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아날로그회로실험및설계 Op-amp 반전, 비반전 증폭기 실험 보고서2025.01.241. 연산 증폭기(Op-amp) 연산 증폭기는 두 개의 입력 단자에서 전류가 나오면서 이를 증폭하는 소자입니다. 이미터 부분에서 들어오는 전류를 전체적으로 통제하고 효율적으로 증폭을 구현하며, 컬렉터 부분에서 이 전류를 모아 회로적으로 구현할 수 있게 합니다. 따라서 이미터 부분과 컬렉터 부분의 두 지점에서 증폭이 구현되어 연산 증폭기라고 정의됩니다. 2. 반전 증폭기(Inverting AMP) 반전 증폭기는 출력 전압이 입력 전압에 비례하지만 부호가 반전되어 나타나는 회로 구조입니다. 이상적인 Op-amp를 가정하면, 비반전 입력...2025.01.24
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아날로그회로실험및설계 Op-Amp 가감산기 실험 보고서2025.01.241. 연산 증폭기(Op-Amp) 연산 증폭기는 구현하는 단자가 2개의 지점에서 전류가 나오기 시작하면서 이를 증폭으로 구현하는 소자입니다. 이미터 부분에서 들어오는 전류를 전체적으로 통제하고 효율적으로 증폭을 구현하며, 컬렉터 부분에서 이 전류를 모아서 회로적으로 구현이 가능하게 소자의 증폭을 전달해줍니다. 2. 반전 증폭기(Inverting AMP) 반전 증폭기는 출력 전압이 입력 전압에 비례한 값에 부호가 반전되어 나타나는 회로 구조입니다. 이상적인 Op-Amp를 가정하면, Vp가 0V이고 Virtual short인 Vn의 전압...2025.01.24
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전기회로설계실습 예비보고서42025.05.151. Thevenin 등가회로 설계 이 보고서는 Thevenin 등가회로를 설계, 제작, 측정하여 원본 회로 및 이론값과 비교하는 것을 목적으로 합니다. 준비물로는 기본 장비와 부품들이 필요하며, 브리지 회로에서 RL에 걸리는 전압과 전류를 이론적으로 계산하고, Thevenin 등가회로의 Vth와 Rth를 구합니다. 또한 실험적으로 Vth와 Rth를 측정하는 방법을 설명하고, 부하가 포함된 Thevenin 등가회로를 구성하여 RL의 전압과 전류를 측정합니다. 1. Thevenin 등가회로 설계 Thevenin 등가회로 설계는 전기 ...2025.05.15
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중앙대학교 전기회로설계실습 결과보고서 - 전원의 출력저항, DMM의 입력저항 측정회로 설계2025.05.151. 6 V 건전지의 출력저항 측정 6 V 건전지의 출력저항을 측정하기 위해 6 V 건전지와 10 Ω 저항을 이용하여 회로를 구성하고 측정한 결과, 건전지의 내부저항은 1.41 Ω으로 나타났다. 작은 저항값을 가진 회로에서는 건전지의 내부저항을 고려해야 한다는 것을 알 수 있었다. 2. Pushbutton switch 사용 이유 Pushbutton switch를 사용하는 이유는 작은 저항값을 가진 회로에서 많은 전류가 흘러 열이 발생하여 소자가 탈 수 있기 때문이다. Pushbutton switch를 사용하면 회로를 간헐적으로 연결...2025.05.15
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SR 플립플롭을 이용한 간단한 도어락과 조도센서를 이용한 LED2025.05.111. SR 플립플롭 SR 플립플롭은 값을 저장할 수 있는 성질을 가지고 있어, 이를 활용하여 간단한 도어락을 만들 수 있다. 사용자가 입력한 값을 기억하고, AND 게이트를 통해 맞는 비밀번호를 입력했을 경우 도어락에 열림 신호를 보낼 수 있다. 2. 조도센서 CdS 소자를 활용한 조도센서를 사용하여 어두운 환경에서도 도어락을 쉽게 찾을 수 있도록 LED를 자동으로 켤 수 있다. CdS 소자의 저항 값이 커지면 트랜지스터가 작동되어 LED에 불이 들어오게 된다. 3. 도어락 설계 SR 플립플롭을 이용하여 비밀번호를 기억하고, AND...2025.05.11
