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아주대학교 A+전자회로실험 실험7 예비보고서2025.05.091. Class Amplifier Class A 증폭기는 입력 신호의 전체 위상(0~360DEG)을 모두 증폭할 수 있으며, 왜곡 없이 증폭되므로 선형성이 매우 잘 유지된다. 하지만 DC 전력소모가 커서 전력 효율이 낮다. Class B 증폭기는 각 트랜지스터가 입력의 50% 위상(180DEG)만 증폭하며, DC current path가 없으므로 전력 효율이 좋다. 하지만 출력 파형의 왜곡이 심하다. Class AB 증폭기는 Class B 증폭기의 crossover distortion을 막기 위해 무신호 시에도 약간의 bias를 걸...2025.05.09
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전자회로실험 과탑 A+ 결과 보고서 (실험 9 MOSFET 기본 특성)2025.01.291. NMOS 회로의 전류-전압 특성 NMOS 회로는 공통 소스 증폭기 회로로, 입력 신호가 NMOS 트랜지스터의 게이트에 인가되어 출력 전압을 변조하는 구조다. 게이트와 소스 간 전압 V_GS가 임계 전압 V_th보다 클 때 트랜지스터가 켜져서 드레인에서 소스로 전류가 흐르게 된다. 출력 전압은 V_DD - I_D * R_D로 계산된다. 2. PMOS 회로의 전류-전압 특성 PMOS 회로는 공통 소스 증폭기 회로로, NMOS와는 반대로 동작한다. PMOS는 게이트 전압이 소스 전압보다 낮을 때 턴온된다. 게이트와 소스 간 전압 V...2025.01.29
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A+ 연세대학교 기초아날로그실험 5주차 결과레포트2025.05.101. Inverting amplifier 실험 결과 그림1과 같이 Inverting amplifier 회로를 빵판에 구성하였다. 저항 을 사용하였으며 저항 는 47과 150k 두가지를 사용하였다. 또한 myDAQ를 이용하여 Op-amp의 전원단자 , 에 각각 15V와 -15V를 걸어주었다. 입력 전원은 진폭 0.1V (=0.2)와 주파수 1kHz의 교류 전원으로 설정하였다. 실험 결과 매우 작은 오차율이 나왔으며 입력 파형과 출력 파형이 서로 반대인 것을 확인할 수 있었다. Bode plot 분석 결과 특정 주파수보다 커지면 gai...2025.05.10
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전자회로에서 발생하는 병목 현상에 대해 기술하시오2025.05.091. 전자회로 병목 현상 전자 회로에서 발생하는 병목 현상은 특정 구간에서 전기 신호의 흐름이 차단되어 신호의 전송이 느리거나 차단되는 현상을 말한다. 이는 전기 저항, 전기 용량, 증폭기 특성, 회로 크기 등의 요인으로 인해 발생할 수 있다. 전자 회로를 설계할 때는 이러한 병목 현상을 고려하여 최적의 회로를 구성해야 한다. 2. 전기 저항과 병목 현상 전기 저항은 전기 신호의 전송 속도를 늦추는 주요 요인 중 하나이다. 전기 신호는 전기 저항의 존재로 인해 전송 속도가 느려지기 때문에, 전자 회로에서 전기 저항을 최소화하는 것이...2025.05.09
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[전자공학실험2] MOSFET 증폭기의 주파수 응답2025.04.271. MOSFET 증폭기의 주파수 응답 실험을 통해 MOSFET의 small signal 등가 회로를 사용하여 common source 증폭기의 저주파 및 고주파 차단 특성을 이해하고, common source 증폭기를 구성하여 주파수 응답 특성을 해석하고 측정하였습니다. 실험 결과 저주파 대역에서는 magnitude response가 fitting line보다 조금 높게 나타났는데, 이는 41.8 Hz의 zero frequency를 가지기 때문에 생기는 현상이었습니다. 고주파 대역에서는 fitting line보다 조금 낮게 나타났...2025.04.27
