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[부산대 어드벤처디자인] 10장 flip-flop 및 shift registor 예비보고서2025.01.121. 플립플롭 플립플롭은 출력이 0과 1인 안정된 상태를 가지며 두 개의 출력은 반드시 보수여야 한다. R-S 플립플롭, D 플립플롭, JK 플립플롭, T 플립플롭 등 다양한 종류의 플립플롭이 있으며, 각각의 블록 다이어그램과 여기표(excitation table)를 제시하였다. 2. 레이싱 현상 레이싱 현상은 클럭 펄스가 1일 때 출력상태가 변화되면 입력 측에 변화를 일으켜 오동작이 발생되는 현상이다. 하나의 게이트에 대한 두 개의 입력이 동시에 변할 때 일어나는 문제로, 클럭 펄스의 폭이 출력 상태가 되돌아오는 시각 폭보다 크면...2025.01.12
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전자공학실험 1장 PN 접합 다이오드 및 제너 다이오드 A+ 예비보고서2025.01.131. PN 접합 다이오드의 기본 구조와 동작 원리 PN 접합 다이오드는 p형 반도체와 n형 반도체의 접합으로 만들어지는 비선형 소자이다. 다이오드는 극성 소자로서 양단에 걸리는 전압에 따라 전류 특성이 변한다. 다이오드의 양극이 음극보다 전압이 높으면 순방향 바이어스 전압이 인가되었다고 하고, 양극에서 음극으로 전류를 흘리게 된다. 반대로 음극이 양극보다 전압이 높게 된다면 역방향 바이어스 전압이 인가되었다고 하고 양단 사이에 전류가 흐르지 않게 된다. 2. PN 접합 다이오드의 동작 영역과 전류-전압 특성 PN접합 다이오드는 양단...2025.01.13
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전자공학실험 9장 MOSFET 회로 A+ 결과보고서2025.01.151. MOSFET 동작 원리 MOSFET은 전계 효과(field effect)를 이용하여 전류가 흐르는 소자이며, 전하를 공급하는 소스 단자, 전하를 받아들이는 드레인 단자, 전류의 양을 조절하는 게이트 단자, 기판의 역할을 하는 바디 단자로 구성되어 있다. 게이트 전압을 바꾸면 드레인에서 소스로 흐르는 전류가 바뀌면서 증폭기로 동작할 수 있다. 2. NMOS 전류-전압 특성 NMOS의 경우 VGS-Vth>0일 때부터 차단 영역을 벗어나 전류 ID가 흐르기 시작한다. VDS가 증가함에 따라 전류 ID는 linear하게 증가하다가 포...2025.01.15
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[기초전자실험 with pspice] 16 미분회로와 적분회로(미적분회로) 결과보고서 <작성자 학점 A+>2025.04.281. 미분회로 실험1,2는 미분회로 실험이다. Pspice 시뮬레이션과 같이 실험1에서 RC미분회로의 구형파와 정현파의 미분파형이 오실로스코프를 통해 출력되는 것을 볼 수 있다. 실험2에서도 마찬가지로 RL미분회로의 구형파와 정현파의 미분파형이 오실로스코프를 통해 출력되는 것을 볼 수 있다. 2. 적분회로 실험3,4는 적분회로 실험이다. 실험3또한 시뮬레이션 한 것과 같이 RC적분회로의 오실로스코프를 통해 구형파와 정현파의 적분파형이 출력되는 것을 볼 수 있다. 또한 실험4를 통해 RL적분회로의 오실로스코프를 통해 구형파와 정현파의...2025.04.28
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실험 23_연산 증폭기 응용 회로1 결과보고서2025.04.281. 반전 증폭기 실험회로 1에서 반전 증폭기를 구성하고, R1 = 10kΩ, R2 = 20kΩ으로 설정했다. 입력 크기를 변화시키면서 출력 전압과 전압 이득을 측정했다. 그 결과 전압 이득이 음의 값으로 나왔고 절대값이 1 이상인 것을 확인했다. 이를 통해 반전 증폭기로서 잘 동작했다고 볼 수 있다. 또한 R2를 100kΩ으로 증가시키면 전압 이득도 증가하는 것을 확인했다. 2. 비반전 증폭기 실험회로 2에서 비반전 증폭기를 구성하고, R1 = 10kΩ, R2 = 20kΩ으로 설정했다. 입력 크기를 변화시키면서 출력 전압과 전압 ...2025.04.28
