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아날로그 및 디지털 회로 설계실습 예비보고서 4주차2025.01.171. 전압제어 발진기 전압제어 발진기(VCO: Voltage Controlled Oscillator)를 설계하고 전압을 이용한 발진 주파수의 제어를 실험으로 확인한다. 슈미츠 회로의 특성을 실험하고, 시뮬레이션 도구를 이용하여 슈미트 트리거 회로를 설계한다. 또한 전압제어 발진기 회로를 설계하고 출력 파형을 관찰하며, 전압 변화에 따른 주파수 변화를 그래프로 나타낸다. 중심 주파수 2kHz가 되도록 회로를 설계하고, 슈미츠 회로의 저항비와 커패시터 값 변화에 따른 출력 파형 변화를 관찰한다. 1. 전압제어 발진기 전압제어 발진기(V...2025.01.17
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전자공학실험 15장 다단 증폭기 A+ 결과보고서2025.01.151. 다단 증폭기 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 다단 증폭기를 구성하고, 그 특성을 분석하였습니다. 실험회로 1에서는 공통 소오스 증폭기로 구성된 2단 증폭기 회로를 구성하고, 실험회로 2에서는 공통 소오스 증폭기 2단과 소오스 팔로워로 구성된 3단 증폭기 회로를 구성하였습니다. 각 회로에서 MOSFET의 동작 영역을 확인하고, 소신호 파라미터를 구하여 이론적인 전압 이득을 계산하였습니다. 또한 실험을 통해 실제 전압 이득을 측정하고, 부하 저항 RL을 변경하여 그 영향을 확인하였습니다. 2. MOSFET 증폭기 이 실험에서는...2025.01.15
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[A+]전자회로설계실습 예비보고서 52025.01.041. BJT와 MOSFET을 이용한 RTL switch 회로 설계 및 구현 이 보고서의 목적은 BJT와 MOSFET을 사용하여 TTL 레벨의 전압(5V)으로 동작하는 RTL switch 회로를 설계하고 구현하여 relay 또는 LED를 구동하고 그 동작을 측정 및 평가하는 것입니다. 준비물로는 Function Generator, Oscilloscope, DC Power Supply, BJT, LED, MOSFET, 저항 등이 필요합니다. 설계 계획으로는 BJT 2N3904를 사용하여 BL-B4531 LED를 구동하는 회로를 설계하고...2025.01.04
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전자회로실험 과탑 A+ 결과 보고서 (실험 10 MOSFET 바이어스 회로)2025.01.291. 게이트 바이어스 회로 게이트 바이어스 회로는 가장 기본적인 전압분배 MOSFET 바이어스 회로이다. 이 회로는 소스 단자에 저항 R_S를 추가함으로써, R_G1과 R_G2의 변화에 따른 V_GS전압과 I_D 전류의 변화를 줄일 수 있다. 회로의 각 노드의 전압과 전류를 구하면 I_D와 V_GS를 안정적으로 유지할 수 있다. 이 회로는 전류 제어가 용이하고, 트랜지스터가 포화 영역에서 증폭기로 안정적으로 동작하는 데 적합하다. 2. 다이오드로 연결된 MOSFET 바이어스 회로 다이오드로 연결된 MOSFET 바이어스 회로는 피드백...2025.01.29
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중앙대학교 아날로그및디지털회로 예비보고서42025.01.201. Wien bridge 회로 설계 주어진 Wien bridge 회로에서 V+와 V-의 관계식을 구하고, 이 관계식을 이용하여 1.63 kHz에서 발진하는 Wien bridge 회로를 설계하였습니다. 전압 분배 공식을 사용하여 관계식을 도출하였고, 이를 통해 976.4Ω의 저항 값을 사용해야 한다는 것을 확인하였습니다. 2. Wien bridge oscillator 설계 발진 조건을 만족하는 R1, R2 값을 찾아 Wien bridge oscillator를 설계하였습니다. R1=5kΩ, R2=10kΩ을 사용하여 회로를 구성하였고,...2025.01.20