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NAND 게이트의 활용과 논리 회로 구성2025.01.021. NAND 게이트의 특성과 활용 NAND 게이트는 논리 게이트의 하나로, 두 개의 입력 중 하나 이상이 0일 때 출력이 1이 되는 특성을 가지고 있습니다. 이러한 NAND 게이트는 다른 논리 게이트들을 구성하는 데에 매우 중요한 역할을 하며, 특히 다른 모든 논리 게이트를 구성할 수 있는 유일한 게이트로 알려져 있습니다. 이러한 이유로 많은 회로에서 NAND 게이트를 사용하는 것이 일반적이며, 두 개의 NAND 게이트를 사용하여 AND 게이트를 구성할 수 있습니다. 이는 더 복잡한 논리 회로를 구성하는 데에 필요한 기본적인 블록...2025.01.02
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서52025.01.111. BJT와 MOSFET을 이용한 스위치 회로 설계 이 예비 보고서는 BJT와 MOSFET을 사용하여 TTL 레벨의 전압(5V)으로 동작하는 RTL 스위치 회로를 설계하고 구현하는 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용으로는 BJT를 이용한 LED 구동 회로 설계, MOSFET을 이용한 LED 구동 회로 설계, 그리고 구동 회로 측정 방법 등이 포함되어 있습니다. 이를 통해 BJT와 MOSFET의 스위칭 특성을 이해하고 실제 회로 설계에 적용하는 방법을 학습할 수 있습니다. 1. BJT와 MOSFET을 이용한 스위치 회로 설계 BJT...2025.01.11
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아주대 A+기전실 3주차 결과보고서2025.01.121. 직렬-병렬 직류 회로 실험에서는 12V의 전압을 가하여 저항마다 흐르는 전류, 전압값을 측정하며, 키르히호프의 전압법칙과 전류 전압 분배 법칙을 확인하였다. 실험결과, R2에 흐르는 전류인 I2와 R3에 흐르는 전류 I3가 같았다. 이는 KCL을 사용하여 볼 수 있었는데 0.0046%의 작은 오차가 나왔으며 실험이 성공적으로 진행되었음을 알 수 있다. 실험을 통해 통해 IS = I1 + I2 가 성립함을 확인할 수 있었다. 따라서 병렬로 연결된 회로 내에서 직렬로 연결된 두 소자의 전류는 변하지 않기에 전류 분배 법칙이 성립함...2025.01.12
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중앙대 전자회로설계실습 결과보고서62025.01.121. Common Emitter Amplifier 설계 전자회로설계실습 결과보고서설계실습 6에서는 Common Emitter Amplifier 회로를 구현하고 측정하였습니다. 실험 과정에서 이론값과 측정값의 오차가 발생하였는데, 그 원인으로는 가변저항의 값이 이론값과 달랐고, 측정 단위가 작아 측정값의 영향을 많이 받았으며, 측정 장비의 오차가 수식을 통한 계산에 증폭되었기 때문으로 분석되었습니다. 전반적으로는 만족스러운 실험이었지만, 일부 측정값에서 큰 오차가 발생하였기 때문에 개선이 필요한 것으로 보입니다. 다음 실험에서는 가변...2025.01.12
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다이오드 브리지 정류 회로 실험 결과보고서2025.01.041. 다이오드 브리지 정류 회로 이번 실험의 목표는 다이오드의 역할과 브릿지 정류회로에서 출력값은 어떻게 나타나며, 커패시터를 추가했을 경우 출력전압은 어떻게 나타나는지 알아보는 것이었습니다. 실험 결과, 이론값과 측정값이 상당히 다르게 나타났습니다. 첫 번째 실험에서 다이오드의 전위장벽으로 인한 전압강하를 알아보는 실험이었는데, 이론값보다 높은 값이 측정되었습니다. 두 번째 실험은 다이오드 브릿지 회로를 실험하는 것이었는데, 이론값보다 높은 첨두값이 측정되었습니다. 세 번째 실험은 커패시터를 연결하여 전압값을 측정하는 것으로, 그...2025.01.04
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