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전자회로실험 A+ 10주차 결과보고서(BJT Amp Biasing)2025.05.101. Frequency Response of Common Emitter Amplifier CE amplifier에서 VOUT 은 VIN 과 비교했을 때 Phase difference가 180도이다. VCE의 크기는 IC가 커지면 작아지고, IC가 작아지면 증가한다. VCE = VCC – IC*RC의 공식을 통해 확인할 수 있다. Bandwidth는 연속 주파수 집합에서 상한 주파수와 하한 주파수 간의 차이이다. 일반적으로 Hz 단위로 측정되며 상황에 따라 passband bandwidth, baseband bandwidth을 가리킨...2025.05.10
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전자회로실험 A+ 13주차 결과보고서(MOSFET common source amplifier)2025.05.101. MOSFET 드레인 특성 실험(1)에서는 VDD와 VGG의 값을 변화시키면서 MOSFET의 드레인 전류 ID를 측정하였다. 실험 결과를 그래프로 나타내었더니 이론과 비슷한 형태의 그래프가 나타났다. MOSFET은 트라이오드 영역에서 VDS가 증가함에 따라 ID도 증가하지만, 포화 영역에서는 ID가 일정한 값을 갖는다는 것을 확인할 수 있었다. 실제 실험에서는 포화 영역에서도 ID가 조금씩 증가하는데, 이는 채널 길이 변조 현상 때문이다. 2. MOSFET 공통 소스 증폭기 실험(3)에서는 MOSFET 공통 소스 증폭기의 특성을...2025.05.10
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회로를 구성하는 소자 중 수동소자(저항, 인덕터, 커패시터)들의 개념과 기능 및 용도들을 설명해보자2025.05.131. 저항 저항의 목적은 다양하게 있다. 첫 번째로 전압을 분배하는 것이다. 전력의 일부를 소비하지만 외부 회로 혹은 시스템이 정상적으로 작동할 수 있게 전위차를 발상시킨다. 두 번째로 바이어싱이다. BJT, FET, TR, 전자관에서는 바이어스가 한쪽 극 또는 접지 반대 부분 극에 의도하여 직류 전압을 가한다. 저항기 회로는 바이어스 기능을 수행할 수 있게 한다. 세 번째로 전류의 제한이다. 무선 신호를 수신하게 설계된 민감한 증폭기에 활용되거나 전원 공급기, 배터리 출력과 직렬로 연결이 이루어진 전류의 제한이다. 트랜지스터가 과...2025.05.13
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전자회로실험: 정류 회로2025.01.091. 반파 정류회로 반파 정류회로는 다이오드 내부 저항과 부하 저항의 관계를 이용하여 교류 전압을 정류합니다. 입력 전압이 다이오드의 내부 전압 강하보다 크면 출력이 생성되고, 작으면 출력이 0이 됩니다. 이를 통해 양의 주기만 통과시켜 양의 파형을 얻을 수 있습니다. 반파 정류회로의 입출력 전압 관계식과 전압 전달 특성 곡선을 통해 이를 확인할 수 있습니다. 2. 브리지 정류회로 브리지 정류회로는 트랜스포머와 4개의 다이오드를 이용하여 양의 전압과 음의 전압을 모두 양의 전압으로 정류합니다. 입력 전압이 다이오드의 내부 전압 강하...2025.01.09
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전자회로(개정4판) - 생능출판, 김동식 지음 / 7장 연습문제 풀이2025.01.091. JFET 바이어스 JFET은 게이트-소스 전압(Vgs)에 따라 차단 상태와 도통 상태가 결정됩니다. Vgs가 음의 값이면 JFET은 차단 상태가 되어 드레인 전류(Id)가 흐르지 않습니다. Vgs가 양의 값이면 JFET은 도통 상태가 되어 Id가 흐르게 됩니다. 따라서 JFET의 동작 상태는 Vgs에 의해 결정됩니다. 2. MOSFET 바이어스 MOSFET은 게이트-소스 전압(Vgs)에 따라 동작 상태가 결정됩니다. Vgs가 문턱 전압(Vth) 이상이면 MOSFET이 도통되어 드레인 전류(Id)가 흐르게 됩니다. Vgs가 Vt...2025.01.09
