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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 9 MOSFET 기본 특성)2025.01.291. MOSFET 기본 특성 MOSFET은 전계 효과(field effect)를 이용하여 전류가 흐르는 소자이며, 전하를 공급하는 소스 단자, 전하를 받아들이는 드레인 단자, 전류의 양을 조절하는 게이트 단자, 기판의 역할을 하는 바디 단자로 구성되어 있다. 게이트 전압을 바꾸면 드레인에서 소스로 흐르는 전류가 바뀌면서 증폭기로 동작할 수 있다. 이 실험에서는 MOSFET의 기본적인 동작 원리를 살펴보고, 전류-전압 특성 및 동작 영역을 실험을 통하여 확인하고자 한다. 2. NMOS 동작 원리 NMOS의 동작 원리는 다음과 같다. ...2025.01.29
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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 23 연산 증폭기 응용 회로 1)2025.01.291. 비반전 증폭기 비반전 증폭기는 연산 증폭기의 비반전 단자에 입력 신호를 연결하여 신호를 증폭하는 회로입니다. 이 회로에서 입력 신호가 비반전(+) 단자로 들어가기 때문에, 출력 신호는 입력 신호와 동일한 위상을 가지며, 반전되지 않습니다. 이득은 피드백 저항과 입력 저항의 비율로 결정되며, 높은 입력 임피던스와 낮은 출력 임피던스를 가지는 특성이 있어 신호 처리에 유리합니다. 2. 반전 증폭기 반전 증폭기는 연산 증폭기의 반전(-) 단자에 입력 신호를 연결하여 신호를 증폭하는 회로입니다. 이 회로에서 출력 신호는 입력 신호와 ...2025.01.29
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전자회로실험 과탑 A+ 결과 보고서 (실험 22 연산 증폭기 특성)2025.01.291. 연산 증폭기 특성 연산 증폭기(op-amp)는 두 입력 단자 간의 전압 차이를 증폭하여 출력으로 전달하는 고이득 전압 증폭기이다. 이 연산 증폭기는 다양한 회로 구성에 따라 반전 증폭기, 비반전 증폭기, 차동 증폭기 등으로 활용될 수 있으며, 각 회로는 저항 및 피드백 요소를 추가하여 원하는 특성에 맞게 출력 전압을 조정할 수 있다. 2. 공통 모드 전압 범위 연산 증폭기의 입력 공통 모드 전압 범위를 측정하여 표 22-1에 기록하였다. 입력의 공통 모드 전압을 변화시키면서, 연산 증폭기의 DC 전류가 일정하게 흐르고 출력의 ...2025.01.29
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기초실험2 결과보고서2025.01.291. 저항소자 및 써미스터 소자의 특성 실험을 통해 저항소자와 써미스터 소자의 저항값을 측정하였다. 저항소자는 10 kΩ의 저항값을 갖도록 제작되어 있으며, 실제 측정값도 이와 유사하였다. 그러나 써미스터 소자의 경우 10 kΩ에서 많이 벗어난 저항값이 측정되었는데, 이는 써미스터의 온도 의존성 때문이다. 온도계로 측정한 주변 온도를 참고하면 써미스터의 저항값 변화를 이해할 수 있다. 2. 저항소자와 써미스터 소자의 전압-전류 특성 저항소자와 써미스터 소자는 동일한 10 kΩ의 저항값을 갖지만, 열을 가했을 때 전압-전류 특성이 다...2025.01.29
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서강대학교 22년도 전자회로실험 2주차 결과레포트 (A+자료)2025.01.121. OP AMP 기본 원리 이번 실험은 OP AMP의 원리를 이용한 증폭기, 미분기, 적분기 등을 설계하고 동작을 확인하는 실험이었습니다. 실험 결과 이론적인 계산값과 5% 이내의 오차를 보이며 회로가 의도한 대로 동작하는 것을 확인할 수 있었습니다. 이를 통해 OP AMP를 이용해 원하는 전압이득을 가진 증폭기, 미분기, 적분기 등을 설계할 수 있다는 것을 알 수 있었습니다. 오차 요인으로는 passive 소자의 허용오차, OP AMP의 offset voltage 및 비이상적인 특성, 측정 장비의 오차, 전자파 및 물리적 접촉에...2025.01.12
