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전자공학실험 18장 증폭기의 주파수 응답 특성 A+ 결과보고서2025.01.151. 공통 소스 증폭기의 주파수 응답 특성 이 실험에서는 공통 소스 증폭기의 주파수 응답 특성을 측정하고 분석하였습니다. 실험 결과를 통해 증폭기의 대역폭 개념과 이득-대역폭 곱의 관계를 이해할 수 있었습니다. 측정 결과와 예상 결과 간의 차이는 장비 오차와 회로 손실 등으로 인한 것으로 분석되었습니다. 또한 3dB 주파수를 증가시키기 위해서는 전압 이득이 천천히 감소하고 midband 영역이 넓어야 한다는 것을 알 수 있었습니다. 1. 공통 소스 증폭기의 주파수 응답 특성 공통 소스 증폭기는 전자 회로에서 널리 사용되는 기본적인 ...2025.01.15
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중앙대 전자회로 설계 실습 결과보고서4_MOSFET 소자 특성 측정2025.01.111. MOSFET 회로 제작 및 측정 설계실습 4 결과보고서. MOSFET 소자 특성 측정4. 설계실습 내용 및 분석 (결과 report 작성 내용)$ 4.1 MOSFET 회로의 제작 및 측정(A) 그림 1의 회로를 제작하여라. 이때, =1MΩ으로 설정한다. 또한, DC Power Supply를 회로에 연결 전에 =0V, =5V로 조정 후 Outp 후에 ut OFF 연결한다. 실제 실험사진구현회로(B) 를 1.0V부터 0.1V씩 높여가며 Power Supply의 를 인가하는 Port의 전류를 측정한다. 측정한 전류가 130mA이상이...2025.01.11
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중앙대 전자회로 설계 실습 예비보고서 3_Voltage Regulator 설계2025.01.111. 전자회로 설계 이 보고서는 전자회로 설계 실습의 일환으로 전압 레귤레이터 회로를 설계하는 과정을 다루고 있습니다. 주요 내용으로는 부하 저항, 리플 전압, 다이오드 저항 등의 요소를 고려하여 교류 입력 전원의 크기와 커패시터 값을 계산하는 과정, 그리고 PSPICE를 활용한 회로 분석 결과 등이 포함되어 있습니다. 2. 전압 레귤레이터 설계 이 보고서는 전압 레귤레이터 회로 설계에 대한 내용을 다루고 있습니다. 부하 저항, 리플 전압, 다이오드 저항 등의 요소를 고려하여 교류 입력 전원의 크기와 커패시터 값을 계산하는 과정을 ...2025.01.11
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전압 체배 회로의 동작 원리와 회로 구성2025.01.131. 전압 체배 회로의 동작 원리 실리콘 반파 정류회로의 단점인 DC 전압 제한을 극복하기 위해 전압 체배 회로를 사용한다. 입력 전압의 정 반주기 동안 각 캐패시터가 충전되어 최종적으로 입력 전압의 2배 크기의 DC 전압을 출력할 수 있다. 이때 C3의 정격 전압이 C1, C2보다 높아야 하는 이유는 C3에서 C1과 C2의 충전 전압을 합친 전압을 충전해야 하기 때문이다. 2. 직렬 전압 체배 회로 직렬 전압 체배 회로는 입력 전압의 부 반주기와 정 반주기에 각각 다른 캐패시터가 충전되어 최종적으로 입력 전압의 4배 크기의 DC ...2025.01.13
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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 8 공통 베이스 증폭기)2025.01.291. 공통 베이스 증폭기 공통 베이스 증폭기는 베이스를 공통 단자로 사용하는 트랜지스터 증폭기 회로로, 주로 고주파 증폭기로 사용된다. 이 회로에서 입력 신호는 이미터에 인가되며, 출력 신호는 컬렉터에서 얻어진다. 베이스는 고정된 전압을 유지하며 입력과 출력 사이에서 공통 노드로 동작한다. 공통 베이스 회로는 전압 증폭에는 유리하며, 입력 신호에 비해 출력 신호가 크게 증폭된다. 또한 입력 임피던스가 매우 낮고 출력 임피던스가 비교적 높다. 2. 공통 베이스 증폭기의 특성 공통 베이스 증폭기의 특성은 다음과 같다: 1) 전류 이득은...2025.01.29
