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전자회로설계실습 예비보고서 112025.01.041. Push-Pull 증폭기 이 실험의 목적은 RL = 100 Ω, Rbias = 1 kΩ, VCC = 12 V인 경우 Push-Pull 증폭기의 동작을 이해하고 Dead zone과 Crossover distortion 현상을 파악하며 이를 제거하는 방법에 대해 실험하는 것입니다. 실험을 통해 Push-Pull 증폭기의 입출력 transfer characteristic curve를 확인하고, Dead zone이 발생하는 이유를 설명합니다. 1. Push-Pull 증폭기 Push-Pull 증폭기는 전자 회로 설계에서 매우 중요한 역...2025.01.04
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중앙대 MOSFET 소자 특성 측정 예비보고서2025.05.051. MOSFET 소자 특성 측정 이 보고서는 MOSFET 소자의 특성을 측정하고 분석하는 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용으로는 MOSFET의 주요 파라미터 계산, MOSFET 회로 구성 및 시뮬레이션, 측정 결과 분석 등이 포함되어 있습니다. 이를 통해 MOSFET 소자의 동작 원리와 특성을 이해하고 실험적으로 검증하는 것이 목적입니다. 1. MOSFET 소자 특성 측정 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)은 현대 전자 기기에서 가장 널리 사용되는 반도체 소자 ...2025.05.05
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아주대학교 A+전자회로실험 실험2 결과보고서2025.05.091. 전류-전압 변환 회로 실험 2에서는 부궤환 회로에서의 전류-전압 변환 회로를 구성하고, 741C에 DC 전압을 가한 후 가변 저항 값을 변화시키면서 입력 전류에 대한 출력 전압을 측정하였다. 실험 결과 실제 측정값과 이론, 시뮬레이션 값의 오차가 약 11% 정도 발생했지만, V_out = -I_in * R 관계식을 만족하는 값이 나왔다. 이를 통해 전압-전류, 전류-전압, 전압증폭, 전류증폭 등 다양한 반전 증폭기의 특성을 확인할 수 있었다. 2. 오차 분석 실험 과정에서 발생한 오차의 원인으로는 소자 자체의 오차 및 비이상성...2025.05.09
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아주대학교 A+전자회로실험 실험4 예비보고서2025.05.091. 정궤환 회로 실험 목적은 연산 증폭기를 사용하여 정궤환 회로를 구성하고, 슈미트 트리거(Schmitt trigger) 회로, 사각파 발생 회로의 구성과 역할에 대해 알아보는 것입니다. 회로를 구성하여 각 경우에 대한 V_TL, V_TH, +V_sat, -V_sat을 측정하여 이들이 의미하는 바를 알아보고, 이론에서 배운 내용을 실험을 통해 증명하는 것이 목표입니다. 2. 슈미트 트리거 회로 슈미트 트리거 회로는 일반적인 소자(V_ILmax, V_IHmin)와 다르게 V_TL, V_TH라는 threshold가 있습니다. 출력이 ...2025.05.09
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서강대학교 22년도 전자회로실험 7주차 결과레포트 (A+자료)2025.01.121. BJT를 이용한 A급 음성 전력 증폭기 이번 실험에서는 BJT를 이용한 A급 음성 전력 증폭기의 동작을 확인하였습니다. A급 증폭기는 트랜지스터가 360도 동안 순방향 바이어스되어 전류가 흐르는 증폭기 방식입니다. 실험을 통해 A급 증폭기의 입출력 특성을 확인할 수 있었습니다. 2. 푸시풀 전력 증폭기 푸시풀 증폭기는 npn과 pnp BJT를 이용한 두 개의 에미터 팔로어가 결합된 증폭기입니다. 입력 신호의 범위에 따라 npn 또는 pnp가 턴온되어 gain이 1에 가까운 팔로잉 동작을 하게 됩니다. 실험을 통해 푸시풀 증폭기...2025.01.12