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전기회로설계실습 실습2 예비보고서2025.01.201. 건전지의 내부저항 측정 건전지의 내부저항은 매우 작은 값을 가질 것이다. 부하저항을 R_a, 건전지 내부 저항을 R_b라 하면, V_a = {R_a} over {R_a +R_b} V라 할 수 있기 때문에 R_b → 0일수록 부하전압과 실제 전압이 같아져야 한다. 회로는 건전지의 전압을 측정하고, 건전지와 10Ω 저항, 푸쉬 버튼을 직렬로 연결하고, 10Ω 저항에 DMM을 병렬로 연결하여 전압을 측정하고, 이를 이용하여 저항을 구할 수 있다. 2. 부하효과 이해 최대출력전류가 0.01A이므로 출력되는 전압이 급격히 감소할 것이다...2025.01.20
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전자회로설계실습 예비보고서 112025.01.041. Push-Pull 증폭기 이 실험의 목적은 RL = 100 Ω, Rbias = 1 kΩ, VCC = 12 V인 경우 Push-Pull 증폭기의 동작을 이해하고 Dead zone과 Crossover distortion 현상을 파악하며 이를 제거하는 방법에 대해 실험하는 것입니다. 실험을 통해 Push-Pull 증폭기의 입출력 transfer characteristic curve를 확인하고, Dead zone이 발생하는 이유를 설명합니다. 1. Push-Pull 증폭기 Push-Pull 증폭기는 전자 회로 설계에서 매우 중요한 역...2025.01.04
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전기및디지털회로실험 실험8 결과보고서2025.01.121. 7-세그먼트 표시기 7-세그먼트 표시기는 디지털 방식으로 십진수 숫자를 표시하는 데 널리 사용되고 있다. 이 실험에서는 7-세그먼트 표시기의 구성원리를 이해하고 이를 구동하는 방법을 실습하였다. 7-세그먼트 표시기는 전용 디코더와 함께 사용되는데, 디코더는 BCD 코드를 7-세그먼트 표시기의 적절한 입력으로 변환해준다. 이 실험에서는 7447 디코더를 사용하여 BCD 입력에 따른 7-세그먼트 표시기의 동작을 확인하였다. 2. 7447 디코더 7447 디코더는 BCD 코드를 입력받아 7-세그먼트 표시기의 적절한 입력으로 변환해주...2025.01.12
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중앙대학교 아날로그 및 디지털 회로 설계 실습 3차 예비보고서2025.01.061. 단극 스텝 모터 (Uni-polar step motor) 단극 스텝 모터의 동작 원리를 이해하고, 스텝 모터를 조종하기 위한 범용 이동 레지스터 (Universal shift register)의 사용 방법을 배웁니다. BJT 트랜지스터와 범용 이동 레지스터를 이용하여 스텝 모터 구동기를 설계하고 그 동작을 확인합니다. 2. 범용 이동 레지스터 74HC194 74HC194 데이터시트를 분석하여 범용 이동 레지스터의 동작을 예상합니다. 레지스터의 S0, S1 입력에 따른 출력 QA~QD의 변화를 이해합니다. 3. ULN2003AN...2025.01.06
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홍익대_디지털논리회로실험_8주차 예비보고서_A+2025.01.151. Gated D Latch Gated D Latch는 Gated S-R Latch와 매우 유사하다. S와 R에 1이 동시에 입력되는 것을 막기 위해 R에 인버터를 이용해 를 입력하는 Gated S-R Latch가 Gated D Latch라고 할 수 있다. EN이 0일 때는 NAND 게이트가 무조건 1을 출력하므로 Q의 출력 값이 변하지 않는 NC상태이다. EN이 1이고 D에 1이 입력되면 D를 입력으로 받는 NAND 게이트의 결과가 0, 를 입력으로 받는 NAND 게이트의 결과가 1이므로 Q = 1, =0이 출력된다. EN이 1...2025.01.15
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