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트랜지스터 특성 실험2025.01.021. 트랜지스터의 동작 원리 트랜지스터는 npn 또는 pnp 구조로 이루어진 3단자 소자로, 베이스-이미터 접합은 순방향, 베이스-컬렉터 접합은 역방향으로 바이어스 되어 있다. 트랜지스터는 전류 증폭기로 동작하며, 베이스 전류에 따라 컬렉터 전류가 변화한다. 트랜지스터는 스위칭 동작과 증폭 동작을 할 수 있다. 2. 트랜지스터의 3가지 동작 모드 트랜지스터는 차단 동작 모드, 선형 동작 모드, 포화 동작 모드의 3가지 동작 모드를 가진다. 차단 모드에서는 컬렉터 전류가 거의 흐르지 않고, 선형 모드에서는 베이스 전류에 비례하여 컬렉...2025.01.02
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전기전자공학실험-공통 이미터 증폭기 설계2025.04.301. 공통 이미터 증폭기 설계 공통 이미터 증폭기 회로는 높은 전류이득을 가지며, 입력을 베이스로 인가하여 출력을 컬렉터에서 얻습니다. 출력저항 RL이 증가하면 증폭도가 증가하여 진폭도 증가합니다. 공통 이미터 증폭기 설계 시 트랜지스터의 정규 규격을 파악하고, VCC, 전압이득, 입력임피던스, 부하저항의 최소값과 출력임피던스, 교류출력전압스윙의 최대값을 정합니다. 또한 커플링/바이패스 커패시터 선정, VE 설정, Rc 값 계산, 전압 이득 확인, 입력 임피던스와 출력 임피던스 확인 등의 과정을 거칩니다. 2. 공통 이미터 증폭기 ...2025.04.30
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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 4 BJT 기본 특성)2025.01.291. NPN형 BJT의 동작 원리 NPN형 BJT는 이미터(emitter), 베이스(base), 컬렉터(collector)로 구성된 3단자 반도체 소자다. 이미터는 N형 반도체로 주로 전자를 공급하는 역할을 하고, 베이스는 얇은 P형 반도체로 전류 제어의 핵심 역할을 한다. 컬렉터는 N형 반도체로 이미터에서 방출된 전자를 모은다. 동작 원리는 베이스-이미터 전압(V_BE)과 컬렉터-이미터 전압(V_CE)에 따라 달라진다. 베이스에 약 0.7V(실리콘 기준)의 전압이 가해지면 베이스와 이미터 사이의 PN 접합이 순방향 바이어스가 되어...2025.01.29
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[전자회로실험] 바이어스 해석 결과보고서2025.04.261. 트랜지스터 동작 영역 실험을 통해 트랜지스터의 동작 영역을 파악하였다. 트랜지스터가 능동 영역에서 동작하기 위한 Vbb의 범위를 구하고, 능동 영역에서의 Ic 값을 구하였다. 또한 트랜지스터가 포화 영역에서 동작할 때의 Vce를 구하고 데이터시트 값과 비교하였다. 2. 고정 바이어스 회로 고정 바이어스 회로에서 Vb, Vc, Ic 등의 값을 측정하고 계산하였다. 실험값과 이론값, 시뮬레이션 값 사이에 차이가 있었는데, 이는 실험 과정에서의 오류로 인한 것으로 보인다. 3. 저항 분할 바이어스 회로 저항 분할 바이어스 회로에서도...2025.04.26
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트랜지스터 분해2025.05.121. 트랜지스터 트랜지스터는 전자 회로에서 신호 증폭, 스위칭 등의 기능을 수행하는 핵심 부품입니다. 이 자료에서는 npn 트랜지스터의 구조와 원리를 설명하고 있습니다. 트랜지스터는 emitter, collector, base의 3개 단자로 구성되어 있으며, 수지 케이스로 내부 부품을 보호하고 있습니다. 분해 결과 트랜지스터 내부에는 copper frame과 passivated die가 있음을 확인할 수 있었습니다. 1. 트랜지스터 트랜지스터는 현대 전자 기술의 핵심 구성 요소로, 전자 회로의 기본 단위입니다. 트랜지스터는 전기 신...2025.05.12