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Diode의 회로적 특성 실험_결과레포트2025.01.121. Diode의 회로적 특성 실험 실험을 통해 Diode와 Zener Diode의 회로적 특성을 확인하였다. Diode 회로 실험에서는 시뮬레이션 결과와 유사한 파형을 관찰할 수 있었으며, 약 7.0%의 오차율이 발생했다. Zener Diode 회로 실험에서도 시뮬레이션 결과와 유사한 파형을 관찰할 수 있었으며, 약 7.4%의 오차율이 발생했다. 실험 결과를 통해 Diode와 Zener Diode의 동작 원리를 이해할 수 있었다. 1. Diode의 회로적 특성 실험 Diode는 전자 회로에서 매우 중요한 역할을 하는 반도체 소자입...2025.01.12
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BJT 1-Large Signal Analysis 1_결과레포트2025.01.121. BJT의 DC 특성 실험 실험을 통해 NPN BJT와 PNP BJT의 DC 특성을 확인하였다. 실험 결과, BJT의 Ic-Vce 특성이 지수함수 형태로 나타났으며, 시뮬레이션 결과와 잘 일치하는 것을 확인하였다. 또한 BJT의 베타 값을 측정한 결과, 저항 값에 따라 베타 값이 달라지는 것을 관찰하였다. 2. NPN BJT의 DC 특성 NPN BJT의 Ic-Vce 특성 실험 결과, 시뮬레이션 결과와 잘 일치하는 지수함수 형태의 특성 곡선을 얻을 수 있었다. 또한 베타 값 측정 실험에서는 저항 값에 따라 베타 값이 100에서 2...2025.01.12
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pspice op앰프 예비레포트2025.05.091. OP앰프의 특성 OP앰프는 가장 많이 사용되는 아날로그 IC이며, 이상적인 OP앰프는 무한대의 이득과 입력 임피던스, 영의 출력 임피던스를 갖는다. 실제의 OP앰프는 이상적인 OP앰프에 근사한 특성을 가진다. OP앰프의 이득이 매우 크기 때문에 그대로는 안정된 증폭기로 사용할 수 없고 반드시 외부 귀환을 걸어서 사용해야 한다. 2. 반전 증폭기 반전 증폭기는 입력된 신호에 대해 정해진 증폭도로 신호가 반전되어 출력되는 증폭기이다. 이상적인 OP앰프를 가정한 반전 증폭기의 입력 임피던스와 출력 임피던스는 각각 R_in과 0이다....2025.05.09
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기초전자회로및실험1 10주차 예비레포트2025.01.281. 휘스톤 브리지 휘스톤 브리지는 1843년 찰스 휘스톤이 개선하여 발표한 전기 회로로, 값을 측정하려는 저항을 포함한 네 개의 저항을 다리 모양으로 연결하여 사용한다. 휘스톤 브리지는 두 다리를 균형있게 하여 값을 모르는 저항을 측정하는데 사용되며, 정확한 측정이 가능하다는 특징이 있다. 또한 휘스톤 브리지는 커패시터와 인덕터의 측정에도 사용되며, 온도, 압력 측정 등 여러 분야에서 활용되는데, 트랜스듀서와 결합하여 사용된다. 2. 미분회로 입력 파형을 미분하여 출력하는 회로를 미분회로라고 한다. RC 미분회로와 RL 미분회로가...2025.01.28
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중앙대 전전 전자회로설계실습 예비보고서- BJT MOSFET Switch 구동회로2025.05.021. BJT와 MOSFET을 이용한 RTL switch 회로 설계 및 구현 이 보고서의 목적은 BJT와 MOSFET을 사용하여 TTL 레벨의 전압(5V)으로 동작하는 RTL switch 회로를 설계하고 구현하는 것입니다. 이를 통해 relay 또는 LED를 구동하고 그 동작을 측정 및 평가하는 것입니다. 준비물로는 Function Generator, Oscilloscope, DC Power Supply, BJT, LED, MOSFET, 저항 등이 필요합니다. 구동회로 측정 시 함수발생기의 전압(Vpp)과 OFFSET을 어떻게 조정해...2025.05.02
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