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A+받은 에미터 공통 증폭기 전압이득 결과레포트2025.05.101. 에미터 공통 증폭기 회로 실험을 통해 에미터 공통 증폭기 회로의 전압이득 특성을 확인하였습니다. PSPICE 시뮬레이션 결과와 실험 결과를 비교하여 분석하였으며, 입력전압과 출력전압의 위상 차이, 전압이득 등을 확인하였습니다. 실험에 사용된 소자와 시뮬레이션에 사용된 소자의 특성 차이로 인해 약간의 오차가 있었지만, 에미터 공통 증폭기 회로의 기본적인 동작 원리를 이해할 수 있었습니다. 1. 에미터 공통 증폭기 회로 에미터 공통 증폭기 회로는 트랜지스터를 이용한 기본적인 증폭 회로 중 하나입니다. 이 회로는 입력 신호를 증폭하...2025.05.10
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중앙대 전자회로 설계 실습 결과보고서2_Op Amp의 특성측정 방법 및 Integrator 설계2025.01.111. Op Amp의 특성 측정 이 실험에서는 Op Amp의 특성을 측정하고 분석하였습니다. Offset Voltage, Offset Current와 같은 Op Amp의 한계를 이해하고, Integrator 회로에서 발생하는 Slew-rate 현상을 실험적으로 측정하였습니다. 실험 결과를 이론값과 비교 분석하여 Op Amp의 내부 구조와 작동 원리에 대해 이해할 수 있었습니다. 2. Integrator 회로 설계 Integrator 회로를 설계하고 실험하였습니다. RF 값에 따른 출력 파형의 변화를 관찰하고, PSPICE 시뮬레이션 ...2025.01.11
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전자회로실험1 4번째 실험보고서2025.05.091. BJT 특성 실험 이 실험에서는 BJT 소자의 특성을 측정하고 분석하였습니다. 베타(β) 측정 실험을 통해 BJT의 베이스 전류 변화에 따른 컬렉터 전류 변화를 관찰하였고, 평균 베타 값을 약 230으로 측정하였습니다. 또한 VCE-IC 특성 곡선 실험을 통해 BJT의 컬렉터 특성 곡선을 실험적으로 결정하고 그래프로 나타내었습니다. 실험 결과 분석에서는 Early 효과로 인해 선형 근사 모델이 적합하지 않음을 확인하였고, 비선형 모델 적용이 필요함을 제안하였습니다. 1. BJT 특성 실험 BJT(Bipolar Junction ...2025.05.09
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A+받은 차동증폭기 예비레포트2025.05.101. 차동 증폭기 차동 증폭기는 두 개의 입력을 가진 두 개의 트랜지스터와 두 개의 출력을 가지고, 좌우 대칭이며, 동일한 특성을 갖는 소자를 사용한다. 에미터 저항과 콜렉터 저항은 공통이며, 출력신호는 두 입력신호의 차이에 비례한다. 차동 증폭기는 공통 모드와 차동 모드로 동작할 수 있으며, 공통 모드에서는 출력이 0이 되고 차동 모드에서는 두 입력신호의 차이를 증폭한다. 단일 입력을 갖는 차동 증폭기와 차동 모드 입력을 갖는 차동 증폭기에 대해 설명하고 있다. 2. 차동 증폭기 실험 실험 1에서는 단일 입력을 갖는 차동 증폭기 ...2025.05.10
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[기초전자실험 with pspice] 12 오실로스코프와 파형발생기 결과보고서 <작성자 학점 A+>2025.04.281. 오실로스코프 오실로스코프는 전기 신호의 파형을 관찰하고 측정하는 데 사용되는 전자 계측기입니다. 이번 실험에서는 오실로스코프를 사용하여 파형발생기의 출력 신호를 관찰하고 측정하였습니다. 실험 결과, 오실로스코프로 측정한 첨두치, 주파수, 주기 값이 파형발생기의 정격 출력과 유사한 것을 확인할 수 있었습니다. 또한 주파수와 주기의 관계 f = 1/T 가 실험 결과에서도 잘 나타났습니다. 2. 파형발생기 파형발생기는 다양한 형태의 전기 신호를 생성하는 장치입니다. 이번 실험에서는 파형발생기를 사용하여 오실로스코프로 관찰할 수 있는...2025.04.28