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Diode의 회로적 특성 실험_예비레포트2025.01.121. Diode의 회로적 특성 다이오드는 p-type과 n-type 반도체를 접합시켜 접합부에 diffusion 작용을 통해 Built-in potential이 형성되는 PN 접합 현상을 이용한 소자입니다. 다이오드는 정방향 전압 이상이 인가되면 급격한 전류 증가를 일으키는 특성이 있으며, 이를 통해 정류, 검파, 온도 센서 등 다양한 용도로 사용됩니다. 또한 Zener 다이오드는 역방향으로 전압을 걸면 일반 다이오드보다 낮은 특정 전압에서 역방향 전류가 흐르는 특성을 가지고 있습니다. 2. Diode의 회로적 모델링 다이오드는 다...2025.01.12
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BJT 3-BJT Amplifier_예비레포트2025.01.121. BJT 증폭기 이 보고서는 BJT(Bipolar Junction Transistor) 증폭기의 작동 원리와 특성을 다룹니다. Common Emitter 회로에서 BJT의 전압 및 전류 관계를 설명하고, 이를 바탕으로 Small Signal Parameters와 Gain을 계산하는 방법을 제시합니다. 또한 실험을 통해 이론적 예측과 실제 측정 결과를 비교하여 BJT 증폭기의 동작을 확인합니다. 1. BJT 증폭기 BJT(Bipolar Junction Transistor) 증폭기는 전자 회로에서 널리 사용되는 중요한 회로 구성 요...2025.01.12
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전자회로실험_A+레포트_Diode Limter2025.01.131. 전자회로 실험 전자 회로 실험 <Diode Limiter>실험부품오실로스코프함수발생기DC전원공급장치저항(1.890kΩ)다이오드(1N 4004')브레드보드BNC케이블을 사용하여 병렬형 리미터 회로와 직렬형 리미터 회로를 구성하고 실험을 진행하였다. 실험 결과를 통해 다이오드의 방향에 따라 리미터 회로의 동작이 달라지는 것을 확인하였다. 병렬형 리미터 회로에서는 다이오드가 정현파의 윗부분에서 리미터로 동작하며, 직렬형 리미터 회로에서는 다이오드가 차단되어 출력의 최대값이 제한되는 것을 확인하였다. 2. 리미터 회로 전자회로에서 교...2025.01.13
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연산증폭기의 특성 예비보고서2025.01.061. 슬루율 슬루율은 계단 파형 전압이 인가되었을 때 출력전압의 시간에 따른 최대변화율을 나타내는 지표입니다. 슬루율이 높을수록 증폭기의 주파수 응답이 좋습니다. 실험에서는 PSPICE 시뮬레이션과 실험을 통해 uA741 연산증폭기의 슬루율을 측정하고, 데이터시트 값과 비교하였습니다. 2. 공통모드 제거비 공통모드 제거비(CMRR)는 연산증폭기 회로 설계에서 중요한 지표입니다. 입력단자에 같은 신호가 인가되는 공통모드 상황에서 증폭기의 출력전압이 0이 되어야 하지만, 실제로는 완벽하지 않기 때문에 공통모드 이득이 발생합니다. CMR...2025.01.06
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비11. Push-Pull Amplifier 설계 A+2025.01.271. Classic Push-Pull Amplifier 특성 그림 1(a) 회로를 simulation하기 위한 PSpice schematic을 그리되, BJT를 제외하고 부하저항을 100Ω으로 놓고, Simulation Profile에서 Analysis type을 DC Sweep으로 설정하고서 DC 전압원의 값을 –12 V에서 +12 V까지 0.001 V의 증분으로 증가시킴에 따라 부하저항 양단의 출력전압이 어떻게 변하는지를 보여주는 입출력 transfer characteristic curve를 확인하였다. 이를 통해 입력전압의 절...2025.01.27