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(22년) 중앙대학교 전자전기공학부 전자회로설계실습 예비보고서 4. MOSFET 소자 특성 측정2025.04.301. MOSFET 소자 특성 측정 이 보고서는 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 소자의 특성을 측정하고 분석하는 내용을 다루고 있습니다. 주요 목적은 MOSFET 소자의 문턱 전압(Vth), 전달 전도도(gm), 드레인 전류(Id) 등의 특성 파라미터를 데이터시트를 이용하여 계산하고, 시뮬레이션을 통해 검증하는 것입니다. 또한 특성 곡선을 도출하여 MOSFET 소자의 동작 특성을 분석하고자 합니다. 1. MOSFET 소자 특성 측정 MOSFET(Metal-Oxid...2025.04.30
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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 24 연산 증폭기 응용 회로 2)2025.01.291. 적분기 회로 적분기 회로는 입력 저항 R과 피드백 커패시터 C로 이루어진 간단한 구성입니다. 입력 신호는 R을 통해 연산 증폭기의 반전 입력(-) 단자로 들어가고, 출력은 C를 통해 피드백됩니다. 입력 신호에 의해 전류가 흐르고, 이 전류는 커패시터에 전하를 축적합니다. 커패시터 전하가 시간에 따라 누적되면서 출력 전압이 변화하며, 출력 전압은 입력 전압의 적분값에 비례합니다. 적분기 회로는 입력 신호가 일정하면 출력이 선형적으로 증가하거나 감소하며, 저주파 신호에 민감하고 고주파 신호는 감쇠됩니다. 적분기 회로는 속도에서 위...2025.01.29
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RC회로의 시정수 측정회로 및 방법설계 예비보고서 (보고서 점수 만점/A+)2025.04.251. DMM의 내부 저항 측정 DMM의 내부 저항을 측정하는 방법을 설계하여 제출하라. 출력 전압이 5V가 되도록 DC Power Supply를 정확히 조정한 후 (+) 단자에만 22MΩ 저항을 연결하고 DMM으로 22MΩ 나머지 단자와 DC Power Supply의 (-) 단자 사이의 전압을 측정한다. 측정값을 V1이라고 하면, DMM의 내부 저항은 전압 분배 법칙에 의해 R_DMM = (22 * V1) / (5 - V1)Ω 이므로 이 수식을 풀어 R_DMM의 값을 구할 수 있다. 2. RC time constant 측정 DMM의...2025.04.25
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전자회로설계실습 2번 결과보고서2025.01.201. Op Amp의 Offset Voltage 측정 Open loop gain 회로를 설계하여 Offset voltage를 측정한 결과, 3.2mV의 출력파형이 나왔다. Gain이 100 V/V인 Inverting Amplifier회로와 1000 V/V일 때의 출력전압을 측정하여 Offset voltage를 계산한 결과, 약 0.792 mV~0.12mV 사이의 값임을 알 수 있었다. Offset voltage의 영향을 최소화시키는 실험은 측정된 Offset voltage가 너무 작아 변인의 영향을 확인하기 어려웠다. 2. Op Am...2025.01.20
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휘트스톤 브리지 예비 보고서2024.12.311. 휘트스톤 브리지 휘트스톤 브리지는 회로의 평형상태를 이용하여 정밀한 저항 측정을 위한 계측 방법에 이용되는 회로입니다. 4개의 저항이 정사각형을 이루는 회로이며, 일반적으로 미지의 저항값을 구하기 위해서 사용합니다. 회로가 평형상태일 때 검류계에 전류가 흐르지 않으므로 계측기 자체에서 발생하는 오차가 없어 저항값을 정밀하게 측정할 수 있습니다. 또한 휘트스톤 브리지는 온도 측정에도 사용되는데, 온도 감지 소자를 브리지에 연결하여 온도 변화에 따른 저항 변화를 측정함으로써 온도를 정밀하게 측정할 수 있습니다. 1. 휘트스톤 브리...2024.12.31
