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[전자회로실험] 베이스 접지 증폭기 및 이미터 폴로워 회로 결과보고서2025.04.261. 베이스 접지 증폭기 베이스 접지 증폭기 실험을 통해 입력 저항이 낮고 출력 저항이 큰 회로 특성을 확인했습니다. 실험 결과, 전압 이득과 입력 저항 값은 이론값, 시뮬레이션값, 실험값이 모두 근사한 값을 나타냈지만 출력 저항의 경우 차이가 발생했습니다. 하지만 입력 저항보다 훨씬 작은 값을 가진다는 점은 공통적이었습니다. 2. 이미터 폴로워 회로 이미터 폴로워 회로 실험을 통해 입력 저항이 높고 출력 저항이 낮은 회로 특성을 확인했습니다. 실험 결과, 전압 이득과 입력 저항 값은 이론값, 시뮬레이션값, 실험값이 모두 근사한 값...2025.04.26
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A+받은 B급 푸시풀 전력증폭기 결과레포트2025.05.101. B급 푸시풀 전력 증폭기 본 실험은 NPN 트랜지스터 및 PNP 트랜지스터를 이용하여 푸시풀 전력 증폭기를 구성하였으며, 그 동작을 살펴보았다. 이론적으로 푸시풀 전력 증폭기는 입력전압의 양의 반주기에서 NPN 트랜지스터가 Active 영역에서 동작하며, 입력전압의 음의 반주기에서 PNP 트랜지스터가 Active 영역에서 동작한다. 실험 결과를 통해 NPN 트랜지스터와 PNP 트랜지스터의 동작 전압 및 오차율을 확인하였고, 크로스오버 왜곡 현상을 관찰할 수 있었다. 1. B급 푸시풀 전력 증폭기 B급 푸시풀 전력 증폭기는 오디...2025.05.10
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연산증폭기 기본 회로 결과보고서2025.04.261. 반전증폭기 실험 1에서는 반전증폭기 회로를 구성하고 입출력 파형을 관찰하였다. 입력 전압과 출력 전압의 위상이 180도 차이나며 이득이 10배인 것을 확인하였다. 또한 3dB 주파수를 측정하는 과정에서 예비보고서와 실제 실험 결과 간 차이가 큰 것을 발견하였는데, 이는 3dB 주파수 측정 방식을 제대로 이해하지 못해 발생한 것으로 판단된다. 2. 비반전증폭기 실험 2에서는 비반전증폭기 회로를 구성하고 입출력 파형을 관찰하였다. 입력 전압과 출력 전압의 위상이 같으며 이득이 10배인 것을 확인하였다. 반전증폭기와 마찬가지로 3d...2025.04.26
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핵심이 보이는 전자회로실험 BJT의 전류-전압 특성2025.05.161. NPN형 BJT의 I_C-V_CE 특성 NPN형 BJT의 I_C-V_CE 출력 특성 곡선을 그래프로 그리고, 시뮬레이션 결과와 비교하였다. NPN형 BJT의 공통이미터 DC 전류이득 beta_DC,sim과 공통베이스 DC 전류이득 alpha_DC,sim을 시뮬레이션 결과에서 구하고, 측정 결과에서 구한 beta_DC,meas와 alpha_DC,meas와 비교하였다. 2. PNP형 BJT의 I_C-V_CE 특성 PNP형 BJT의 I_C-V_CE 출력 특성 곡선을 그래프로 그리고, 시뮬레이션 결과와 비교하였다. PNP형 BJT의 ...2025.05.16
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A+받은 차동증폭기 예비레포트2025.05.101. 차동 증폭기 차동 증폭기는 두 개의 입력을 가진 두 개의 트랜지스터와 두 개의 출력을 가지고, 좌우 대칭이며, 동일한 특성을 갖는 소자를 사용한다. 에미터 저항과 콜렉터 저항은 공통이며, 출력신호는 두 입력신호의 차이에 비례한다. 차동 증폭기는 공통 모드와 차동 모드로 동작할 수 있으며, 공통 모드에서는 출력이 0이 되고 차동 모드에서는 두 입력신호의 차이를 증폭한다. 단일 입력을 갖는 차동 증폭기와 차동 모드 입력을 갖는 차동 증폭기에 대해 설명하고 있다. 2. 차동 증폭기 실험 실험 1에서는 단일 입력을 갖는 차동 증폭기 ...2025.05.10