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실험 09_MOSFET 기본 특성 결과보고서2025.04.281. MOSFET 기본 특성 MOSFET은 전계 효과(field effect)를 이용하여 전류가 흐르는 소자이며, 전하를 공급하는 소오스 단자, 전하를 받아들이는 드레인 단자, 전류의 양을 조절하는 게이트 단자, 기판의 역할을 하는 바디 단자로 구성되어 있습니다. 게이트 전압을 바꾸면 드레인에서 소오스로 흐르는 전류가 바뀌면서 증폭기로 동작할 수 있습니다. 이 실험에서는 MOSFET의 기본적인 동작 원리를 살펴보고, 전류-전압 특성 및 동작 영역을 실험을 통하여 확인하였습니다. 2. NMOS와 PMOS의 문턱 전압 차이 NMOS의 ...2025.04.28
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실험 18_증폭기의 주파수 응답 특성 결과보고서2025.04.281. 증폭기의 주파수 응답 특성 이 실험에서는 공통 소스 증폭기의 주파수 응답 특성을 실험하여 대역폭의 개념을 이해하고, 이득과 대역폭 사이의 관계를 파악하였습니다. 트랜지스터 내부의 기생 커패시턴스로 인해 주파수에 따라 전압 이득 및 위상이 변하며, 대역폭은 증폭기의 전압 이득이 유지되는 주파수 범위를 나타냅니다. 실험을 통해 이득 대역폭의 곱이 일정한 관계가 성립함을 확인하였습니다. 2. 공통 소스 증폭기 설계 실험에서는 [실험 16]과 [실험 17]에서 구현한 공통 소스 증폭기 회로를 사용하였습니다. DC 전압 및 전압 이득이...2025.04.28
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중앙대 전전 전자회로설계실습 예비보고서 Feedback Amplifier2025.05.021. 피드백 증폭기 이 보고서의 목적은 피드백을 이용한 증폭기의 동작을 이해하는 것입니다. Series-Shunt 구조와 Series-Series 구조의 피드백 증폭기를 설계하고 실험하여 입출력 특성을 확인하는 것이 주요 내용입니다. 준비물로는 Function Generator, Oscilloscope, DC Power Supply, DMM, MOSFET, Op Amp, LED, 저항 등이 필요합니다. 설계 실습 계획서에는 Series-Shunt 피드백 회로 설계와 Series-Series 피드백 회로 설계 방법이 자세히 설명되어 ...2025.05.02
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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 15 다단 증폭기)2025.01.291. 다단 증폭기 다단 증폭기는 여러 증폭 단을 직렬로 연결하여 신호를 순차적으로 증폭하는 방식으로, 각 증폭 단이 가진 장점을 결합해 더 높은 전압 이득과 신호 증폭을 달성할 수 있다. 다단 증폭기의 주요 이론적 해석에는 전압 이득, 입출력 임피던스, 주파수 응답, 바이어스 설정, 잡음 및 왜곡 등이 포함된다. 다단 증폭기는 높은 전압 이득을 얻을 수 있지만, 주파수 응답 저하, 잡음 증폭, 왜곡 등의 문제가 발생할 수 있으므로 이러한 요소들을 고려하여 설계해야 한다. 2. 공통 소스 증폭기 실험에서는 MOSFET을 이용한 공통 ...2025.01.29
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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 17 능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기)2025.01.291. 능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기 이 실험에서는 능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기 회로를 구성하고, 전압 이득을 구하는 것이 목적이다. 능동 부하는 아날로그 증폭기에서 널리 사용되며, 간단한 공통 소오스 증폭기에 적용함으로써 특성을 정확하게 파악할 수 있다. 능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기는 일반 저항 대신 MOSFET을 부하로 사용하여 출력 임피던스를 크게 만들고, 높은 전압 이득을 제공한다. 이 회로는 고성능이 요구되는 증폭 회로에서 사용되며, 작은 입력 변화에도 큰 출력 증폭을 가능하게 하는 장점이 있다. 2...2025.01.29
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