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RC 정현파 발진 회로 실험 결과보고서2025.01.041. RC 정현파 발진 회로 이번 실험의 목표는 윈브릿지 발진기 회로의 특성을 이용하여 RC 발진회로의 개념을 이해하고 발진기의 공진주파수를 알아보는 것입니다. 실험 결과, 정귀환 루프에서 Z1 = R4+XC, 1/Z2 = 1/R3 + 1/XC 관계식을 통해 V+/VO = {R3sC}/(R4sC + R4R3(sC)2 + 1 + sCR3 + sCR3)를 도출할 수 있었습니다. 이론적으로 계산한 공진주파수는 1.176kHz였지만, 실험 결과 1.078kHz로 약 100Hz 정도의 차이가 있었습니다. 이는 저항과 커패시터 값의 오차, 브...2025.01.04
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중앙대 전자회로 설계 실습 예비보고서 4_MOSFET 소자 특성 측정2025.01.111. MOSFET 특성 parameter 계산 Data Sheet를 이용하여 MOSFET의 문턱전압 Vth와 포화전류 Id,sat을 구하였습니다. 문턱전압 Vth를 구할 때 필요한 수식과 수치를 자세히 설명하였고, Vgs=0.6V일 때의 Id 값도 계산하였습니다. 2. MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션 OrCAD를 이용하여 MOSFET 회로도를 설계하고, PSPICE로 Id-Vds 특성곡선을 시뮬레이션하였습니다. 시뮬레이션 결과를 이용하여 문턱전압 Vth와 포화전류 Id,sat을 구하고, 이를 Data Sheet 값과 비교하였...2025.01.11
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아주대 전자회로실험 A+ 실험1 결과보고서2025.05.091. 반전 연산 증폭기 실험1에서는 반전 연산 증폭기의 전압 이득에 따라 출력 전압이 작아지고 전압 이득 역시 작아지는 것을 확인하였다. 실험 결과 gain의 오차는 대부분 1% 이하로 작은 편이었지만, 전압 이득이 20000일 때는 1.5%의 오차가 발생하였다. 이는 저항 값의 오차 때문인 것으로 분석되었다. 2. 위상차 이론적으로 반전 연산 증폭기에서 입력 전압과 출력 전압의 위상 차이는 180°가 된다. 실험 결과 위상의 이론, simulation값과 실제 값과의 상대오차는 1% 미만으로 매우 작아, 위상차가 180°인 것을 ...2025.05.09
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서42025.01.111. MOSFET 소자 특성 측정 이 보고서의 목적은 MOS Field-Effect Transistor(MOSFET) 소자의 특성(VT, kn, gm)을 Data Sheet를 이용하여 구하고, 설계, 구현하여 전압의 변화에 따른 전류를 측정하고, 이를 이용하여 소자의 특성을 구하는 것입니다. 준비물로는 DC Power Supply, Digital Multimeter, 연결선, Breadboard, MOSFET 소자, 저항 등이 필요합니다. 보고서에서는 MOSFET의 특성 parameter 계산, MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이...2025.01.11
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7-segment LED와 Decoder 회로 설계2025.01.091. 7-segment LED 7-segment LED는 숫자를 표시하는 7개의 LED와 소수점을 나타내는 1개의 LED로 구성되어 있으며, common cathode type과 common anode type이 있다. common cathode type에서는 공통단자에 High voltage를 연결하여 선택적으로 LED를 점등하고, common anode type에서는 공통단자에 High voltage를 연결하고 점등하고자 하는 segment에만 Low voltage를 연결하여 선택적으로 LED를 점등한다. 2. Decoder 디...2025.01.09