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실험 25. CE 증폭기와 주파수 응답 예비결과보고서2025.01.021. 보데 선도(Bode plot) 보데 선도는 가로축에 각주파수의 대수 log10를 취하고, 세로축에 이득와 위상차를 취하여 전압이득과 주파수의 관계를 그린 것입니다. 이를 통해 전압 증폭기의 주파수 응답 특성을 확인할 수 있습니다. 2. 저주파 증폭기 응답 저주파 영역에서는 DC 차단(AC 결합)과 바이패스 동작을 위해서 커패시터가 하위 차단(하위 3dB) 주파수에 영향을 미칩니다. 공통 이미터 증폭기 회로의 AC 등가회로를 통해 입력 커패시터, 바이패스 커패시터, 부하 커패시터 부분의 주파수 응답을 계산할 수 있습니다. 1. ...2025.01.02
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전자공학실험 2장 PN 정류회로 A+ 결과보고서2025.01.151. 반파 정류회로 실험회로 1([그림 2-12])에서, v_s에 피크 값이 5V이고 주파수가 100Hz인 정현파를 인가한다. 부하 저항 R에 10kΩ을 연결하고, 입력 v_s와 출력 V_O의 파형을 측정해서 [그림 2-22]에 기록하였다. [그림 2-22]의 파형으로부터 출력 V_O의 평균값(root mean square)을 구하였다. 실험 중 오류를 발견했는데, 실험회로 1에 대해 사인파를 가해줄 때 waveform generator의 Amp를 10V가 아닌 5V로 설정해줬음을 깨닫게 되었다. 따라서 V_m값 또한 원래 나와야 ...2025.01.15
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[A+]중앙대학교 마이크로프로세서 응용회로설계실습 led 실습 결과보고서2025.05.051. 마이크로프로세서 응용회로 설계 실습 이 보고서는 중앙대학교 전자전기공학부의 마이크로프로세서 응용회로 설계 실습 4주차 결과를 다루고 있습니다. 주요 내용은 LED 제어를 위한 레지스터 설정, LED 동작 모드 구현(LED 상승 이동, LED 하강 이동, LED 깜빡임), 실습 결과 분석 등입니다. 1. 마이크로프로세서 응용회로 설계 실습 마이크로프로세서 응용회로 설계 실습은 전자공학 분야에서 매우 중요한 부분입니다. 마이크로프로세서는 다양한 전자기기와 시스템에 사용되며, 이를 효과적으로 설계하고 구현하는 능력은 전자공학자에게 ...2025.05.05
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7-segment LED와 Decoder 회로 설계2025.01.091. 7-segment LED 7-segment LED는 숫자를 표시하는 7개의 LED와 소수점을 나타내는 1개의 LED로 구성되어 있으며, common cathode type과 common anode type이 있다. common cathode type에서는 공통단자에 High voltage를 연결하여 선택적으로 LED를 점등하고, common anode type에서는 공통단자에 High voltage를 연결하고 점등하고자 하는 segment에만 Low voltage를 연결하여 선택적으로 LED를 점등한다. 2. Decoder 디...2025.01.09
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신호발생기와 오실로스코프 사용법_결과레포트2024.12.311. 신호발생기 신호발생기는 전자 신호를 생성하는 모든 장치로, 다양한 목적과 응용을 가진 많은 다른 종류가 있다. 함수 발생기, 임의 파형 발생기 및 벡터 신호 발생기는 특수 신호 발생기의 일반적인 유형이다. 이번 실험에서는 함수 발생기를 사용하였는데, 함수 발생기는 전자 신호인 파형을 발생시키는 장치이다. 함수 발생기가 발생시키는 가장 일반적인 파형으로는 사인파(sine), 방형파(square), 삼각파(triangular), 톱니파(sawtooth) 등이 있으며, 보통 주기적 신호를 만들어 내는데 사용한다. 2. 오실로스코프 ...2024.12.31