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서22025.01.111. OP Amp의 Offset Voltage 측정 OP Amp의 offset 전압을 측정하기 위해 두 입력단자를 접지시킨 Open-Loop 회로를 설계하고, 이상적인 OP Amp와 유한한 Open-Loop Gain을 고려한 경우의 출력전압 수식을 제시하였다. 또한 Datasheet에 나타난 Offset Voltage의 Min, Typ, Max 값의 의미와 Offset Voltage 조정 방법을 설명하였다. 2. OP Amp의 Slew Rate 측정 OP Amp의 Slew Rate를 측정하기 위해 입력 주파수와 입력 전압을 낮추는 ...2025.01.11
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서강대학교 22년도 전자회로실험 9주차 결과레포트2025.01.131. MOSFET 특성 및 바이어스 회로 MOSFET은 p-type substrate 위에 n+의 source, drain단자를 구성하고, 채널과 oxide로 분리되어있는 Gate를 이용해 channel에 전류가 흐르는 것을 조절하는 3 terminal device이다. NMOS의 ID – VDC 특성에서 VG가 threshold voltage Vth보다 크다면, n-channel이 형성되어 드레인과 소스 사이에 전류가 흐를 수 있다. 이때 VDS에 따라 MOS의 동작 영역이 triode region과 saturation regio...2025.01.13
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서강대학교 22년도 전자회로실험 11주차 결과레포트2025.01.131. 전류원 및 전류미러 전자회로실험 예비/결과 보고서실험 11주차. 전류원 및 전류미러/MOSFET 차동 증폭기분반조학번이름시작15:00종료17:30실험시작/종료시간 기재(통계목적임)예비보고서는 아래 각 문항 중 (예비)라고 되어 있는 부분을 수행하여 작성한다.결과보고서는 측정결과 및 분석을 추가하고, 설계과제를 수행하여 결과를 작성한다.회로 구성 사진 및 측정화면 사진은 실험 조원의 학생증 등 ID 가 보이도록 촬영함 2. MOSFET 차동 증폭기 전자회로실험 예비/결과 보고서실험 11주차. 전류원 및 전류미러/MOSFET 차동...2025.01.13
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전자공학실험 16장 전류원 및 전류 거울 A+ 결과보고서2025.01.151. 전류원 및 전류 거울 이 실험에서는 아날로그 증폭기에서 부하로써 널리 사용되고 있는 정전류원 및 전류 거울을 이용한 능동 부하(active load)회로를 구성하고, 이를 실제로 구현함으로써 정전류원 및 전류 거울의 특성을 정확하게 파악하고자 한다. 실험 절차에 따라 RREF 값을 조정하면서 Vpbias 전압과 IREF 전류를 측정하고, 이를 바탕으로 공통 소오스 증폭기의 입력-출력 DC 전압 레벨을 확인하였다. 고찰 사항에서는 전류 거울의 전류 오차 발생 원인, 전류원의 출력 저항과 전류 정확도 관계, MOSFET 소자 선택...2025.01.15
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에너지변환실험 A+레포트_555타이머2025.01.131. 555 타이머 IC 555 타이머 IC는 복잡한 회로를 구성하는 8핀 IC 칩으로, 주기적으로 신호를 계속 준다. 555 타이머를 사용하면 회로의 안전성을 높일 수 있다. 555 타이머의 내부 회로와 비안정 멀티바이브레이터 동작 특성을 이해할 수 있다. 2. 비안정 멀티바이브레이터 555 타이머를 이용한 비안정 멀티바이브레이터 회로에서 커패시터 전압 v_c에 따라 비교기 출력과 SR 플립플롭 출력이 결정된다. 커패시터 전압이 {V_cc}/3 미만일 때 SR 출력이 Low가 되어 트랜지스터가 차단되고 커패시터가 충전을 시작한다....2025.01.13
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