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중앙대학교 아날로그 및 디지털 회로 설계 실습 예비 보고서2025.01.041. Wien bridge RC 발진기 Wien bridge RC 발진기는 아날로그 및 디지털 회로 설계에서 널리 사용되는 신호 발생기입니다. 이 실습에서는 Wien bridge RC 발진기를 설계하고 제작하여 동작을 확인하였습니다. 발진 주파수 1.63 kHz에서 발진하도록 회로를 설계하였고, 시뮬레이션을 통해 출력 파형과 FFT 분석을 수행하였습니다. 또한 다이오드를 이용하여 출력 신호를 안정화하는 방법을 제시하였습니다. 1. Wien bridge RC 발진기 Wien bridge RC 발진기는 안정적이고 신뢰성 있는 발진기로,...2025.01.04
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아날로그및디지털회로설계실습 (예비)설계실습 11. 카운터설계 A+2025.01.291. 4진 비동기 카운터 4진 비동기 카운터의 동작을 설명하고, 1MHz의 구형파를 입력했을 때 Q1 신호의 주파수는 500kHz, Q2 신호의 주파수는 250kHz임을 확인하였다. 입력 신호, Q1 신호, Q2 신호의 파형을 그림으로 나타내었다. 2. 8진 비동기 카운터 버튼 스위치를 입력으로 사용하여 8진 비동기 카운터를 설계하였다. Q1, Q2, Q3 출력 신호에 LED를 연결하여 카운터의 상태를 확인할 수 있도록 하였다. 3. 10진 비동기 카운터 16진 비동기 카운터와 리셋 회로를 이용하여 10진 비동기 카운터를 설계하였다...2025.01.29
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[예비보고서]중앙대학교 전자회로설계실습 MOSFET Current Mirror 설계2025.05.101. 단일 Current Mirror 설계 전자회로 설계 및 실습 예비보고서에서 단일 Current Mirror 설계에 대해 설명하고 있습니다. 2N7000 트랜지스터를 이용하여 10.09 mA의 전류원을 설계하는 과정을 보여주고 있습니다. 트랜지스터의 특성을 이용하여 전류원의 동작 조건을 만족시키는 방법을 설명하고 있으며, OrCAD와 PSPICE를 이용한 회로 설계 및 시뮬레이션 결과를 제시하고 있습니다. 2. Cascode Current Mirror 설계 전자회로 설계 및 실습 예비보고서에서 Cascode Current Mir...2025.05.10
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[예비보고서]중앙대학교 아날로그및디지털회로설계실습 신호발생기2025.05.101. Wien bridge RC 발진기 Wien bridge RC 발진기를 이용하여 신호 발생기를 설계, 제작, 측정하고 그 동작을 확인하는 실습을 수행했습니다. 실습에서는 Wien bridge 회로의 관계식을 도출하고, 1.63 kHz에서 발진하는 회로를 설계했습니다. 또한 발진 조건을 만족하는 저항값을 찾고, 시뮬레이션을 통해 출력 파형과 FFT 분석을 수행했습니다. 마지막으로 다이오드를 사용하여 Wien bridge 발진기를 안정화하는 회로를 설계하고, 다이오드의 역할에 대해 설명했습니다. 1. Wien bridge RC 발진...2025.05.10
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A+ 연세대학교 기초아날로그실험 2주차 결과레포트2025.05.101. DAQ 실습 myDAQ의 Function Generator, Oscilloscope 기능을 사용하여 Sine 파형, Square 파형, 전압, 전류, 저항, 다이오드 등을 측정하였다. 실험 결과를 통해 각 파형의 특성과 전압, 전류 측정 방법을 확인하였다. 2. PSPICE 시뮬레이션 OrCAD 프로그램을 사용하여 OP 시뮬레이션, DC 시뮬레이션, Parametric 시뮬레이션, Transient 시뮬레이션, FFT 시뮬레이션, AC 시뮬레이션, VPULSE 시뮬레이션 등을 수행하였다. 이를 통해 회로 구성 방법과 각 소자의...2025.05.10