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전자회로실험1 4번째 실험보고서2025.05.091. BJT 특성 실험 이 실험에서는 BJT 소자의 특성을 측정하고 분석하였습니다. 베타(β) 측정 실험을 통해 BJT의 베이스 전류 변화에 따른 컬렉터 전류 변화를 관찰하였고, 평균 베타 값을 약 230으로 측정하였습니다. 또한 VCE-IC 특성 곡선 실험을 통해 BJT의 컬렉터 특성 곡선을 실험적으로 결정하고 그래프로 나타내었습니다. 실험 결과 분석에서는 Early 효과로 인해 선형 근사 모델이 적합하지 않음을 확인하였고, 비선형 모델 적용이 필요함을 제안하였습니다. 1. BJT 특성 실험 BJT(Bipolar Junction ...2025.05.09
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단순 교류 회로 실험2025.01.031. 교류 입력 신호에 대한 전압 분배 특성 이 실험에서는 교류 입력 신호에 대한 전압 분배 특성을 부하를 걸었을 때와 걸지 않았을 때 각각 검사하여 비교합니다. 또한 교류 신호에 대한 저항 회로에서 옴의 법칙과 키르히호프 법칙의 유효성을 확인합니다. 2. 교류 신호와 커패시터의 관계 이 실험에서는 교류 신호와 커패시터 사이의 관계를 확인합니다. 커패시터 양단의 전압과 커패시터를 통해 흐르는 전류 사이의 관계도 함께 살펴봅니다. 3. 교류 신호와 인덕터의 관계 이 실험에서는 교류 신호와 인덕터 사이의 관계를 이해합니다. 인덕터 양단...2025.01.03
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증폭기의 주파수 응답 특성2025.01.021. 공통 소스 증폭기의 주파수 응답 특성 공통 소스 증폭기의 입력-출력에 원하는 DC 전압 및 전압 이득이 나오게 하기 위해 DC 전류와 전류를 결정하여 회로를 구성했습니다. 입력 신호의 주파수를 변화시키면서 전압 이득의 변화를 측정하여 보드 선도를 그렸고, 이를 통해 3dB 대역폭을 구했습니다. 또한 이득 대역폭 곱을 계산하고, 이를 증가시키기 위한 방안으로 회로를 closed loop로 만드는 것을 제안했습니다. 2. 공통 소스 증폭기의 소신호 등가 모델 그림 [18-5]의 실험회로를 소신호 등가 모델을 사용하여 등가회로로 표...2025.01.02
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아주대 전자회로실험 A+ 실험1 결과보고서2025.05.091. 반전 연산 증폭기 실험1에서는 반전 연산 증폭기의 전압 이득에 따라 출력 전압이 작아지고 전압 이득 역시 작아지는 것을 확인하였다. 실험 결과 gain의 오차는 대부분 1% 이하로 작은 편이었지만, 전압 이득이 20000일 때는 1.5%의 오차가 발생하였다. 이는 저항 값의 오차 때문인 것으로 분석되었다. 2. 위상차 이론적으로 반전 연산 증폭기에서 입력 전압과 출력 전압의 위상 차이는 180°가 된다. 실험 결과 위상의 이론, simulation값과 실제 값과의 상대오차는 1% 미만으로 매우 작아, 위상차가 180°인 것을 ...2025.05.09
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전자회로실험_1주차 보고서2025.01.211. PN 접합 다이오드의 전류-전압 특성 P형 반도체는 억셉터(3가 불순물)가 도핑된 반도체이고 N형 반도체(5가 불순물)는 도너가 도핑된 반도체이다. P형 영역에 연결된 전극을 애노드(anode), N형 영역에 연결된 전극을 캐소드(cathode)라고 한다. PN접합 다이오드의 전류(ID)와 전압(VD) 사이의 관계는 다음과 같다. VD>VΓ인 순방향 전압이 인가되면, 다이오드 전류는 지수함수적으로 급격히 증가한다. VD<VΓ인 역방향 전압이 인가되면, 다이오드에는 매우 작은 역방향 포화전류 ID≒-IS가 흐른다. VΓ는 다이오...2025.01.21
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