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트랜지스터의 직류 특성2025.05.151. 트랜지스터의 구조 트랜지스터는 이미터, 베이스, 콜렉터라고 불리는 3개의 서로 다른 단자로 구성되어 있으며 2개의 접합면을 형성하고 있다. 이들 두 접합면의 상호작용으로 트랜지스터 작용이 이루어진다. 트랜지스터는 npn 또는 pnp 구조로 구분된다. 2. 트랜지스터의 동작 모드 트랜지스터는 선형(활성) 모드, 차단 모드, 포화 모드, 불활성 모드 등 4개의 서로 다른 모드로 동작한다. 트랜지스터의 선형 모드는 베이스-이미터 접합은 순방향으로, 콜렉터-베이스 접합은 역방향으로 바이어스 된 상태에서 동작된다. 3. 트랜지스터의 전...2025.05.15
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MOSFET의 발명에서 현재까지의 발전단계2025.05.101. MOSFET의 정의 MOSFET은 Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor의 약자로, 디지털 회로와 아날로그 회로에서 가장 일반적인 전계효과 트랜지스터이다. MOSFET은 엔모스펫, 피모스펫, 씨모스펫 3가지로 분류할 수 있으며, 특히 CMOS는 전력 소모가 매우 적어 컴퓨터의 중앙처리 장치와 같은 로직 소자나 메모리 소자에 널리 사용되고 있다. 2. MOSFET의 구조 MOSFET은 드레인, 소스, 게이트, 바디로 구성되어 있으며, P형 반도체 기판 위에 N형 반도체 2개를 연...2025.05.10
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트랜지스터 보고서 (2)2025.05.101. 트랜지스터의 증폭작용 이번 실험은 IB를 고정시키고 E와 C 사이의 전압을 조절하여 IC의 변화를 관찰하고, IB를 증가시켜 IC의 변화를 관찰하여 트랜지스터의 증폭작용을 이해하는 것이 실험의 목표입니다. 실험 결과를 통해 IB가 증가할수록 IC가 상대적으로 많이 증가하는 것을 확인할 수 있었고, 이를 통해 트랜지스터의 증폭작용을 이해할 수 있었습니다. 2. 트랜지스터의 구조와 동작 원리 실험에서 PNP형 트랜지스터를 이용하므로 PNP형을 기준으로 트랜지스터의 증폭작용의 원리를 이해해보았습니다. E와 B에 순방향 전압, B와 ...2025.05.10
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전자회로실험 A+ 5주차 결과보고서(Bipolar Junction Transistor Characterization)2025.05.101. Bipolar Junction Transistor (BJT) BJT는 1948년 윌리엄 쇼클리에 의해 발명되었으며, 최초로 대량 생산된 트랜지스터입니다. BJT의 물리적 특성을 이해하는 것은 그 동작과 응용을 이해하는 데 핵심적입니다. 이 실험에서는 BJT의 4가지 동작 영역을 탐구하고 DC 전류 이득, Early 전압과 같은 특성값을 결정합니다. 실험에 사용된 트랜지스터는 NPN 소자인 2N3904입니다. 2. BJT 동작 영역 분석 실험에서는 VB와 VC를 변화시키면서 IC, β 등을 측정하여 BJT의 동작 영역을 확인했습...2025.05.10
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컴퓨터개론_컴퓨터 발전의 역사를 간략하게 기술하고, 각 세대별 컴퓨터의 특성을 기술하시오2025.05.021. 컴퓨터의 역사 인류 최초의 컴퓨터는 전기, 다른 동력 없이 손으로 인간이 직접 조작을 하여서 계산을 하는 수동식 계산기라고 볼 수 있었다. 최초의 수동식 계산기는 주판이며, 1980년대까지 사용이 되었다. 오늘날의 컴퓨터는 인간이 도구가 없이 복잡한 계산을 하면 힘들기에 실수를 하기 쉽지만 컴퓨터를 사용하면 평소에 할 수 없는 양의 계산을 빠르게 할 수 있어 사용이 되고 있다. 따라서 오랜 역사 끝에 컴퓨터는 위와 같은 아이디어 끝에 빠르게 계산을 하게 도와주는 도구가 되었다. 2. 1세대 컴퓨터 회로소자로 진공관을 사용하고,...2025.05.02
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