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서1(분반1등)2025.01.111. 센서 Thevenin 등가회로 구현 센서의 출력 전압을 오실로스코프로 측정하였을 때 200mV(peak to peak)가 측정되었다. V_th(=Vampl)의 크기는 100mV으로, peak to peak 값은 100mV*2= 200mV가 된다. 10kΩ의 부하 저항에 흐르는 전압을 측정해보니 100mV(peak to peak)가 측정되었다. 오실로스코프의 입력 임피던스 값은 부하 저항에 비해 매우 큰 값이고, 전류는 모두 부하 저항 쪽으로 흐르게 될 것이다. 우리는 전압 분배 법칙에 의해 계산을 해보면 100mV = 의 수...2025.01.11
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에너지변환실험 A+레포트_정전압회로, 사이리스터 특성2025.01.131. 정전압회로 정전압회로는 입력전압, 출력 부하전류, 온도에 무관하게 일정한 직류 출력전압을 제공하는 회로입니다. 정전압 IC 7805를 이용하여 기본회로를 구성하고, 입력전압을 증가시키면서 출력전압의 변화를 관찰하였습니다. 발진이 발생하는 경우 입력단과 출력단에 전해콘덴서를 연결하여 출력파형을 안정화할 수 있었습니다. 또한 정전압 IC 응용회로를 구성하여 저항 R1과 R2의 값에 따른 출력전압 변화를 확인하였습니다. 2. 사이리스터 사이리스터는 pnpn 접합의 4층 구조 반도체 소자로, 게이트에 전류를 흘려주면 애노드와 캐소드 ...2025.01.13
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전자회로실험_A+레포트_Diode Clamper & Filter2025.01.131. 다이오드 클램퍼 회로 다이오드 클램퍼 회로는 입력 신호 파형을 변화시키지 않고 일정한 레벨로 고정시키는 회로이다. 다이오드, 캐패시터, 저항이 회로에 필요하며, 캐패시터 양단의 전압이 최댓값으로 유지될 수 있도록 충분한 충전시간이 필요하다. 양의 클램퍼는 입력신호 전압에 직류 전압을 더하여 그 레벨에 고정하고, 음의 클램퍼 회로는 캐패시터 양단에 Vp(in)-0.7V만큼이 충전된다. 2. 바이어스 클램퍼 회로 바이어스 클램퍼 회로는 다이오드 클램퍼 회로에 DC 전압이 추가된 회로이다. 다이오드 방향을 바꾸어 주면서 DC 전압을...2025.01.13
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기초전자회로및실험1 7주차 예비레포트2025.01.281. 중첩의 원리 전원이 2개 이상인 선형회로에서 전류 및 전압은 '전원을 1개씩 동작시킬 때 나타나는 전압 및 전류의 합'이라는 중첩의 원리를 이용하여 구한다. 중첩의 원리는 모든 회로 구성요소가 선형이어야 하며, 전압 소스의 반대 극성에 있는 전류의 흐름이 동일해야 한다. 비선형 회로나 능동 component에는 적용할 수 없다. 2. 최대전력 전달조건 전력이 최대로 전달되는 임피던스의 조건을 최대전력 전달조건이라고 하고, 이는 전원의 내부저항과 부하저항의 크기가 같을 때 성립한다. 최대전력 전달조건은 무선 송신기 설계, 증폭기...2025.01.28
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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 21 차동 증폭기 심화 실험)2025.01.291. 차동 증폭기 이 실험에서는 능동 부하를 사용한 차동 증폭기(differential amplifier)를 구성하여, 전압 이득과 CMRR을 측정하고자 한다. 주요 동작 원리는 입력 트랜지스터(M1, M2)가 차동 입력 신호를 증폭하고, 전류 거울(M3, M4)이 정전류원을 구성하며, 부하 트랜지스터(M5, M6)가 능동 부하로 작동하여 높은 출력 저항과 전압 이득을 제공한다. 이 회로는 높은 선형성과 잡음 억제 특성으로 고성능 아날로그 설계에서 필수적인 역할을 한다. 2. 공통 모드 제거비(CMRR) 차동 증폭기의 공통 모드 제...2025.01.29
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