉터(C), 높은 전압값을 표시하는 단자가 이미터(E)임을 확인했다. 2. BJT 공통 Emitter(CE) 특성 공통 Emitter 회로에서 베이스 전류를 증가시키면 컬렉터 전류가 증가하는 것을 관찰했다. 이를 통해 베이스 전류를 통해 이미터에 흐르는 전류를 제어할 수 있음을 확인했다. 3. β 변화에 따른 BJT 특성 베이스 전류를 일정하게 ...2025.01.12
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BJT의 에미터 바이어스 및 콜렉터 궤환 바이어스 회로2025.01.121. 에미터 바이어스 회로 에미터 바이어스 회로는 고정 바이어스 회로에 저항을 하나 추가한 형태로 만들 수 있으며, 고정 바이어스 회로보다 안정된 동작을 보여준다. 에미터 바이어스 회로에서는 β값이 안정적이라는 것을 관찰할 수 있었다. 2. 콜렉터 궤환 바이어스 회로 콜렉터 궤환 바이어스 회로는 고정 바이어스 회로에서 베이스 저항을 콜렉터로 궤환시킨 구조로, 적은 부품을 사용할 수 있으며 안정된 동작을 보여준다. 콜렉터 궤환 바이어스에서는 I_C값이 안정적이라는 것을 관찰할 수 있었다. 3. 바이어스 회로 비교 7장과 8장에서 실험...2025.01.12
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울산대학교 전기전자실험 13. 전류원 및 전류 미러 회로2025.01.121. JFET 전류원 JFET을 이용한 회로에서 부하저항을 20Ω, 100Ω, 150Ω으로 변경해가며 전류를 측정했을 때 10.1mA, 10.3mA, 10.2mA으로 저항값의 변화에도 관계없이 약 10mA의 전류를 공급해줄 수 있다는 것을 확인할 수 있었다. 이는 JFET 전류원 회로가 부하저항 변화에 영향을 받지 않고 일정한 전류를 공급할 수 있음을 보여준다. 2. BJT 전류원 BJT를 이용한 회로에서 부하저항을 3.6kΩ과 5.1kΩ으로 변경하면서 전류를 측정했는데 두 회로 모두 1.04mA의 전류가 측정되었다. 이를 통해 B...2025.01.12
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중앙대학교 전자회로설계실습 5주차 MOSFET와 BJT를 사용한 LED 구동회로 설계2025.01.121. BJT를 사용한 LED 구동회로 설계 BJT 2N3904를 사용하여 BL-B4531 (VF =2 V, IF =20 mA) LED를 구동하는 회로를 설계하였다. BJT가 saturation 영역에서 동작하도록 βsat, VCE(sat), VBE(sat)를 설정하였고, 부하가 emitter에 연결된 LED 구동회로와 부하가 inverter에 연결된 LED 구동회로를 설계하였다. 각 회로의 소비전력을 계산하였다. 2. MOSFET을 사용한 LED 구동회로 설계 2N7000 MOSFET을 사용하여 BL-B4531 (VF =2 V, I...2025.01.12
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