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(22년) 중앙대학교 전자전기공학부 전자회로설계실습 예비보고서 4. MOSFET 소자 특성 측정2025.04.301. MOSFET 소자 특성 측정 이 보고서는 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 소자의 특성을 측정하고 분석하는 내용을 다루고 있습니다. 주요 목적은 MOSFET 소자의 문턱 전압(Vth), 전달 전도도(gm), 드레인 전류(Id) 등의 특성 파라미터를 데이터시트를 이용하여 계산하고, 시뮬레이션을 통해 검증하는 것입니다. 또한 특성 곡선을 도출하여 MOSFET 소자의 동작 특성을 분석하고자 합니다. 1. MOSFET 소자 특성 측정 MOSFET(Metal-Oxid...2025.04.30
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[A+] 중앙대학교 전자회로 설계실습 예비보고서 4. MOSFET 소자 특성 측정2025.04.291. MOSFET 소자 특성 측정 이 보고서는 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 소자의 특성을 측정하고 분석하는 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용은 다음과 같습니다: 1. MOSFET 소자의 특성 파라미터(문턱전압, 드레인 전류 등)를 데이터시트를 이용하여 계산하고 분석합니다. 2. MOSFET 회로를 구성하고 PSPICE 시뮬레이션을 통해 특성 곡선을 도출합니다. 3. 시뮬레이션 결과와 데이터시트 값을 비교하여 오차율을 분석합니다. 4. 실험 환경의 차이로 인...2025.04.29
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중앙대학교 아날로그 및 디지털 회로 설계 실습 5차 예비보고서2025.01.041. 전압제어 발진기(VCO) 전압제어 발진기(VCO)를 설계하고 전압을 이용한 발진 주파수의 제어를 실험으로 확인하였습니다. 슈미트 회로와 적분기 회로를 결합하여 VCO를 구현하였으며, 입력 전압 VC에 따른 출력 주파수 f의 변화를 관찰하였습니다. 시뮬레이션 결과, VC가 증가함에 따라 f도 증가하는 경향을 보였으며, 고주파 영역에서는 비선형적으로 증가하는 것을 확인하였습니다. 또한 슈미트 회로의 저항비와 커패시터 값을 변화시키면서 출력 파형을 관찰하였습니다. 1. 전압제어 발진기(VCO) 전압제어 발진기(VCO)는 전자 회로 ...2025.01.04
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디지털집적회로 NAND, NOR, XOR gate 설계도 및 DC, Transient 시뮬레이션 결과2025.04.281. NAND gate NAND gate의 pull-down 네트워크는 VA와 VB가 모두 높을 때 도통하는 직렬 NMOS 트랜지스터로 구성되며, pull-up 네트워크는 병렬 PMOS 트랜지스터로 구성됩니다. NAND gate의 효과적인 pull-up/pull-down 저항은 단위 인버터의 저항과 같아야 합니다. NMOS 트랜지스터가 직렬로 연결되어 있어 효과적인 저항이 두 배가 되므로 크기가 단위 인버터의 두 배가 되어야 합니다. PMOS의 경우 최악의 경우인 하나의 PMOS만 켜지는 것을 고려하여 단위 인버터와 같은 크기로 설...2025.04.28
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중앙대 전자회로 설계 실습 예비보고서 4_MOSFET 소자 특성 측정2025.01.111. MOSFET 특성 parameter 계산 Data Sheet를 이용하여 MOSFET의 문턱전압 Vth와 포화전류 Id,sat을 구하였습니다. 문턱전압 Vth를 구할 때 필요한 수식과 수치를 자세히 설명하였고, Vgs=0.6V일 때의 Id 값도 계산하였습니다. 2. MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션 OrCAD를 이용하여 MOSFET 회로도를 설계하고, PSPICE로 Id-Vds 특성곡선을 시뮬레이션하였습니다. 시뮬레이션 결과를 이용하여 문턱전압 Vth와 포화전류 Id,sat을 구하고, 이를 Data Sheet 값과 비교하였...2025.01.11
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