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[A+] 중앙대학교 전기회로 설계실습 예비보고서 12. 수동소자의 고주파특성측정방법의 설계2025.04.291. 저항의 고주파 특성 측정 저항의 고주파 특성을 측정하기 위한 회로는 Digital MultiMeter를 저항의 양단에 연결하여 저항의 값을 측정하고, Function Generator에서 정현파를 입력한 후 주파수를 증가시키며 저항의 값의 변화를 측정한다. 주파수를 증가시키다 보면 저항의 값이 감소하는 주파수를 측정할 수 있다. 이는 실제 저항이 구조상 원치 않는 커패시터와 인덕터 성분을 가지고 있기 때문에 기생 커패시터에 흐르는 전류가 증가하여 저항의 값이 감소하는 것이다. 2. 커패시터의 고주파 특성 측정 커패시터의 고주파...2025.04.29
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[A+] 중앙대학교 전기회로 설계실습 결과보고서 11. 공진회로(Resonant Circuit)와 대역여파기 설계2025.04.291. 공진회로(Resonant Circuit) 이번 실험에서는 직렬 공진회로와 병렬 공진회로의 Q-factor 변화에 따른 bandpassfilter의 그래프를 실험 데이터를 통해 그려보고, 공진주파수, 반전력주파수, 대역폭, Q-factor 를 계산해보았다. 직렬 및 병렬 공진회로 모두 Q-factor의 값이 커질수록 그래프가 더 뾰족 해지는 특성을 보여주었고, 이는 곧 대역폭의 감소로 이어지는 것을 계산을 통해서도 확인할 수 있었다. 2. 대역여파기(Bandpass Filter) 설계 bandpass filter는 직렬 공진 회...2025.04.29
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[전자공학응용실험]실험9 MOSFET 기본특성, 실험10 MOSFET 바이어스 회로_예비레포트(A+)2025.04.291. MOSFET 동작 원리 MOSFET은 Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor의 약자로, 구조는 금속-산화막-반도체로 이루어져 있다. NMOS는 바디가 p형 기판, 소스와 드레인이 n+로 도핑된 구조이고, PMOS는 바디가 n형 기판, 소스와 드레인이 p+로 도핑된 구조이다. 게이트에 전압이 인가되면 채널이 형성되어 소스에서 드레인으로 전류가 흐르게 된다. MOSFET은 차단 영역, 트라이오드 영역, 포화 영역의 세 가지 동작 영역을 가지며, 각 영역에서의 단자 전압과 전류 관계...2025.04.29
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광전자공학실험1 PCB 회로설계 (중간고사 평가)2025.04.251. PCB 회로설계 PCB 회로설계 중간고사를 위해 인터넷을 찾아보면서 전자캐드 기능사 실기 회로를 찾아서 회로를 만들었습니다. OPAMP 회로를 처음 접하게 되었는데 새로운 소자를 사용해보는 데 그전에 배웠던 오실레이터와 제너레이터를 연습하다 보니 실력이 많이 늘었습니다. 전자캐드 기능사 실기 OPAMP 회로도를 찾아서 Pspice에 회로를 만들어 주었고, Orcad 파일 생성 확인을 위해 거버파일 위치 및 거버파일을 생성하였습니다. 2. OPAMP 회로 OPAMP 회로를 처음 접하게 되었는데 새로운 소자를 사용해보는 데 그전에...2025.04.25
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RC회로의 시정수 측정회로 및 방법설계 예비보고서 (보고서 점수 만점/A+)2025.04.251. DMM의 내부 저항 측정 DMM의 내부 저항을 측정하는 방법을 설계하여 제출하라. 출력 전압이 5V가 되도록 DC Power Supply를 정확히 조정한 후 (+) 단자에만 22MΩ 저항을 연결하고 DMM으로 22MΩ 나머지 단자와 DC Power Supply의 (-) 단자 사이의 전압을 측정한다. 측정값을 V1이라고 하면, DMM의 내부 저항은 전압 분배 법칙에 의해 R_DMM = (22 * V1) / (5 - V1)Ω 이므로 이 수식을 풀어 R_DMM의 값을 구할 수 있다. 2. RC time constant 측정 DMM의...2025.04.25
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